• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 추계학술발표회
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• pp.122-122
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• 1997

• 한국진공학회지
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• 제12권2호
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• pp.118-122
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• 2003

저압 MOCVD 장치를 이용하여 선택적 에피 성장 (selective area epitaxy) 기술을 개발하고, 이 기술을 이용하여 InGaAs/GaAs 양자세선(quantum wire) 구조를 성장하였다. $SiO_2$로 선택적으로 마스킹 된 GaAs 기판위에 AIGaAs/GaAs 다충 구조 및 InGaAs/GaAs 양자세선 구조를 저압 MOCVD 방법으로 성장하였다. 매끄러운 사면을 갖고 끝 부분이 뽀쪽한 삼각형 구조의 양자세선 구조가 선택적 에피 성장법에 의해 자발적으로 형성되었다. 선택적 에피층 성장을 위한 최적 조건을 알기 위해 먼저 GaAs/AlGaAs 다층구조에 대하여 여러 가지 성장변수들에 대하여 조사하였다. 성장 변수들은 성장률(growth rate), V/III 비 및 성장온도, 패턴의 정렬 방향 등이다. 양자세선에서 나오는 발광은 975 nm로 분석되었다. 측정 온도가 증가됨에 따라 삼각형 구조의 사면의 양자우물에서 나오는 발광은 급격하게 감소하였다. 그러나 양자세선에서 나오는 발광은 양자우물에서 나오는 발광에 비해 서서히 감소하였고, 50 K 이상의 온도에서는 양자세선에서 나오는 발광의 세기가 더 커졌다.

• 한국재료학회지
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• 제16권2호
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• pp.106-110
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• 2006

We have investigated the effect of the experimental variables such as temperature and pressure on conformality of Co films deposited over high aspect ratio trenches using $Co_2(CO)_8$ as a precursor. The results show that the conformality of Co films is a strong function of temperature and process pressure. Lowering the pressure and temperature significantly improves the conformality. As the pressure decreases from 0.6 Torr to 0.2 Torr at $50^{\circ}C$, the bottom coverage of Co films over $0.2{\mu}m$ width trenches with an aspect ratio of 13 to 1 significantly increases to 85%. However, further increasing the temperature from 50 to $60^{\circ}C$ at the pressure of 0.2 Torr degrades the bottom coverage to 14%. In contrast, the extremely low pressure of 0.03 Torr allows the excellent conformal deposition of Co films up to $70^{\circ}C$. This can be attributed to the suppression of homogeneous reaction in the gas phase, which can create the intermediate products with high sticking coefficient. In addition, the Co films deposited at $50^{\circ}C$ show the low resistivity with negligible contamination. As a result, the newly developed Co process using MOCVD can be implemented into the next generation devices with complex shapes.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제7권1호
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• pp.36-41
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• 2006

In this paper, the time evolution of undoped GaN epilayers on a low-temperature GaN buffer layer grown on c-plane sapphire at a low pressure of 300 Torr was studied via a two-step growth condition in a horizontal MOCVD reactor. As a function of the growth time at a high-temperature, the surface morphology, structural quality, and optical and electrical properties were investigated using atomic force microscopy, high-resolution x-ray diffraction, photoluminescence, and Hall effect measurement, respectively. The root-mean-square roughness showed a drastic decrease after a certain period of surface roughening probably due to the initial island growth. The surface morphology also showed the island coalescence and the subsequent suppression of three-dimensional island nucleation. The structural quality of the GaN epilayer was improved with increasing growth time considering the symmetrical (002) and asymmetrical (102) rocking curves. The variations of room-temperature photoluminescence, background carrier concentration, and Hall mobility were measured and discussed.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.23-23
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• 2009

Recently, the nanowire configuration of GST showed nanosecond-level phase switch at very low power dissipation, suggesting that the nanowires could be ideal for data storage devices. In spite of many advantages of IST materials, their feasibility in both thin films and nanowires for electronic memories has not been extensively investigated. The synthesis of the chalcogenide nanowires was mainly preformed via a vapor transport process such as vapor-liquid-solid (VLS) growth at a high temperature. However, in this study, IST nanowires as well as thin films were prepared at a low temperature (${\sim}250^{\circ}C$) by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) method, which is possible for large area deposition. The IST films and/or nanowires were selectively grown by a control of working pressure at a constant growth temperature by MOCVD. In-Sb-Te NWs will be good candidate materials for high density PRAM applications. And MOCVD system is powerful for applying ultra scale integration cell.

• 한국재료학회지
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• 제11권3호
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• pp.184-184
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• 2001

(hfac)Cu(I)L구리 1가 전구체의 경우 L의 종류에 따라 여러 화합물이 존재하며 L이 전구체의 특성 및 증착에 미치는 영향을 규명하였다. 이때 중성리간드는 ATMS(allytrimethylsilane), VTMS(vinyltri-methylsilane), VCH(vinylcyclohexane), MP (4-methyl-1-pentene), ACP(allylcyclopentane), DMB (3,3-dimethyl-1-butene) 등의 alkene류이었다 hfacCu(I)L 전구체는 TG-DSC 분석에서 관찰된 Cu(I)-L 분해 온도가 낮으면 $100^{\circ}C$ 이하의 저온 증착이 가능하였고 저온에서 낮은 박막 비저항 값을 얻을 수 있었다. 또한 이 분해온도가 높은 전구체 일수록 열적으로 안정함을 일정 시간 가열평가를 통해 알 수 있었다. 약 $125~175^{\circ}C$ 증착온도에서는 중성리간드의 종류에 무관하게 증착된 구리 박막의 비저항값이 거의 비슷하였고 약 $226^{\circ}C$ 이상의 증착온도에서는 박막의 비저항이 중성리간드의 분자량의 크기에 비례하여 증가하였다. 전구체의 증기압은 중성리간드의 끓는점과 가장 밀접한 관계가 있으며 중성리간드의 끓는점이 낮으면 낮을수록 증기압은 높았다.

• 한국재료학회지
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• 제11권3호
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• pp.185-190
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• 2001

(hfac)Cu(I)L구리 1가 전구체의 경우 L의 종류에 따라 여러 화합물이 존재하며 L이 전구체의 특성 및 증착에 미치는 영향을 규명하였다. 이때 중성리간드는 ATMS(allytrimethylsilane), VTMS(vinyltri-methylsilane), VCH(vinylcyclohexane), MP (4-methyl-1-pentene), ACP(allylcyclopentane), DMB (3,3-dimethyl-1-butene) 등의 alkene류이었다 hfacCu(I)L 전구체는 TG-DSC 분석에서 관찰된 Cu(I)-L 분해 온도가 낮으면 $100^{\circ}C$ 이하의 저온 증착이 가능하였고 저온에서 낮은 박막 비저항 값을 얻을 수 있었다. 또한 이 분해온도가 높은 전구체 일수록 열적으로 안정함을 일정 시간 가열평가를 통해 알 수 있었다. 약 $125~175^{\circ}C$ 증착온도에서는 중성리간드의 종류에 무관하게 증착된 구리 박막의 비저항값이 거의 비슷하였고 약 $226^{\circ}C$ 이상의 증착온도에서는 박막의 비저항이 중성리간드의 분자량의 크기에 비례하여 증가하였다. 전구체의 증기압은 중성리간드의 끓는점과 가장 밀접한 관계가 있으며 중성리간드의 끓는점이 낮으면 낮을수록 증기압은 높았다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.214-219
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• 2002

In order to elucidate the crystallographic orientation dependence of electrical properties of carbon (C)-doped GaAs epilayers, C incorporation into GaAs epilayers on high-index GaAs substrates with various crystallographic orientations from (100) to (111)A has been performed by a low pressure metalorganic chemical vapor deposition using C tetrabromide ($CBt_4$) as a C source. The hole concentration of C-doped GaAs epilayers rapidly decreases with a hump at (311)A with increasing the offset angle. Although the growth temperature and the V/III ratio are varied, the crystallographic orientation dependence of hole concentration show a same trend. The above behaviors indicate that the bonding strength of As sites on a glowing surface plays an important role in the C incorporation into the high-index GaAs substrates.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1996년도 제11회 학술발표회 논문개요집
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• pp.24-25
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• 1996

• 한국결정성장학회지
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• 제6권3호
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• pp.309-317
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• 1996

Al2O3 thin films were deposited on Si-wafer (100) using organo-aluminum compounds at low pressure by chemical vapor deposition (CVD) method. The vapor of the organo-metallic precursor was carried by pure N2 gas. The deposition rate increased and then saturated as Tsub increased with increasing the AIP flow rate. The main contamination didn't found in deposited films except carbon. The H-O(H2O) IR absorption band decreased in intensity as the deposition temperature increased, and completely disappeared through annealing.