Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.386-386
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2012
For white light emitting diode (LED) applications, it has been reported that Y3Al5O12:Ce3+ (YAG:Ce) in nano-sized phosphor performs better than it does in micro-sized particles. This is because nano-sized YAG:Ce can reduce internal light scattering when coated onto a blue LED surface. Recently, there have been many reports on the synthesis of nano-sized YAG particles using bottom-up method, such as co-precipitation method, sol-gel process, hydrothermal method, solvothermal method, and glycothermal method. However, there has been no report using top-down method. Top-down method has advantages than bottom-up method, such as large scale production and easy control of doping concentration and particle size. Therefore, in this study, nano-sized YAG:Ce phosphors were synthesized by a high energy beads milling process with varying beads size, milling time and milling steps. The beads milling process was performed by Laboratory Mill MINICER with ZrO2 beads. The phase identity and morphology of nano-sized YAG:Ce were characterized by X-ray powder diffraction (XRD) and field-emission scanning electron microscopy (FESEM), respectively. By controlling beads size, milling time and milling steps, we synthesized a size-tunable and uniform nano-sized YAG:Ce phosphors which average diameters were 100, 85 and 40 nm, respectively. After milling, there was no impurity and all of the peaks were in good agreement with YAG (JCPDS No. 33-0040). Luminescence and quantum efficiency (QE) of nano-sized YAG:Ce phosphors were measured by fluorescence spectrometer and QE measuring instrument, respectively. The synthesized YAG:Ce absorbed light efficiently in the visible region of 400-500 nm, and showed single broadband emission peaked at 550 nm with 50% of QE. As a result, by considering above results, high energy beads milling process could be a facile and reproducible synthesis method for nano-sized YAG:Ce phosphors.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.327-327
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2009
ZnO with a large band gap (~3.37 eV) and exciton binding energy (~60 meV), is suitable for optoelectronic applications such as ultraviolet (UV) light emitting diodes (LEDs) and detectors. However, the ZnO-based p-n homojunction is not readily available because it is difficult to fabricate reproducible p-type ZnO with high hall concentration and mobility. In order to solve this problem, there have been numerous attempts to develop p-n heterojunction LEDs with ZnO as the n-type layer. The n-ZnO/p-GaN heterostructure is a good candidate for ZnO-based heterojunction LEDs because of their similar physical properties and the reproducible availability of p-type GaN. Especially, the reduced lattice mismatch (~1.8 %) and similar crystal structure result in the advantage of acquiring high performance LED devices. In particular, a number of ZnO films show UV band-edge emission with visible deep-level emission, which is originated from point defects such as oxygen vacancy, oxygen interstitial, zinc interstitial[1]. Thus, defect-related peak positions can be controlled by variation of growth or annealing conditions. In this work, the undoped ZnO film was grown on the p-GaN:Mg film using RF magnetron sputtering method. The undoped ZnO/p-GaN:Mg heterojunctions were annealed in a horizontal tube furnace. The annealing process was performed at $800^{\circ}C$ during 30 to 90 min in air ambient to observe the variation of the defect states in the ZnO film. Photoluminescence measurements were performed in order to confirm the deep-level position of the ZnO film. As a result, the deep-level emission showed orange-red color in the as-deposited film, while the defect-related peak positions of annealed films were shifted to greenish side as increasing annealing time. Furthermore, the electrical resistivity of the ZnO film was decreased after annealing process. The I-V characteristic of the LEDs showed nonlinear and rectifying behavior. The room-temperature electroluminescence (EL) was observed under forward bias. The EL showed a weak white and strong yellowish emission colors (~575 nm) in the undoped ZnO/p-GaN:Mg heterojunctions before and after annealing process, respectively.
The 100 l culture system was made on the basis of LED light, and Nannochloropsis oculata was cultured in f/2 medium at light intensity ($100{\mu}mol/m^2/s$), culture temperature ($20^{\circ}C{\pm}1^{\circ}C$) and LD cycle (12hr). As a result, the maximum biomass of 1.07 g/l was cultured as a result of 100 l mass culture at $100{\mu}mol/m^2/s$ and 24 mg/l nitrate concentration in LED blue (475 nm). The extraction was carried out using sonicator, homogenizer and chemical method 0.5M HCl shredding method. The contents of chlorophyll a, chlorophyll b and carotenoid were 1.6, 0.5 and 0.3 mg/g cell. When using homogenizer, it was measured at 1.0, 0.6 and 0.2 mg/g cell. The chemical breakdown method of 0.5M HCl, chlorophyll a, b, and carotenoid contents were measured as 0.9, 0.8, 0 mg/g cell. The highest amount of biomass during the distruption time was measured at 3.6 mg/g cell at 15 min disintegration and acetone, 3.6 mg/g cell of acetone, methanol, and ethanol were measured as effective solvents. Concentration was measured by using microfilter, disk type continuous centrifuge and tubular type continuous centrifuge were 16.0, 1.1 and 0.5 g/l, respectively. Four kinds of equipment such as hot air dryer, vacuum dryer, spray dryer and freeze dryer were tested to optimize the drying process. As a result, the recovery rates of spray dryer and freeze dryer were 80% and 60%.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.22
no.1
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pp.11-14
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2012
The AlGaN layer has direct wide bandgaps ranging from 3.4 to 6.2 eV. Nowadays, it is becoming more important to fabricate optical devices in an UV region for the many applications. The high quality AlGaN layer is necessary to establish the UV optical devices. However, the growth of AlGaN layer on GaN layer is difficult due to the lattice mismatch and difference thermal expansion coefficient between GaN layer and AlGaN layer. In this paper, we attempted to grow the LED structure on GaN template by mixed-source HVPE method with multi-sliding boat system. We tried to find the optical and lattice transition of active layer by control the Al content in mixed-source. For the growth of epi layer, the HCl and $NH_3$ gas were flowed over the mixed-source and the carrier gas was $N_2$. The temperature of source zone and growth zone was stabled at 900 and $1090^{\circ}C$, respectively. After the growth, we performed the x-ray diffraction (XRD) and electro luminescence (EL) measurement.
This study uses the LEAP model that is a long-term energy analysis model to analyze reduction potential on S city residential sector energy usage for greenhouse gas emission. Energy consumption of S-si in 2009 is consumed most in residential and commerce sector by 39.1%. Also, energy and greenhouse gas emission of residential sector is expected to increase due to increase of households. Therefore, greenhouse gas reduction measures are desperately required in residential sector. For this study recognizes energy consumption of S-si residential sector and has established reduction measure of S-si residential sector greenhouse gas through literature search on domestic and foreign climate change correspondence policies. Also, construction of greenhouse gas reduction potential by reduction measures through LEAP model. There were a total of 5 reduction measures scenarios is Reference Scenario, LED Lighting, Energy Alternative, Green Life Practice, and Total Reduction Measure. As a result, greenhouse gas emission of Light Emitting Diode Lightings by 2020 was $1,181.0thousand\;tonCO_2eq$, decrease of 6.1% compared to the Reference Scenario and Greenhouse gas emission of Energy Alternative by 2020 was $1,171.6thousand\;tonCO_2eq$, decrease of 6.8% compared to the Reference Scenario. Greenhouse gas emission of Green Life Practice by 2020 was $1,128.7thousand\;tonCO_2eq$, decrease of 10.2% compared to the Reference Scenario. For Total Reduction Measures by 2020 emission was $966.9thousand\;tonCO_2eq$, decrease 23.1% compared to Reference Scenario.
Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
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v.47
no.2
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pp.120-127
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2020
The aim of this study was to evaluate the antimicrobial effect of photodynamic therapy (PDT) using plaque disclosing agent, 10 - 20 mM erythrosine, as a photosensitizer. Multispecies cariogenic biofilms containing Streptococcus mutans, Lactobacillus casei and Candida albicans were formed on hydroxyapatite disc. 20 μM, 10 mM and 20 mM erythrosine were applied as a photosensitizer for 3 minutes, and then light-emitting diode (LED) irradiated for 24 seconds. Colony-forming unit (CFU) were measured and biofilms were observed using confocal laser scanning microscopy (CLSM). CFU were significantly decreased in the PDT groups using 10 - 20 mM erythrosine (10 mM, 20mM) and the results were also confirmed by CLSM. This study confirms the high antimicrobial effect of photodynamic therapy using plaque disclosing agent as a photosensitizer.
Foodborne diseases occur frequently and have various being related to the intake of contaminated foods. Seafood products are susceptible to contamination due to higher water content and microorganisms, which combine to give them a short shelf-life. Various approaches have been applied to overcome this problem. Edible coatings that are also biodegradable and biocompatible have been discussed as one of the applicable solutions. These coatings can actually help to maintain seafood quality by inhibiting the growth of microorganisms and delaying the loss of moisture. This paper presents the effects of various natural bio-polymers, antimicrobial substances and physical sterilization techniques such as gamma irradiation, ultraviolet (UV) sterilization, and light-emitting diode (LED) sterilization on seafood coatings.
Sapphire is an anisotropic material with excellent physical and chemical properties and is used as a substrate material in various fields such as LED (light emitting diode), power semiconductor, superconductor, sensor, and optical devices. Sapphire is processed into the final substrate through multi-wire saw, double-side lapping, heat treatment, diamond mechanical polishing, and chemical mechanical polishing. Among these, chemical mechanical polishing is the key process that determines the final surface quality of the substrate. Recent studies have reported that the material removal characteristics during chemical mechanical polishing changes according to the crystal orientations, however, detailed analysis of this phenomenon has not reported. In this work, we carried out chemical mechanical polishing of C(0001), R($1{\bar{1}}02$), and A($11{\bar{2}}0$) substrates with different sapphire crystal planes, and analyzed the effect of crystal orientation on the material removal characteristics and their correlations. We measured the material removal rate and frictional force to determine the material removal phenomenon, and performed nano-indentation to evaluate the material characteristics before and after the reaction. Our findings show that the material removal rate and frictional force depend on the crystal orientation, and the chemical reaction between the sapphire substrate and the slurry accelerates the material removal rate during chemical mechanical polishing.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.418-419
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2013
현재, 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO) 박막은 가시영역에서 전기적 특성 및 광학적 특성이 우수하기 때문에 평면 디스플레이(flat displays), 박막 트랜지스터(thin film transistors), 태양전지(solar cells) 등을 포함한 광소자에 투명전도성산화물(transparent conducting oxide, TCO) 전극으로 가장 일반적으로 사용되고 있다. 하지만, 이 물질은 밴드갭이 3.4 eV로 다소 작아 다양한 분야의 의료기기, 환경 보호에 응용 가능한 자외선 영역에서 상당히 많은 양의 광흡수가 발생하는 치명적인 문제점을 가지고 있다. 또한, 인듐(Indium)의 급속한 소비는 인듐의 매장량의 한계로 인해 가격을 상승시키는 주요한 원인으로 작용하고 있다. 한편, InGaN 기반의 자외선 발광다이오드 분야에서는 팔라듐(Pd) 기반의 반투명 전극과 은(Ag) 기반의 반사전극을 주로 사용하고 있지만, 낮은 투과도와 낮은 굴절률을 때문에 여전히 자외선 발광다이오드의 광추출 효율(extraction efficiency)에 문제점을 가지고 있다. 따라서 자외선 발광다이오드의 외부양자 효율(external quantum efficiency, EQE)을 높이기 위해 높은 투과도와 GaN와 유사한 굴절률을 가지는 p-형 오믹 전극을 개발해야 한다. 본 연구에서는 초박막의 ITO (16 nm)/Ag (7 nm)/ITO (16 nm) 다층 구조를 갖는 투명전도성 전극을 제작한 후, 열처리 온도에 따른 전기, 광학적 특성에 향상에 대해서 조사하였다. 사용된 산화물/금속/산화물 전극의 구조는 유기발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED), 태양전지 등에 많이 사용되는 안정적인 투명 전극을 자외선 LED 소자에 처음 적용하여, ITO의 전체 사용량은 줄이고, ITO 사이에 금속을 삽임함으로써 금속에 의한 전기적 특성 향상과 플라즈몬 효과에 의한 투과도를 높일 수 있는 장점을 가지고 있다. 실험 결과로는, $400^{\circ}C$에서 열처리한 ITO/Ag/ITO 다층 구조는 365 nm에서 84%의 광학적 특성과 9.644 omh/sq의 전기적 특성을 확인하였다. 실험 결과로부터 좀 더 최적화를 수행하면, ITO/Ag/ITO 다층 구조는 자외선 발광다이오드의 투명전도성 전극으로 사용될 수 있을 것이라 기대된다.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.38
no.5
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pp.381-388
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2014
Our aim was to simulate ocean waves in a small-size wave flume and observe the motion of a cylindrical floating body placed in an offshore environment. To precisely visualize the oscillation of the body, a set of light-emitting diode illuminators and high-speed charge-coupled device camera were installed in the flume. Spectral analysis was performed of the movement of the floating body. The wave generator and absorbers worked well to simulate stable regular waves. As the period of the oncoming waves changed, the movement of the floating body substantially differed when tethered to a tension-leg mooring cable. In particular, when connected to the tension-leg mooring cable, the natural frequency of the floating body suddenly appeared at 0.391 Hz as the wave period was increased.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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