As the feature size of Si-based semiconductor shrinks to nanometer scale, we are facing to the problems such as short channel effect and leakage current. One of the solutions to cope with those issues is to bring III-V compound semiconductors to the semiconductor structures, because III-V compound semiconductors have much higher carrier mobility than Si. However, introduction of III-V semiconductors to the current Si-based manufacturing process requires great challenge in the development of process integration, since they exhibit totally different physical and chemical properties from Si. For example, epitaxial growth, surface preparation and wet etching of III-V semiconductors have to be optimized for production. In addition, oxidation mechanisms of III-V semiconductors should be elucidated and re-growth of native oxide should be controlled. In this study, surface preparation methods of various III-V compound semiconductors such as GaAs, InAs, and GaSb are introduced in terms of i) how their surfaces are modified after different chemical treatments, ii) how they will be re-oxidized after chemical treatments, and iii) is there any effect of surface orientation on the surface preparation and re-growth of oxide. Surface termination and behaviors on those semiconductors were observed by MIR-FTIR, XPS, ellipsometer, and contact angle measurements. In addition, photoresist stripping process on III-V semiconductor is also studied, because there is a chance that a conventional photoresist stripping process can attack III-V semiconductor surfaces. Based on the Hansen theory various organic solvents such as 1-methyl-2-pyrrolydone, dimethyl sulfoxide, benzyl alcohol, and propylene carbonate, were selected to remove photoresists with and without ion implantation. Although SPM and DIO3 caused etching and/or surface roughening of III-V semiconductor surface, organic solvents could remove I-line photoresist without attack of III-V semiconductor surface. The behavior of photoresist removal depends on the solvent temperature and ion implantation dose.
현재까지 개발되어 온 고체산화물 연료전지는 전해질로 사용되는 산소이온전도성 산화물의 저온에서의 낮은 전도도로 인해 그 사용영역이 제한되어 왔으며, 기판재료가 연료가스 확산층으로 사용되어야 한다는 점 때문에 저온작동을 위한 박막화 역시 명확한 한계를 가지고 있다. 이러한 문제점은 고도의 평활도를 갖는 균일한 나노기공성 기판재를 도입함으로써 해결될 수 있으며, 본 연구에서는 나노기공성 기판에 비정질 금속박막을 증착/산화하는 방안을 제시한다. 초박막형 성공정으로서, 산화 후 산소이온전도성 산화물을 구성하는 합금 타겟을 장착한 DC-magnetron sputter를 사용하여 $20{\sim}200nm$의 기공크기를 갖는 나노기공성 양극산화 알루미나 기판에 비정질 금속합금막을 형성하여 산화/열처리 과정을 거쳐 초박막 산화물 전해질의 제조공정을 실현하였다. 얻어진 박막의 가스투과특성, 입자/입계의 관찰, 상전이에 따른 결정구조/미세구조변화를 관찰하여 초박막 증착 및 전해질의 나노구조제어에 필요한 제반 기본물성데이터를 확보하였다.
As the digital TV markets rapidly growing, many manufacturers introduce large size flat screen TV units. There are two different display types available to large size models which are plasma and TFT-LCD. Since both are constructed with thin large panels that are mostly fragile to even moderate mechanical shock inputs. Some large size panels are severely resonated by the acoustic sound generated TV which deteriorates video quality. Recognizing the potential problems of large displays, accurate measurement of the panels is to be an essential task for the reliable design. Measurement of mechanical properties of a thin large crystallized panel such as TFT-LCD display with traditional material testing equipments is challenging. Since TFT-LCDs are constructed with combination of brittle glass panels, polymer sheets, and liquid crystal, their properties are not only anisotropic but also usually non-linear. Accurate measurement of the properties often requires very expensive facilities. Especially when the size of the test sample is as large as 40-inch or wider, direct measurement cost is prohibitive. Even worse, machining of the large TFT-LCD to make a smaller size specimen that could be fit into a material tester is not possible because of liquid crystal leakage. A new method fer the measurement of elastic modulus of large TFT-LCD panel is presented in this article. The suggested method provides a simple, economic, and user-friendly way fer measuring the elastic modulus of large panels with considerable level of accuracy.
한정된 자원과 공간에서 효율을 증가시키기 위해 설비가 고도화와 대형화되는 추세이다. 이에 따라 공정 내에 처리 용량이 증가하여 배관에 흐르는 유체의 유량과 압력 또한 높아지고 있으며 사고의 위험성 또한 높아지고 있다. 특히 고압가스는 누출 가능성이 높으며 누출시 폭발이나 화재로 인한 큰 피해를 줄 수 있다. 이러한 이유로 고압가스배관에 대한 정량적 위험성 평가(Quantitative Risk Assessment) 연구가 활발히 이루어지고 있다. 하지만 정량적 위험성 분석시 지형지물 등으로 인한 차폐효과와 같이 사고영향을 감소시키는 요인에 대한 연구는 그다지 이루어지고 있지 않는 실정이다. 따라서 이 연구에서는 고압가스배관에서 발생할 수 있는 사고 유형과 그에 따른 피해를 계산하고 감소인자 적용에 따른 피해 감소효과를 분석하였다.
According to the National Fire Data System (NFDS), more than 5,000 vehicle fires have occurred every year for the last 10 years. Vehicle fires are primarily caused by mechanical (breaking system and engine), electrical (wiring and battery), and chemical (oil and fuel gas leakage) problems. The electrical factor has increased with the installation of driver convenience equipment. For example, today, the black box is widely used to provide video data recording of motor vehicle accidents. The black box consists of a front camera, rear camera, and wires. The black box wires are directly connected to the junction box or fuse box from the start battery that operates to provide normal on power supplying for engine stop. It is extremely dangerous when the wires short circuit due to insulation aging, mechanical and electrical stress, etc. In this study, the black box wiring fire risk have been analyzed and investigated when the steady state and abnormal operations, and under the following conditions: wiring arrangements with a high temperature condition, insulation aging, poor contact, and short circuits. The results showed that black box wiring short circuits had a higher fire risk than the other fire hazard elements. To prevent fire hazards caused by black box wiring, the black boxes must be installed by qualified service personnel. Do not modify the wiring, remove the fuse and secure the wiring using cable ties or insulation tape.
The purpose of this study is to estimate the channel water loss of agricultural water supply in the command areas belong to Yechon irrigation channel of Gyeongcheon reservoir located Mungyeong-si, which area experienced a severe drought in 2015. The channel water loss was estimated by comparison of the irrigation water requirements (IWR) and agricultural water supply of the field data from 2012 to 2015. Further analysis was conducted to define the conveyance loss estimated based on the leakage holes and illegal pumping spots investigated through the field survey, and the distribution loss obtained by subtracting conveyance loss from the channel water loss. The annual rainfall decreased gradually, but the contribution of effective rainfall, available rain water to crop, increased to IWR during the study period. These phenomena resulted in the increase of agricultural water supply, and hence made greater the channel water loss simultaneously. The average channel water losses estimated as 36.8 % with 7.1 % of the conveyance loss and 29.7 % of distribution loss respectively. The distribution loss seems to be related to total number of rainy days, and irrigation schedules, while the conveyance loss was caused by irrigation channel aging conditions and illegal intake problems. In order to achieve sustainable agricultural water resources, the channel water loss needs to be reduced through the restoration of aged irrigation facilities and effective water managements in the fields.
최근 정보보안을 전공하는 대학생과 보안 업무를 담당하는 내부자가 사이버범죄의 유혹에 넘어가 범죄에 가담하는 사건이 잇따라 발생함에 따라 컴퓨터 및 보안전문가들의 직업윤리의식 부재가 심각하다는 지적이 나오고 있다. 본 논문에서는 정보보안을 전공하는 대학생들을 대상으로 보안윤리에 대한 인식과 교육 실태를 조사하여 분석하고, 인성과 자질을 갖춘 인재양성을 위한 보안윤리 교육 방안을 고찰하였다. 정보화 사회 기반이 확대될수록 직업윤리가 더욱 중요해지고 있는 시점에서 정보보안을 전공하는 대학생들의 보안윤리에 대한 인식과 교육, 그리고 정보보안 전문가의 일탈행위에 대한 인식 등 윤리성과 직업의식이 미흡한 것으로 확인되었다. 이러한 문제를 해결하기 위한 방안으로 제안한 정보보안 전공 대학생들의 보안윤리를 제고하는 교육 방안을 통해 소명의식을 갖춘 보안전문가의 양성이 가능할 것으로 기대된다. 논문에서 제안한 보안윤리 교육체계에 따라 교육을 받은 그룹에서 보안윤리 의식이 현저하게 개선된 것으로 분석되었다.
The performance of an isolated high voltage full bridge converter is improved using a voltage doubler. In a conventional high voltage full bridge converter, the diode of the transformer secondary voltage undergoes a voltage spike due to the leakage inductance of the transformer and the resonance occurring with the parasitic capacitance of the diode. In addition, in the phase shift control, conduction loss largely increases from the freewheeling mode because of the circulating current. The efficiency of the converter is thus reduced. However, in the proposed converter, the high voltage dual converter consists of a voltage doubler because the circulating current of the converter is reduced to increase efficiency. On the other hand, in the proposed converter, an input current is distributed when using parallel input / serial output and the output voltage can be doubled. However, the voltages in the 2 serial DC links might be unbalanced due to line impedance, passive and active components impedance, and sensor error. Considering these problems, DC injection is performed due to the complementary operations of half bridge inverters as well as the disadvantage of the unbalance in the DC link. Therefore, the serial output of the converter needs to control the balance of the algorithm. In this paper, the performance of the conventional converter is improved and a balance control algorithm is proposed for the proposed converter. Also, the system of the 1.5[kW] PCS is verified through an experiment examining the operation and stability.
'개인정보보호법'은 2011년 3월에 제정되었고, 동년 9월부터 발효되어 시행되고 있다. 그러나, "개인정보보호법"이 시행되어 3년이 지난 현재에도 개인정보 침해에 대한 사건, 사고가 발생하고 있고, 여전히 개인정보의 수집과 도용 유출 판매 등 여러 가지 위험성을 내포하고 있다. 이는 공공도서관도 예외가 아니다. 그리하여 본 연구에서는 서울과 경기지역에 위치한 공공도서관의 개인정보보호 정책의 현황을 알아보았다. 또한 "개인정보보호법"이 현장에서 제대로 적용되는데 제도적인 제한점이나 문제점은 없는가를 조사하고 '개인정보' 보호 시 참고할 수 있는 개선방안을 제시하고자 한다. 제시된 해결방안은 다음과 관련된다: (1) "개인정보보호법" 업무 수행에 필요한 충분한 예산의 확보; (2) '개인정보'와 관련된 '전문 교육'의 강화; (3) "개인정보보호법" 업무 수행에 필요한 공공도서관의 공통된 세부 지침의 마련 등이다.
최근 국내에서는 쉴드 TBM (Tunnel Boring Machine)을 이용한 터널 굴착에 대한 관심이 크게 증가하고 있다. 쉴드 TBM 터널은 비배수 터널로써 세그먼트 이음부에서 누수가 발생할 경우에는 터널의 사용성 및 안정성에 문제가 될 수 있다. 본 연구에서는 첫째로 쉴드 TBM 터널의 세그먼트 시공 시 시공오차 및 세그먼트 과다변형에 의한 수팽창 지수재의 방수 성능 변화를 알아보았고, 두 번째로 지하수와 해수에 있을 수 있는 황산염과 염화물에 의한 수팽창 지수재의 내구성 저하를 알아보았다. 시험결과, 체결각 불합치가 $2^{\circ}$이상으로 시공 오차가 발생한 경우에는 수팽창 지수재의 차수 능력을 기대하기는 어려운 것으로 판단된다. 또한 수팽창 지수재가 황산마그네슘 용액에 장시간 노출될 경우에는 지수재의 내구 성능에 문제가 있을 수 있을 것으로 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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