Plasma nitrocarburising and post oxidation were performed on SM45C steel using a plasma nitriding unit. Nitrocarburising was carried out with various methane gas compositions with 4 torr gas pressure at $570^{\circ}C$ for 3 hours and post oxidation was carried out with 100% oxygen gas atmosphere with 4 torr at different temperatures for various times. It was found that the compound layer produced by plasma nitrocarburising consisted of predominantly ${\varepsilon}-Fe_{2-3}(N,C)$ and a small proportion of ${\gamma}-Fe_4(N,C)$. With increasing methane content in the gas mixture, ${\varepsilon}$ phase compound layer was favoured. In addition, when the methane content was further increased, cementite was observed in the compound layer. The very thin oxide layer on top of the compound layer was obtained by post oxidation. The formation of Oxide phase was initially started from the magnetite($Fe_3O_4$) and with increasing oxidation time, the oxide phase was increased. With increasing oxidation temperature, oxide phase was increased. However the oxide layer was split from the compound layer at high temperature. Corrosion resistance was slightly influenced by oxidation times and temperatures.
Lactobacillus crispatus (L. crispatus) ZJ001 is highly adhesive to epithelial cells and expresses S-layer proteins. In this study, S-S-layer layer genes were sequenced and expressed in E. coli to characterize the function of proteins with this particular strain. L. crispatus ZJ001 harbored two S-layer genes slpA and slpB, and only slpA gene was expressed in the bacterium, as revealed by RT-PCR and immunoassays. The mature SlpA showed 47% amino acid sequence identity to SlpB. The SlpA and SlpB of L. crispatus ZJ001 were highly homologous at the C-terminal region to other Lactobacillus S-layer proteins, but were substantially variable at N-terminal and middle regions. Electron microscopic analysis indicated that His-slpA expressed in E. coli was able to form a sheet-like structure similar to the natural S-layer, but His-slpB formed as disc-like structures. In the cell binding experiments, HeLa cells were able to bind to both recombinant His-slpA and His-slpB proteins to the extent similar to the natural S-layer. The cell binding domains remain mostly in the N-terminal regions in SlpA and SlpB, as shown by high binding of truncated peptides SlpA2-228 and SlpB2-249. Our results indicated that SlpA was active and high binding to HeLa cells, and that the slpA gene could be targeted to display foreign proteins on the bacterial surface of ZJ001 as a potential mucosal vaccine vector.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.345-346
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2008
We have studied an emission spectra of top-emssion organic light-emitting diodes(TEOLED) due to a change of cathode and organic layer thickness. Device structure is Al(100nm)/TPD(xnm)/$Alq_3$(ynm)/LiF(0.5nm)/cathode. And two different types of cathode were used; one is LiF(0.5nm)/Al(25nm) and the other is LiF(0.5nm)/Al(2nm)/Ag(30nm). While a thickness of hole-transport layer of TPD was varied from 35 to 65nm, an emissive layer thickness of $Alq_3$ was varied from 50 to 100nm for two devices. A ratio of those two layer was kept to be about 2:3. Al and Al/Ag double layer cathode devices show that the emission spectra were changed from 490nm to 560nm and from 490nm to 560nm, respectively, when the total organic layer increase. Full width at half maximum was changed from 67nm to 49nm and from 90nm to 35nm as the organic layer thickness increases. All devices show that view angle dependent emission spectra show a blue shift. Blue shift is strong when the organic layer thickness is more than 140nm. Devece with Al/Ag double layer cathode is more vivid.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.30
no.1
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pp.1-6
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2017
Tungsten carbide (WC) has been suggested as a new buffer layer for the GaN-on-Si technology. We have investigated and optimized the sputtering condition of WC layer on the Si-substrate. We confirmed the suppression of the Si melt-back phenomenon. In addition, surface energy of WC/Si layer was measured to confirm the possibility as a buffer layer for GaN growth. We found that the surface energy(${\gamma}=82.46mJ/cm^2$) of WC layer is very similar to that of sapphire substrate(${\gamma}=82.71mJ/cm^2$). We grow GaN layer on the WC buffer by using gas-source MBE, and confirm that it is available to grow a single crystalline GaN layer.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.13
no.6
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pp.1123-1127
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2009
This paper expands the scope of application of the thin film transistor (TFT) in which it is used as the switching element by making the amorphous silicon TFT with the non-volatile memory device,. It is the thing about the amorphous silicon non-volatile memory device which is suitable to an enlargement and in which this uses the additionally cheap substrate according to the amorphous silicon use. As to, the amorphous silicon TFT non-volatile memory device is comprised of the glass substrates and the gate, which evaporates on the glass substrates and in which it patterns the first insulation layer, in which it charges the gate the floating gate which evaporates on the first insulation layer and in which it patterns and the second insulation layer in which it charges the floating gate, and the active layer, in which it evaporates the amorphous silicon on the second insulation layer the source / drain layer which evaporates the n+ amorphous silicon on the active layer and in which it patterns and the source / drain layer electrode in which it evaporates on the source / drain layer.
The thermal barrier coating (TBC) for inner wall of liquid-fuel rocket combustor consists of NiCrAlY as bonding layer and $ZrO_2$ as a top layer. In most case, the plasma spray coating is used for TBC process and this process has inherent possibility of cracking due to large difference in thermal expansion coefficients among bonding layer, top layer and metal substrate. In this paper, we suggest crack-free TBC process by using a precise electrodeposition technique. Electrodeposited Ni-P/Cr double layer has similar thermal expansion coefficient to the Cu alloy substrate resulting in superior thermal barrier performance and high temperature oxidation resistance. We studied the effects of phosphorous concentrations (2.12 wt%, 6.97 wt%, and 10.53 wt%) on the annealing behavior ($750^{\circ}C$) of Ni-P samples and Cr double layered electrodeposits. Annealing temperature was simulated by combustion test condition. Also, we conducted SEM/EDS and XRD analysis for Ni-P/Cr samples. The results showed that the band layers between Ni-P and Cr are Ni and Cr, and has no formed with heat treatment. These band layers were solid solution of Cr and Ni which is formed by interdiffusion of both alloy elements. In addition, the P was not found in it. The thickness of band layer was increased with increasing annealing time. We expected that the band layer can improve the adhesion between Cr and Ni-P.
Shield tunnels are widely used throughout the world. However, their seismic performance has not been well studied. This paper focuses on the seismic response of a large scale model tunnel in compacted sand. A 9.3 m long, 3.7 m wide and 2.5 m high rigid box was filled with sand so as to simulate the sandy soil surrounding the tunnel. The setup was excited on a large-scale shake table. The model tunnel used was a 1:8 scaled model with a cross-sectional diameter of 900 mm. The effective shock absorbing layer (SAL) on the seismic response of the model tunnel was also investigated. The thickness of the tunnel lining is 60 mm. The earthquake motion recorded from the Kobe earthquake waves was used. The ground motions were scaled to have the same peak accelerations. A total of three peak accelerations were considered (i.e., 0.1 g, 0.2 g and 0.4 g). During the tests, the strain, acceleration and soil pressure on the surface of the tunnel were measured. In order to investigate the effect of shock absorbing layer on the dynamic response of the sand- tunnel system, two tunnel models were set up, one with and one without the shock absorbing layer of foam board were used. The results shows the longitudinal direction acceleration of the model tunnel with a shock absorbing layer were lower than those of model tunnel without the shock absorbing layer, Which indicates that the shock absorbing layer has a beneficial effect on the acceleration reduction. In addition, the shock absorbing layer has influence on the hoop strain and earth pressure of the model tunnel, this the effect of shock absorbing layer to the model tunnel will be discussed in the paper.
Text-Independent speaker verification needs to extract text-independent speaker embedding to improve generalization performance. However, deep neural networks that depend on training data have the potential to overfit text information instead of learning the speaker information when repeatedly learning from the identical time series. In this paper, to prevent the overfitting, we propose a segment unit shuffling layer that divides and rearranges the input layer or a hidden layer along the time axis, thus mixes the time series information. Since the segment unit shuffling layer can be applied not only to the input layer but also to the hidden layers, it can be used as generalization technique in the hidden layer, which is known to be effective compared to the generalization technique in the input layer, and can be applied simultaneously with data augmentation. In addition, the degree of distortion can be adjusted by adjusting the unit size of the segment. We observe that the performance of text-independent speaker verification is improved compared to the baseline when the proposed segment unit shuffling layer is applied.
Journal of the Computational Structural Engineering Institute of Korea
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v.37
no.1
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pp.41-47
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2024
This paper utilizes computational asymptotic analysis to compute the boundary layer solution for composite beams and validates the findings through a comparison with ANSYS results. The boundary layer solution, presented as a sum of the interior solution and pure boundary layer effects, necessitates a mathematically rigorous formalization for both interior and boundary layer aspects. Computational asymptotic analysis emerges as a robust technique for addressing such problems. However, the challenge lies in connecting the boundary layer and interior solutions. In this study, we systematically separate the principles of virtual work and the principles of Saint-Venant to tackle internal and boundary layer issues. The boundary layer solution is articulated by calculating the Papkovich-Fadle eigenfunctions, representing them as linear combinations of real and imaginary vectors. To address warping functions in the interior solutions, we employed a least squares method. The computed solutions exhibit excellent agreement with 2D finite element analysis results, both quantitatively and qualitatively. This validates the effectiveness and accuracy of the proposed approach in capturing the behavior of composite beams.
To fabricate all-solution-processed flexible Organic Light-Emitting Diodes (OLEDs), we demonstrated a bonding technology using a polyethyleneimine (PEI) as an adhesion layer between the two substrates. As the adhesion layer requires not only a high adhesion strength, but also a high current density, we have tried to find out the optimum condition which meets the two requirements at the same time by changing experimental factors such as PEI concentration, thickness of the layer and by mixing some additives into the PEI. The adhesion strength and the electrical current density were investigated by tensile tests and electron only device (EOD) experiments, respectively. The results showed that at higher PEI concentration the adhesion strength showed higher value, but the electrical current through the PEI layer decreased rapidly due to the increased PEI layer thickness. We added Sorbitol and PolyEthyleneGlycohol (PEG) into the 0.1 wt% PEI solution to enhance the adhesion and electrical properties. With the addition of the 0.5 wt% PEG into the 0.1 wt% PEI solution, the device showed an electrical current density of 900 mA/cm2 and a good adhesion characteristic also. These data demonstrated the possibility of fabricating all-solution-processed OLEDs using two-substrate bonding technology with the PEI layer as an adhesion layer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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