• 한국광학회지
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• 제12권6호
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• pp.496-502
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• 2001

Scraper 출력경을 이용하는 불안전 공진기형 Nd:YAG 레이저 발진기에서 고리 두께 0.145mm인 원고리형 레이저광을 얻었으며, 초점거리에 위치한 베셀렌즈를 통과시켜 근사 무회절 광을 얻었다. 초점거리 1 m의 렌즈를 이용하여 얻은 근사 무회절 광에 대해서 렌즈로부터 거리 z의 변화에 따른 출력세기를 측정하여 이론과 비교 ·분석하였다. 또한 초점거리 5m의 렌즈를 이용한 경우, 거리 33m의 지점에서도 근사 무회절광이 지속됨을 확인하였다

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.312-315
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• 2000

In this study, we have investigated the holography recording and reconstruction of the polarization state in chalcogenide $A_{s40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}4 thin films using a He-Ne laser light(633nm). The thickness of thin films is a 8677${\AA}$ and 9093${\AA}$. A He-Ne laser used to probe and record of the grating. Also the polarization state of object beam modulated with a $\lambda/4$ wave plate. The polarization state of the +lst order diffracted beam generated by readout of the grating with a linearly polarized reference beam. It was the same-handed polarization state as the polarization state of the recording beam. The diffraction efficiency of circularly polarized recording represented higher than other polarization state.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.33-35
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• 2000

Na-K-Nb system showed a number of ferroelectric phases in bulk ceramic. [001]-axis oriented single-phase Na$_{0.5}$K$_{0.5}$NbO$_3$ (NKN) thin film have been grown on LaA1O$_3$ substrates using KrF excimer laser. X-ray diffraction $\theta$-2$\theta$ scan, rocking curves, and $\phi$ scan data evidence highly c-axis oriented along the [001] direction.ion.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.820-823
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• 2000

In this study, we have investigated the holography recording and reconstruction of the polarization state in chalcogenide $As_{40}$$Ge_{10}$$Se_{15}$$S_{35}$ thin films using a He-Ne laser light(633nm). The thickness of thin films is a 8677${\AA}$ and 9093${\AA}$. A He-Ne laser used to probe and record of the grating. Also the, polarization state of object beam modulated with a $\lambda/4$ wave plate. The polarization state of the +1st order diffracted beam generated by readout of the grating with a linearly polarized reference beam. It was the same-handed polarization state as the polarization state of the recording beam. The diffraction efficiency of circularly polarized recording represented higher than other polarization state.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권9호
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• pp.791-795
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• 2000

Amorphous chalcogenide glasses have a wide variety of light-induced effects. In this study, we have investigated the diffraction efficiency of chalcogenide. As$_{40}$ Ge$_{10}$ Se$_{15}$ S$_{35}$ thin films by the various applied electric fields. The holographic grating in these thin films has been formed using a linearly polarized He-Ne laser light (633nm). The diffraction efficiency was investigated the two method of applied electric field in the perpendicular and parallel to the direction of inducing beam. We obtained that properties of diffraction efficiency in the two methods of applied electric field. The result is shown that the diffraction efficiency of parallel electric field is 285% increase, η=1.1$\times$10$^{-3}$ and the diffraction efficiency of perpendicular electric field is 80% decrease, η=9.83$\times$10$^{-5}$ . Also, we have investigated the anisotropy property on chalcogenide thin films by the electric field effects.

• 한국광학회지
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• 제10권5호
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• pp.391-395
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• 1999

4% 물의 MgO가 도핑된 광굴절 $LiNbO_3$ 결정에 기록된 광굴절 격자의 회절 효율과 응답시간을 측정하였다. 이 실험에는 고출력 펄스 Nd:YAG 레이저(Q-switch mode,$\lambda$=532nm)와 연속 발진 아르곤 이온 레이저($\lambda$=514.5nm)가 사용되었다. 두 종류의 레이저 광속에 대한 실험에서 광학계의 배열을 동일하게 하고 2광파 혼합 조건에서 레이저 광속의 세기를 1.6~100W/$\textrm{cm}^2$까지 변화시켜가며 최대 회절 효율과 기록 및 소거시의 응답시간을 측정하였다. 두 실험에서 얻은 결과를 비교하고 분석 하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권1호
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• pp.73-76
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• 2005

To widen the band gap of ZnO, we have investigated $Zn_{1-x}Mg_xO(ZMO)$ thin films prepared by pulsed laser deposition on c-plane sapphire substrates at $500^{\circ}C$. From X-ray diffraction patterns, ZMO films show only the (0002) and (0004) diffraction peaks. It means that the flints have the wurtzite structure. Segregation of ZnO and MgO phases is found in the films with x=0.59. All the samples are highly transparent in the visible region and have a sharp absorption edge in the UV region. The shift of absorption edge to higher energy is observed in the films with higher Mg composition. The excitonic nature of the films is clearly appeared in the spectra for all alloy compositions. The optical band-gap ($E_g$) of ZMO films is obtained from the ${\alpha}^2$ vs Photon energy plot assuming ${\alpha}^2\;\propto$ (hv - $E_g$), where u is the absorption coefficient and hv is the photon energy. The value of $E_g$ increases up to 3.72 eV for the films with x=0.35. It is important to adjust Mg composition control for controlling the band-gap of ZMO films.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.256-256
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• 2008

We report epitaxial growth of ZnO thin films on (100) single-crystalline $LaAlO_3$ (LAO) substrates using pulsed laser deposition (PLD) at different substrate temperatures (400~$800^{\circ}C$). The structural and electrical properties of the films have been investigated by means of X-ray diffraction (XRD), atomic force microscope (AFM), transmission line method (TLM). The poly-crystalline of $\alpha$- and c-axis oriented ZnO film was formed at lower deposition temperature ($T_s$) of $400^{\circ}C$. At higher $T_s$, however, the films exhibit single-crystalline of $\alpha$-axis orientation represented by ZnO[$\bar{1}11$ || LAO <001>. The electrical properties of ZnO thin films depend upon their crystalline orientation, showing lower electrical resistivity values for $\alpha$-axis oriented ZnO films.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권7호
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• pp.36-42
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• 2000

광 폴리머(photopolymer)에 의한 편광 회전과 제작된 격자에서 나타나는 회절효율의 불안정을 분석하였으며, 특히 반사형 광 폴리머의 내부 복굴절(birefringence)에 의해 회절효율의 변화가 발생함을 밝혔다. 광 폴리머를 지지하고 있는 Mylar 기판(base sheet)은 고분자 물질로, 가공 중에 발생한 연신에 의해 복굴절이 발생하여 밤의 편광 상태를 회전시킴으로써 격자의 회절효율을 불안정하게 만드는 원인이 된다. Mylar 기판을 통과하는 빔의 편광 상태를 감광성이 없는 He-Ne 레이저를 사용하여 유리판 위에 접촉된 상태에서 방향을 조절하여 광원의 편광 상태와 평행하게 고정시킬 수 있었으며, 이로 인해 매우 안정적인 회절효율을 갖는 회절격자를 제작할 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제22권4호
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• pp.147-156
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• 2012

최근 들어 박막의 원자층 두께를 정밀하게 제어하는 여러 가지 박막 성장 방법에 관한 관심이 높다. 그 중에서 원자층 두께를 조절할 수 있는 PLD 방법은 매우 폭넓은 관심을 받고 있다. 우리는 기존의 PLD 방법과 Reflection high energy electron diffraction(RHEED)을 이용하여 원자층 제어 PLD 방법을 구현하였다. 이러한 방법을 이용하여 산화물에서의 원자층 두께를 정밀하게 제어하는 방법에 관한 실험을 수행하였다. 이와 같은 실험방법이 가지는 다양한 조건을 제어하여 최소한의 결함을 가지고 결정의 화학적 조성에 근접하는 고품질의 박막을 구축하여 이를 바탕으로 다양한 실험을 수행하였다. 본 논문에서는 최근 이러한 박막을 이용한 우리의 실험결과와 타 그룹의 실험 동향을 정리하여 보았다.