• Biomolecules & Therapeutics
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• 제15권1호
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• pp.27-33
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• 2007

The psychopharmacological profile of ginsenosides has not yet been confirmed systematically although various neuropharmacological activities associated with them have been investigated. In the present study, the psychological activities of Rb1 were investigated to evaluate whether it can be used in treatment or prevention of psychological disorders. Rb1 was intravenously injected at doses of O.2,2,5 and 10 mg/kg. The effects of Rb1 on the $Cl^-$ ion influx were investigated using IMR-32 human neuroblastoma cells. Moreover, locomotor activity, forced swimming activity, activity on rotating rod and activity in elevated plus-maze were tested in mice. Rb1 increased the $Cl^-$ influx into the intracell region in a dose-dependent manner. Rb1 did not cause change in behavior in total open field when locomotor activity was tested, however it increased activities, especially, such as rearing frequency in center area. Administration of Rb1 at 0.2 mg/kg significantly reduced activities on rotating rod however administration at high dosages had no effect on them. Rb1 administration decreased animal immobile time in a water chamber in a dose dependent manner, and increased the strong mobile time of animals. In conclusion, the present results demonstrate that Rb1 contributes to the psychopharmacological effects of ginseng and may be used in treatment or prevention of psychological disorders such as anxiety or depression.

• 한국진공학회지
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• 제20권5호
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• pp.322-326
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• 2011

상부 전극에 RF power 가 직접 인가되는 capacitively coupled plasma source를 이용한 oxide layer etching 공정은 현재 반도체 제조 공정에서 매우 유용하게 사용되고 있는 방식이다. 그러나 디바이스의 사이즈가 점점 작아지면서 공정을 진행하기 위한 RF power도 커지고, plasma ignition 되는 electrode 사이의 간격도 점점 좁아지는 기술적 변화가 이루어지고 있다. 이러한 H/W의 변화에 따라 예상치 못한 문제들로 공정을 적용하는데 많은 문제점이 발생하고 있는데, 공정 진행 시에 plasma의 영향으로 인한 electrode의 온도 변화도 그 중 하나이다. 이러한 온도 변화로 인해 wafer to wafer의 공정 진행 결과가 서로 다르게 나타나게 하는 문제가 야기되고 있다. 아래의 내용에서는 상부 electrode의 온도 변화에 따른 etch 특성을 연구하고, 이를 개선할 수 있는 방법에 대해 논하고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.307-307
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• 2013

초고집적 회로에 적용되는 반도체 소자의critical dimension (CD)이 수 nano 사이즈로 줄어들고 있기 때문에, 다양한 물질의 식각을 할 때, 건식식각의 중요성이 더 강조되고 있다. 특히 $SiO_2$와 같은 유전체 물질을 식각할 때, plasma process induced damages (P2IDs)가 관찰되어 왔고, 이러한 P2IDs를 줄이기 위해, pulsed-time modulation plasma가 광범위하게 연구되어 왔다. Pulsed plasma는 정기적으로 radio frequency (RF) power on과 off를 반복하여 rf power가 off된 동안, 평균전자 온도를 낮춤으로써, 웨이퍼로 입사되는 전하 축적을 효과적으로 줄일 수 있다. 또한 fluorocarbon plasmas를 사용하여 $SiO_2$를 식각하기 위해 Dual-Frequency Capacitive coupled plasma (DF-CCP)도 널리 연구되어 왔는데, 이것은 기존의 방법과는 다르게 plasma 밀도와 ion bombardment energy를 독립적으로 조절 가능하다는 장점이 있어서 미세 패턴을 식각할 때 효과적이다. 본 연구에서는 Source power에는 60 MHz pulsed radio frequency (RF)를, bias power에는 2 MHz continuous wave (CW) rf power가 사용된 system에서 Ar/$C_4$ F8/$O_2$ 가스 조합으로, amorphous carbon layer (ACL)가 hard mask로 사용된 $SiO_2$를 식각했다. 그리고 source pulse의 duty ratio와 pulse frequency의 효과에 따른 $SiO_2$의 식각특성을 연구하였다. 그 결과, duty ratio의 감소에 따라 $SiO_2$, ACL의 etch rate이 감소했지만, $SiO_2$/ACL의 etch selectivity는 증가하였다. 반면에 pulse frequency의 변화에 따른 두 물질의 etch selectivity는 크게 변화가 없었다. 그 이유는 pulse 조건인 duty ratio의 감소가 전자 온도 및 전자 에너지를 낮춰 $C_2F8$가스의 분해를 감소시켰으며, 이로 인해 식각된 $SiO_2$의 surface와 sidewall에 fluorocarbon polymer의 형성이 증가하였기 때문이다. 또한 duty ratio의 감소에 따라 etch selectivity뿐만 아니라 etch profile까지 향상되는 것을 확인할 수 있었다.

• 한국대기환경학회지
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• 제17권2호
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• pp.119-131
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• 2001

A total of 328 ambient PM-10 samples was collected by a PM-10 high volume air sampler during the periods of February 1997 to February 1999 from Kyung Hee University at Suwon Campus. The samples were analyzed for their bulk chemical compositions(Cu, Fe, Pb, Zn, Al, $Na^{+}$, $NH_{4}^{+}$, $K^{+}$, $Ca^{2+]$, $Mg^{2+}$, $Cl^{-}$, $NO_{3}^{-}$, and $SO_{4}^{2-}$ by both an atomic absorption spectrophotometer and an ion chromatograph. The purpose of this study was t develop a receptor methodology for quantitative assessment of PM-10 sources. The data obtained from this study were ex-tensively examined using the target transformation factor analysis(TTFA) and the chemical mass balance (CMB). When TTFA was initially applied seasonal basis. five sources(such as automobile-related, sulfate-related, incine-ration, soil and combustion-related) were identified both during winter and fall. Since the total number and the type of sources were resolved by TTFA for the four seasons, CMB was employed to cross-check the results of TTEA. The total of six source categories identified by TTEA was intensively investigated on the basis of source profiles acquired from various source libraries established both in Korea and abroad. The results of this study showed the applicability of two popular receptor models as a new methdology for quantitative assessment PM-10 sources in Korea. Seasonally segmented data sets with the combined application of TTFA and CMB yielded a physically reasonable source apportionment result and provided a mean to increase the number of potential sources. Furthermore, this study suggested the possibility of the CMB application to ambi-ent data from Korea after identifying potential sources through traditional factor analysis.

• The Korean Journal of Physiology and Pharmacology
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• 제21권3호
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• pp.353-360
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• 2017

Several human diseases have been associated with mitochondrial voltage-dependent anion channel-1 (VDAC1) due to its role in calcium ion transportation and apoptosis. Recent studies suggest that VDAC1 may interact with endothelium-dependent nitric oxide synthase (eNOS). Decreased VDAC1 expression may limit the physical interaction between VDAC1 and eNOS and thus impair nitric oxide production, leading to cardiovascular diseases, including pulmonary arterial hypertension (PAH). In this report, we conducted meta-analysis of genome-wide expression data to identify VDAC1 influenced genes implicated in PAH pathobiology. First, we identified the genes differentially expressed between wild-type and Vdac1 knockout mouse embryonic fibroblasts in hypoxic conditions. These genes were deemed to be influenced by VDAC1 deficiency. Gene ontology analysis indicates that the VDAC1 influenced genes are significantly associated with PAH pathobiology. Second, a molecular signature derived from the VDAC1 influenced genes was developed. We suggest that, VDAC1 has a protective role in PAH and the gene expression signature of VDAC1 influenced genes can be used to i) predict severity of pulmonary hypertension secondary to pulmonary diseases, ii) differentiate idiopathic pulmonary artery hypertension (IPAH) patients from controls, and iii) differentiate IPAH from connective tissue disease associated PAH.

• 대한환경공학회지
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• 제22권12호
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• pp.2227-2238
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• 2000

수중 부유입자의 효과적인 제거 방안을 모색하고자 $CaCO_3$로 구성된 부유물의 계면화학적 특성을 고찰하였다. pH에 따른 전기영동도 측정에서는 수중 $OH^-$의 작용으로 pH가 상승함에 따라 electrokinetic potential은 음의 방향으로 변환하는 것으로 나타났다. 계면활성제는 부유물의 안정성에 영향을 끼치는 바, 계면활성제의 농도 및 전하에 따라 영향을 미치는 양상이 다르게 나타났다. 무기응집제의 경우에 있어서도 그 전하가 및 농도에 따라 부유물의 계면화학적 거동이 달라졌으며 이는 DLVO 이론에 의거하여 작성된 potential energy의 변화추이와 관련하여 이론적으로 해석될 수 있었다. Non-specific adsorption은 전기이중층의 압축을 초래하여 electrokinetic potential의 절대값 감소를 야기시켰으며 specific adsorption은 부유입자의 IEP 및 PZC가 상호 반대방향으로 이동하는 결과를 나타내었다.

• 한국자기학회지
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• 제11권4호
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• pp.163-167
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• 2001

DC 마그네트론 스퍼터링법으로 증착된 700 $\AA$의 NiFe 박막을 박막 증착시 형성시킨 자화용이축에 수직한 자기장을 인가하여 열처리한 후 일축 이방성 자기장의 회전을 조사하였다. NiFe 박막은 열처리온도 160 $^{\circ}C$에서 자화용이축과 자화곤란축을 구분할 수 없는 등방적인 상태가 되었고, 열처리온도가 증가함에 따라 다시 일축 이방성을 갖는 상태가 되었다. 열처리 온도가 400 $^{\circ}C$ 이상인 경우에 급격한 보자력의 증가를 보였다. 열처리 온도가 400 $^{\circ}C$인 경우에 XRD 분석과 AES depth profile은 NiFe 박막 내에서 (111) 방향으로 결정성장이 활발히 일어나며 인접한 전극 Au와 상호화산 현상도 광범위하게 일어남을 보여주었다.

• 콘크리트학회논문집
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• 제14권6호
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• pp.883-891
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• 2002

염해 환경에 노출된 철근 콘크리트 구조물의 내구수명 산정은 일반적으로 철근의 위치까지 염소이온이 확산하여 임계농도에 도달하는데 걸리는 시간으로 추정해 오고 있다. 염소이온의 확산해석 방법은 많은 연구들이 콘크리트만을 고려한 염소이온 확산해석을 수행하여 염소이온의 분포를 예측하곤 철근 깊이에서의 염소이온 농도가 임계농도에 도달하는 시간을 내구수명 예측에 사용하는 방법을 제시하고 있다. 콘크리트에서의 염소이온의 확산 해석에서 콘크리트 내의 철근을 고려하지 않은 염소이온 확산해석은 실제 철근의 염소이온 확산 계수가 거의 '0'인 점을 고려하면 실제 염소이온의 확산 거동을 제대로 반영하지 못한 것이다. 따라서, 본 연구는 철근의 영향을 고려한 염소이온 확산 해석을 통하여 철근이 염소이온 확산 거동에 미치는 영향을 규명하고 합리적인 철근 부식 시작 시간을 예측하고자 하였다. 이를 위하여 본 연구에서는, 또한 시멘트 성분과 배합 특성에 영향을 받는 염소이온의 구속효과를 고려하여 확산해석을 수행하였으며, 염소이온 확산 해석의 주요 변수는 실제 구조물에서 염소이온의 확산해석에 영향을 미칠 것으로 예상되는 철근의 직경, 철근 덮개 크기, 시멘트 종류 그리고 배합 등의 다양한 변수를 고려하였으며 철근을 고려하지 않은 경우와 비교 분석하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1512-1514
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• 2001

In this work, PZT thin films were etched as a function of $Cl_2$/Ar and additive $CF_4$ into $Cl_2$(80%)/Ar(20%). The etch rates of PZT films were 1600 $\AA$/min at $Cl_2$(80%)/Ar(20%) gas mixing ratio and 1973 $\AA$/min at 30% additive $CF_4$ into $Cl_2$(80%)/Ar(20%). Therefore the etch rate of PZT in $CF_4/Cl_2/Ar$ plasma is faster than in $Cl_2$/Ar. From XPS and SIMS analysis, metal halides and C-O, FCI and $CClF_2$ were detected. The etching of PZT films in Cl-based plasma is primarily chemically assisted ion etching and the remove of nonvolatile etch byproducts is the dominant step. Consequently, we suggest that the increase of Cl radicals and the volatile oxy-compound such as $CO_y$ are made by adding $CF_4$ into $Cl_2$/Ar plasma. Therefore, the etch rate of PZT in $CF_4/Cl_2/Ar$ plasma is faster than in $Cl_2$/Ar. The etched profile of PZT films was obtained above 70$^{\circ}$ by the SEM micrograph.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.93-98
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• 2001

YMnO$_3$ films are excellent gate dielectric materials of ferroelectric random access memories (FRAMs) with MFSFET (metal -ferroelectric-semiconductor field effect transistor) structure because YMnO$_3$ films can be deposited directly on Si substrate and have a relatively low permittivity. Although the patterning of YMnO$_3$ thin films is the requisite for the fabrication of FRAMs, the etch mechanism of YMnO$_3$ thin films has not been reported. In this study, YMnO$_3$thin films were etched with Cl$_2$/Ar gas chemistries in inductively coupled plasma (ICP). The maximum etch rate of YMnO$_3$ film is 285$\AA$/min under Cl$_2$/(Cl$_2$+Ar) of 1.0, RF power of 600 W, dc-bias voltage of -200V, chamber pressure of 15 mTorr and substrate temperature of $25^{\circ}C$. The selectivities of YMnO$_3$ over CeO$_2$ and $Y_2$O$_3$ are 2.85, 1.72, respectively. The selectivities of YMnO$_3$ over PR and Pt are quite low. Chemical reaction in surface of the etched YMnO$_3$ thin films was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) surface of the selected YMnO$_3$ thin films was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and secondary ion mass spectrometry (SIMS). The etch profile was also investigated by scaning electron microscopy(SEM)