• 제목/요약/키워드: input impedance matching

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65 nm CMOS 공정을 이용한 77 GHz LNA 설계 (A Design of 77 GHz LNA Using 65 nm CMOS Process)

  • 김준영;김성균;;김병성
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제24권9호
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    • pp.915-921
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    • 2013
  • 본 논문에서는 65 nm RF CMOS 공정을 이용한 차량 레이더용 77 GHz 저 잡음 증폭기의 설계 방법론 및 측정 결과를 제시한다. 설계한 LNA는 3단 공통소스 증폭단 구조이며, 전송선을 사용하여 입출력 임피던스 정합을 구현하였다. 3차원 전자기 시뮬레이션 시간을 단축하기 위해 전송선 EM 라이브러리를 사전에 구축하여 정합회로를 설계하였으며, 측정을 통해 제안 방법론의 정확성을 확인하였다. 제작한 저 잡음 증폭기의 최대 이득은 77 GHz에서 10 dB, 입출력 반사 손실은 -10 dB 이하이다.

Maximum Power Recovery of Regenerative Braking in Electric Vehicles Based on Switched Reluctance Drive

  • Namazi, Mohammad Masoud;Saghaiannejad, Seyed Morteza;Rashidi, Amir;Ahn, Jin-Woo
    • Journal of Electrical Engineering and Technology
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    • 제13권2호
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    • pp.800-811
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    • 2018
  • This paper presents a regenerative braking control scheme for Switched Reluctance Machine (SRM) drive in Electric Vehicles (EVs). The main purpose is to maximize the recovered energy during battery charging by taking into account the nonlinear physical characteristics of the Switched Reluctance Machine. The proposed regenerative braking method employs the back-EMF in the generation process as a complicated position-dependent voltage source. The proposed maximum power recovery (MPR) operation of the regenerative braking is first based on the maximization of the extracted power from the machine and then the maximization of the power transferred to the battery. The maximum power extraction (MPE) from SRM is based on maximizing the energy conversion ratio by the calculation of the optimum PWM switching duty cycle, turn-on, and turn-off angles. By using the impedance matching theorem that allows the maximum power transfer (MPT) of the MPE, the proposed MPR is achieved. The parametric averaged value modeling of the machine phase currents in the chopping control mode is used for MPR realization. By following this model, a nonlinear equivalent input resistance is derived for the battery internal resistance matching. The effectiveness of the proposed regenerative braking method is demonstrated through simulation results and experimental implementation.

무선 통신을 위한 Quad-band RF CMOS 전력증폭기 (Quad-Band RF CMOS Power Amplifier for Wireless Communications)

  • 이미림;양준혁;박창근
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제23권7호
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    • pp.807-815
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    • 2019
  • 본 논문에서는 RF CMOS 180-nm 공정을 이용하여 무선 통신 기기에서 quad-band를 지원하기 위한 전력 증폭기를 설계하였다. 제안한 전력증폭기는 low-band인 0.9,1.8,2.4 GHz 와 high-band인 5 GHz 로 구성되어있으며, 각각 입력 정합회로에서는 스위치를 사용하지 않는 구조를 제안하였다. 그리고 최대 선형 전력 확보를 위해 출력 정합회로는 각 주파수 대역에서의 전력 정합지점으로 임피던스 변환을 진행하였다. 제안한 전력증폭기는 무선 통신 변조 신호를 사용하여 검증하였다. Long-term evolution(LTE) 10 MHz 변조 신호를 이용하여 0.9 GHz 및 1.8 GHz 를 측정하였으며, 이때 출력 전력은 각각 23.55 dBm 및 24.23 dBm으로 측정 되었고, 20 MHz 변조 신호를 사용한 경우, 1.8 GHz에서 출력 전력 22.24 dBm 이 측정되었다. Wireless local area network(WLAN) 802.11n 변조 신호를 이용하여 2.4 GHz 및 5.0 GHz 대역을 측정하였으며, 출력 전력은 20.58 dBm 및 17.7 dBm으로 확인되었다.

AC Modeling of the ggNMOS ESD Protection Device

  • Choi, Jin-Young
    • ETRI Journal
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    • 제27권5호
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    • pp.628-634
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    • 2005
  • From AC analysis results utilizing a 2-dimensional device simulator, we extracted an AC-equivalent circuit of a grounded-gate NMOS (ggNMOS) electrostatic discharge (ESD) protection device. The extracted equivalent circuit is utilized to analyze the effects of the parasitics in a ggNMOS protection device on the characteristics of a low noise amplifier (LNA). We have shown that the effects of the parasitics can appear exaggerated for an impedance matching aspect and that the noise contribution of the parasitic resistances cannot be counted if the ggNMOS protection device is modeled by a single capacitor, as in prior publications. We have confirmed that the major changes in the characteristics of an LNA when connecting an NMOS protection device at the input are reduction of the power gain and degradation of the noise performance. We have also shown that the performance degradation worsens as the substrate resistance is reduced, which could not be detected if a single capacitor model is used.

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단락핀을 이용한 이중대역 마이크로스트립 H형 패치 안테나 설계 (Design of Dual Band Microstrip H-shaped Patch Antenna using Shorting Pin)

  • 장세욱;고재형;김형석
    • 전기학회논문지
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    • 제57권10호
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    • pp.1835-1840
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    • 2008
  • In this paper, a dual band H-shaped microstrip patch antenna is designed for RFID application. Using shorting pin and H shaped for dual resonators and control dual frequency independently. The antenna shows a good performance at the frequency, 912MHz and 2.45GHz for the radiation characteristic and input impedance matching, as well. The reflection is lower than -10dB and a good directivity higher than 3dB is achieved for both frequency.

RFID에 적용 가능한 433MHz, 2.45GHz 이중대역 안테나 (Dual band antenna for RFID application of 433MHz and 2.45GHz)

  • 장세욱;고재형;최진규;김형석
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2008년도 Techno-Fair 및 합동춘계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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    • pp.157-158
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    • 2008
  • In this paper, a dual band microstrip patch Antenna is designed for RFID Application. The antenna shows a good performance at the frequencys, 433MHz and 2.45GHz for the radiation characteristics and input impedance matching as well. The reflection factor is lower than 15dB and a good directivity higher than 3dB is achieved for both frequency.

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부하가 있는 전송 선로의 입력 반사 게수의 스미스 차트 상에서의 쾌적 (On the Loci of the Input Reflection Coefficient of a Loaded Transmission Line on the Smith Chart)

  • 은창수
    • 한국통신학회논문지
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    • 제28권4A호
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    • pp.232-237
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    • 2003
  • 이 논문에서는 부하가 걸려 있는 전송 선로의 길이가 변화할 경우 입력반사 계수가 스미스차트 상에서 그리는 쾌적의 방정식을 유도한다. 결과에 따르면, 전송 선로의 특성 임피던스가 정규화 임피던스와 다를 경우 쾌적은 원을 그리게 되며, 그 원의 중심과 반지름은 부하의 임피던스와 전송 선로의 특성 임피던스에 의해 결정된다. 이 결과는 마이크로스트립 선로를 사용하여 정합 회롤를 설계할 때 선로의 길이와 너비를 조정할 필요가 있을 경우 유용하게 사용될 수 있다.

Dual-gate MESFET를 사용한 분포형 혼합기 해석에 관한 연구 (Analysis of a Distributed Mixer Using Dual-gate MESFETSs)

  • 김갑기;오양현;정성일;이종익
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제7권2호
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    • pp.178-185
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    • 1996
  • In this paper, a theoretical analysis of a wide band distributed mixer using a dual-gate GaAs MESFET's(DGFET) is introduced. Based on low noise mixer mode(LNM) region modeling of DGFET, variation of g/sub m/ and conversion gain are presented versus bias. The distributed mixer is composed of drain and gate transmission line, m-derived image impedance matching circuits at each input and output port, and DGFET's. Through computer simulation, wide-band characteristics of designed distributed mixer are confirmed. And, it is certificated that LO/RF isolation between gate 1 and gate 2 is obtained more than 15dB.

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범용 로직 드라이버를 이용한 880Mbps ATE 핀 드라이버 구현 (Implementation of 880Mbps ATE Pin Driver using General Logic Driver)

  • 최병선;김준성;김종원;장영조
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제5권1호
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    • pp.33-38
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    • 2006
  • The ATE driver to test a high speed semiconductor chip is designed by using general logic drivers instead of dedicated pin drivers. We have proposed a structure of general logic drivers using FPCA and assured its correct operation by EDA tool simulation. PCB circuit was implemented and Altera FPGA chip was programmed using DDR I/O library. On the PCB, it is necessary to place two resistors connected output drivers near to the output pin to adjust an impedance matching. We confirmed that the measured results agree with the simulated values within 5% errors at room temperature for the input signals with 800Mbps data transfer rate and 1.8V operating voltage.

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EMI/EMC 측정용 십자형 대수 주기 다이폴 안테나의 설계 및 해석 (A Design of EMI / EMC Crossed Log-Periodic Dipole Antenna)

  • 김진태;최학근;진년강
    • 한국전자파학회지:전자파기술
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    • 제5권3호
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    • pp.48-58
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    • 1994
  • 본 논문에서는 EMI/EMC 측정용 안테나로서 다이폴 소자가 료차된 삽자형 대수-주기 다이폴 안테나 (CLPDA: Crossed Log-Periodic Dipole Antenna)를 제시하고 모멘트 법과 전송선로 이론을 결합하여 해석하였다. 이 안테나의 광대역 특성을 고려하여 전 주파수 범위에서 임피던스 정합에 중점을 두었으며, 이에 따라 트윈-붐(Twin-boom) 급전 방식을 사용하였다.해석 결과로써 전류 분포, 입력 어드미턴스, 복사 패턴 및 이득을 계산 하였으며, 실제 CLPDA를 설계하여 복사 패턴과 이득을 측정하였다. 제작한 CLPDA의 측정치는 주어진 주파수 범위(200MHz~500MHz)내에서 이론치에 근접하게 나타났다.

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