• 제목/요약/키워드: induced electric field

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흰쥐 적출 배뇨근에서 콜린성 및 퓨린성 수용체의 존재 (Existence of Cholinergic and Purinergic Receptor on the Detrusor Muscle of Rat Urinary Bladder)

  • 최태수;권오철;하정희;이광윤;김원준
    • Journal of Yeungnam Medical Science
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    • 제8권2호
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    • pp.138-149
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    • 1991
  • 흰쥐(Sprague-Dawley)의 방광에서 적출한 배뇨근절편을 적출 근편 실험조에 현수하고, 등척성 장력 측정기를 사용하여 그 수축력을 묘기하였다. 배뇨근 절편은 전기장자극에 의해 수축하였으며, 이 수축반응은 콜린에스테라제 억제약물인 physostigmine에 의해 증가하였고 신경말단에서의 choline 재흡수를 방해하는 hemicholinium에 의해 억제되었으며, 신경절봉쇄약물인 hexamethonium에 의해서는 영향을 받지 않았으나 신경축색전도 억제제인 tetrodotoxin에 의해서 소실되었다. 이러한 전기장자극유발 수축은 콜린성 무스카린성 수용체봉쇄약물인 atropine에 의해 부분적으로 길항되었으며, atropine에 의해 길항되지 않는 부분은 ATP 탈감작에 의해 완전히 소실되었다. 배뇨근 절편은 콜린성 무스카린성 수용체 흥분제인 bethanechol과 퓨린성 수용체 흥분제인 ATP에 의하여 농도의존적 수축력 증가를 나타내었으며, 이중 bethanechol 유발수축은 ATP 탈감작에 의해 영향을 받지 않았고, ATP 유발수축은 tetrodotoxin에 의하여 영향을 받지 않았다. 이상의 결과로 보아 흰쥐의 적출배뇨근에는 흥분성 신경전달체계로서 퓨린성 수용체와 콜린성 수용체가 존재하며, 이들은 서로 영향을 미침이 없이 독자적으로 배뇨근 수축에 기여하고 있다고 사료된다.

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A Case Study of Risk Assessment of Ozone Impact on Forest Tree Species in Japan

  • Watanabe, Makoto;Yamaguchi, Masahiro;Matsumura, Hideyuki;Kohno, Yoshihisa;Koike, Takayoshi;Izuta, Takeshi
    • Asian Journal of Atmospheric Environment
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    • 제5권4호
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    • pp.205-215
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    • 2011
  • Ozone ($O_3$) is a main component of photochemical oxidants and a phytotoxic air pollutant. Although the current levels of tropospheric $O_3$ in East Asia could adversely affect productivity of forest tree species, risk assessments of $O_3$ impact were limited. In this paper, we summarize the methodology of risk assessment of $O_3$ on forest tree species based on our two previous studies, risk assessments of $O_3$ impact on the growth of Fagus crenata by Watanabe et al. (2012) and on the annual carbon absorption of three representative conifers, Cryptomeria japonica, Pinus densiflora and Larix kaempferi by Watanabe et al. (2010). $O_3$ sensitivity of each tree species obtained from an experimental study, $O_3$ exposure and atmospheric N deposition based on field monitoring and vegetation survey were integrated by geographic information system method. Based on the results, we conclude that the area with high risk of $O_3$ impact does not necessarily correspond to the area with high $O_3$ exposure. The varieties of tree habitat, tree sensitivity to $O_3$ and annual carbon absorption among the tree species, and N deposition-induced change in the $O_3$ sensitivity of F. crenata are raised as the factors of discordance between areas with high risk and those with high $O_3$ exposure. In the last part of this paper, we discuss the present uncertainty and perspectives of risk assessment for the future studies on the impact of $O_3$ on forest tree species in East Asia.

Antiferroelectric Liquid Crystal from Bent-Core Molecule with Vinyl End Group

  • Lee, Chong-Kwang;Kwon, Soon-Sik;Kim, Tae-Sung;Shin, Sung-Tae;Choi, Hong;Choi, E. Joon;Kim, Sea-Yun;Zin, Wang-Choel;Kim, Dae-Choel;Chien, Liang-Chy
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제25권8호
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    • pp.1171-1176
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    • 2004
  • Three banana-shaped achiral compounds, 4-chloro-1,3-phenylene bis [4-{4-(undecenyloxy)phenyl imino-methyl} benzoate] derivatives, were synthesized with variation of a substituent (x=H, F, Cl); their antiferro-electric properties are described. The smectic mesophases, including a switchable chiral smectic C(Sm $C^{\ast}$) phase, were characterized by differential scanning calorimetry, polarizing optical microscopy, triangular wave method, and X-ray diffractometry. The presence of vinyl groups at the terminals of linear side wings in the banana-shaped achiral molecules induced a decrease in melting temperature and formation of the switchable Sm $C^{\ast}$ phase in the melt. The smectic phase having a lateral fluorine-substituent at 3-position of the Schiff's base moiety showed antiferroelctric switching, and the value of spontaneous polarization on reversal of an applied electric field was 250 nC/$cm^2$ .

단락종단된 평행평판 도파관의 좁은 슬릿을 통한 근접 도체스트립과의 최대 결합 (Maximum Coupling Through a Narrow Slit in a Short-Ended Parallel-plate Waveguide with a Nearby Conducting Strip)

  • 이종익;조영기
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제37권12호
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    • pp.15-21
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    • 2000
  • 본 연구에서는 유전체슬랩으로 덮혀 있고 단락 종단된 평행평판 도파관의 좁은 슬릿을 통한 유전체슬랩 위의 도체스트립과의 전자기적인 결합을 평행평판 도파관에 TEM파가 입사되는 경우에 대하여 고려하였다. 슬릿의 전계와 도체스트립에 유기된 전류를 미지수로 하는 결합적분방정식을 유도하고 모멘트방법을 이용하여 풀었다. 그 결과로부터 슬릿의 폭이 매우 좁음에도 불구하고 도체스트립의 폭과 위치를 적절히 택하면 입사전력의 대부분이 도파관 외부로 결합될 수 있음을 관찰하였다. 또한 도체스트립과 도파관의 윗면이 캐비티를 구성하는 경우와 도체스트립이 기생소자 역할을 하는 경우에 있어서 관찰되는 두 가지 복사현상들 간의 차이점에 대하여 논의하였다.

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2중 유전체층 사이의 완전도체띠 격자구조에 의한 TE 산란 해석 (Analysis of TE Scattering by a Conductive Strip Grating Between a Double Dielectric Layer)

  • 윤의중
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제19권2호
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    • pp.47-52
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    • 2019
  • 본 논문에서는 2중 유전체층 사이의 완전도체띠 격자구조에 의한 TE(transverse electric) 산란 문제는 전자파 수치해석 방법으로 알려진 FGMM(Fourier-Galerkin moment method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고, 도체띠의 해석을 위해 완전도체 경계조건을 적용하였다. 도체띠의 폭과 주기, 2중 유전층 사이의 비유전율과 두께 및 입사각에 대해 정규화된 반사전력과 투과전력을 계산하였다. 전반적으로 유전율의 값이 증가하면 반사전력은 증가하며, 상대적으로 투과전력은 감소하였다. 유전율이 증가할수록 도체띠에 유도되는 전류밀도는 양쪽 끝으로 진행하면서 증가하였다. 본 논문의 제안된 구조에 대한 수치결과들은 기존 논문의 수치해석 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

접지된 2중 유전체층 사이의 저항띠 격자에 대해 FGMM을 적용한 TE 산란 해 (Solution of TE Scattering Applying FGMM for Resistive Strip Grating Between a Grounded Double Dielectric Layer)

  • 윤의중
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제23권3호
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    • pp.71-76
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    • 2023
  • 본 논문에서는 접지된 2중 유전체층 사이의 저항띠 격자구조에 의한 TE(transverse electric) 산란문제를 전자파 수치해석 방법으로 알려진 FGMM(fourier galerkin moment method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였으며, 저항띠의 해석을 위해 저항 경계조건을 적용하였다. 전반적으로 저항율이 작으면 저항띠에 유도되는 전류밀도의 크기가 증가하였고, 반사전력도 증가하였다. 균일 저항율을 가지는 경우, 유전체층의 비유전율이 증가하거나 또는 유전체 층의 두께가 증가할수록 반사전력은 감소하였다. 본 논문에서 제안된 구조에 대한 수치결과들은 기존 논문의 수치해석 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

FGMM을 이용한 2중 유전체층 사이의 저항띠 격자구조에 의한 TE 산란 해 (Solution of TE Scattering by a Resistive Strip Grating Between a Double Dielectric Layer Using FGMM)

  • 윤의중
    • 문화기술의 융합
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    • 제9권3호
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    • pp.619-624
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    • 2023
  • 본 논문에서는 2중 유전체층 사이의 저항띠 격자구조에 의한 TE(transverse electric) 산란 문제를 전자파 수치해석 방법으로 알려진 FGMM(fourier galerkin moment method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고, 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였고, 저항띠의 해석을 위해 저항 경계조건을 적용하였다. 2중 유전체층의 문제를 취급하기 위하여 유전체층들의 두께와 비유전율을 동일한 값을 가지는 경우에 대해서만 수치계산하였다. 전반적으로, 저항띠 균일 저항율이 증가하면 저항띠에 유도되는 전류밀도는 감소하였고 반사 전력은 감소하였으며, 상대적으로 투과전력은 증가하였다. 본 논문에서 제안된 구조에 대한 수치결과들은 기존 논문의 수치해석 방법인 PMM의 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

La 기반의 ABO3 구조를 갖는 첨가물에 따른 Bi0.5(Na0.78K0.22)0.5TiO3의 압전 및 전기적인 특성 향상 연구 (The Study on the Improvement of Piezoelectric and Electrical Characteristics of Bi0.5(Na0.78K0.22)0.5TiO3 Ceramics Modified by the La-based ABO3 Pervskite Structure)

  • 이규탁;박정수;윤지선;조정호;정영훈;백종후
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제27권11호
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    • pp.707-711
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    • 2014
  • The $0.99Bi_{0.5}(Na_{0.78}K_{0.22})_{0.5}TiO_3-0.01LaAlO_3$, $0.01LaMnO_3$ or $0.01LaFeO_3$ (0.99BNKT-0.01LA, 0.01LM or 0.01LF) ceramics were prepared by a conventional mixed mothod. The structure and morphology of the lead free ceramics were characterized by XRD (X-ray diffraction) and FE-SEM (field emission scanning electron microscopy). XRD results indicated that the BNKT ceramics modified by LA, LM or LF induced a transition from a ferroelectric tetragonal to a non-polar pseudo-cubic phase, leading to decrease in the remnant polarization ($P_r$) and coercive field ($E_c$) in the P-E hysterisis loops. The effects of the BNKT ceramics modified by La-based $ABO_3$ pervskite structure on the electric-field induced strain were investigated, and the largest normalized unipolar strain ($S_{max}/E_{max}$) was found in BNKT-0.01LF ceramic.

자기폭풍 기간 동안의 월별 누적 오로라 제트전류 지수, Dst 지수 및 행성간 전기장 사이의 상관관계 (CORRELATION BETWEEN MONTHLY CUMULATIVE AURORAL ELECTROJET INDICES, DST INDEX AND INTERPLANETARY ELECTRIC FIELD DURING MAGNETIC STORMS)

  • 박윤경;안병호;문가희
    • Journal of Astronomy and Space Sciences
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    • 제22권4호
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    • pp.409-418
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    • 2005
  • 자기폭풍 기간 중에는 서브스톰이 빈번히 발생한다. 그리고 서브스톰이 진행될 때 극지방에는 오로라 제트 전류가 발생하며, 이는 AU 및 AL 지수로 그 강도를 규정할 수 있다. 따라서 AU 및 AL 지수와 자기폭풍의 정도를 나타내는 Dst 지수와의 상관관계를 구해봄으로써 서브스톰이 자기폭풍의 형성에 어떻게 기여하는지 조사할 수 있다. 이를 위하여 월별 누적 AU 지수, 월별 누적 $\mid{AL}\mid$ 지수 값을 구한 뒤, 월별 누적 $\mid{Dst}\mid$ 지수와의 상관관계를 구하였다. 그 결과 월별 누적 $\mid{AL}\mid$ 지수와 월별 누적 $\mid{Dst}\mid$ 지수의 상관관계는 0.60으로 월별 누적 AU 지수와 월별 누적 $\mid{Dst}\mid$ 지수의 상관관계 0.28보다 비교적 높게 나타났다. 이는 서브스톰이 자기폭풍의 발달에 기여하고 있음을 의미한다. 한편 IMF가 남쪽을 향할 때 자기권에는 강력한 대류가 형성되어 하전입자를 내부 자기권으로 가속시키므로 자기폭풍을 야기한다는 견해가 있다. 대류를 야기하는 행성간 전기장은 $\bar{E}=-\var{V}$(태양풍 속도) $\times\bar{B}_Z$(GSM에서 IMF의 Z축 성분)으로 주어지며, 이로부터 월별 누적 행성간 전기장과 월별 누적 Dst 지수 값을 비교해 봄으로써 행성간 전기장의 강화로 인한 자기권 대류가 자기폭풍 형성에 어느 정도 기여하는지를 조사할 수 있다. 여기서 Dst 지수는 태양풍에 의한 동압을 고려한 값이며, 월별 누적 행성간 전기장은 행성간 전기장이 양일 때와 음일때를 구분한 뒤 월별 누적 Dst 지수와의 상관관계를 알아보았다. 그 결과 행성간 전기장이 음의 값을 나타낼 때 구한 월별 누적 행성간 전기장과 월별 누적 Dst 지수와의 상관관계는 0.83이고, 양일 때 월별 누적 행성간 전기장과 월별 누적 Dst 지수와의 상관관계는 0.39로 나타났다. 이것은 IMF가 남쪽으로 향할 때 발생하는 자기권 대류의 강화 역시 자기폭풍의 발달에 중요한 역할을 하고 있음을 보여 준다.

소스 및 드레인 전극 재료에 따른 비정질 InGaZnO 박막 트랜지스터의 소자 열화 (Hot carrier induced device degradation in amorphous InGaZnO thin film transistors with source and drain electrode materials)

  • 이기훈;강태곤;이규연;박종태
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제21권1호
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    • pp.82-89
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    • 2017
  • 본 연구에서는 소스 및 드레인 전극 재료에 따른 소자 열화를 분석하기 위해 Ni, Al, 및 ITO를 소스 및 드레인 전극 재료로 사용하여 InGaZnO 박막 트랜지스터를 제작하였다. 전극 재료에 따른 소자의 전기적 특성을 분석한 결과 Ni 소자가 이동도, 문턱전압 이하 스윙, 구동전류 대 누설전류 비율이 가장 우수하였다. 소스 및 드레인 전극 재료에 따른 소자 열화 측정결과 Al 소자의 열화가 가장 심한 것을 알 수 있었다. InGaZnO 박막 트랜지스터의 소자 열화 메카니즘을 분석하기 위하여 채널 폭과 스트레스 드레인 전압을 다르게 하여 문턱전압 변화를 측정하였다. 그 결과 채널 폭이 넓을수록 또 스트레스 드레인 전압이 높을수록 소자 열화가 많이 되었다. 측정결과로부터 InGaZnO 박막 트랜지스터의 소자 열화는 큰 채널 전계와 주울 열의 결합 작용으로 발생함을 알 수 있었다.