• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제12권2호
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• pp.183-188
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• 2002

The ohmic heating of foods for sterilization provides a shorter come-up time compared to conventional thermal processes. The electric fields as well as the heat generated by ohmic heating facilitate germicidal effects. In the present study, the effect of ohmic heating on the structure and permeability of the cell membrane of yeast cells, Saccharomyces cerevisae, isolated from Takju (a traditional Korean rice-beer), was investigated. The ohmic heating was found to translocate intracellular protein materials out of the cell wall, and the amount of exuded protein increased significantly as the electric field increased from 10 to 20 V/cm. As higher frequencies were applied, more materials were exuded. Compared to conventional heating, more amounts of proteins and nucleic acids were exuded when these cells were treated with ohmic heating. The molecular weights of the major exuded proteins ranged from 14 kDa to 18 kDa, as analyzed by Tricine-SDS PAGE. A TEM study also confirmed the leakage of cellular materials, thus indicating irreversible damage to the cell wall by ohmic heating. It was, therefore, concluded that the electric fields generated by ohmic heating induced electroporation, causing irreversible damage to the yeast cell wall and promoting the translocation of intracellular materials.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권11호
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• pp.810-815
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• 2013

In this study, the capacitance and dielectric loss tangent of the silicone rubber which is combined with filler (30 phr~50 phr) have been measured on the range of 100 Hz~100 kHz and $30{\sim}170^{\circ}C$. It was found that when the frequency is 0.1 kHz~100 kHz and the silicone rubber is combined with 30 phr to 50 phr of filler, the capacitance of silicone rubber has increased by about 28.6 pF to 33 pF in 30 phr of filler, about 20 pF to 46.1 pF in 40 phr of filler and about 36.4 pF to 44 pF in 50 phr of filler. It seems that the volume of dielectric loss has gradually increased due to the temperature rise and the rotating of dipole in electric field through the electric dipole generated by the Si-O group which is induced by adding of filler, or the carbonyl group which is caused by oxidation. It seems that the dielectric dispersion in 0.1 kHz is caused by molecular motion of Siloxane group in main chain, and the dielectric dispersion in 10 kHz is caused by molecular motion of Methyl group in side chain.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.2355-2362
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• 2014

전기철도 선로변에 포설되어 있는 통신선에는 유도전압이 발생하여, 통신품질 저하와 기기 오작동 및 안전문제를 유발할 수 있다. 이와 같은 유도전압은 전차선과 통신선의 자계결합에 의해 유발되며, 구조물이나 레일 등의 금속물이 근처에 있을 경우 차폐영향을 받는다. 본 논문에서는 통신선 주변에 금속관이 매설되어 있을 경우에 발생하는 차폐효과를 실험을 통해 정량적으로 분석하였다. 고속철도 현장에서의 실험 결과, 금속관이 통신선으로부터 1~2m 거리에 병행매설되어 있을 경우, 금속관의 차폐효과는 20% 정도인 것으로 측정되었다. 또한, 이격거리가 4m 이상인 경우에는 차폐효과가 1% 이내로 미미하다는 것을 확인하였다. 이상의 결과는, 수도관이나 가스관, 구조물의 철근과 같은 금속 설치물의 차폐효과를 분석하는 데 활용할 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.382.1-382.1
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• 2014

Graphene field-effect transistors (GFET) is one of candidates for future high speed electronic devices since graphene has unique electronic properties such as high Fermi velocity (vf=10^6 m/s) and carrier mobility ($15,000cm^2/V{\cdot}s$) [1]. Although the contact property between graphene and metals is a crucial element to design high performance electronic devices, it has not been clearly identified. Therefore, we need to understand characteristics of graphene/metal contact in the GFET. Recently, it is theoretically known that graphene on metal can be doped by presence of interface dipole layer induced by charge transfer [2]. It notes that doping type of graphene under metal is determined by difference of work function between graphene and metal. In this study, we present the GFET fabricated by contact metals having high work function (Pt, Ni) for p-doping and low work function (Ta, Cr) for n-doping. The results show that asymmetric conductance depends on work function of metal because the interfacial dipole is locally formed between metal electrodes and graphene. It induces p-n-p or n-p-n junction in the channel of the GFET when gate bias is applied. In addition, we confirm that charge transfer regions are differently affected by gate electric field along gate length.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권11호
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• pp.1234-1240
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• 2004

We studied on the electro-optic characteristics and dynamic stability according to an undesirably defined pretilt angle induced in high step coverage of pixel area for the Twisted Nematic (TN) / Fringe-Field Switching (FFS) mode. In case of the TN mode, LC directors twist reversely near the edges of thin-film-transistor and black matrix where the pretilt angle of the LC is not well defined. Therefore, the voltage-dependent dynamics of the LC in TN mode is unstable and shows the bad electro-optic characteristics. On the other hand, in case of the FFS mode, the LCs are twisted parallel to the bottom substrate by fringe electric field and the electro-optic characteristic is not influenced by the pretilt angle of the LC which is not well defined.

• 한국지반환경공학회 논문집
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• 제13권10호
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• pp.43-53
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• 2012

본 연구에서는 투수계수 증대 및 간극수 가열 증발에 의한 두 가지 방법으로 기존의 상재하중 및 연직배수에 의한 압밀공법의 성능을 개선하고자 하였다. 투수계수 증대 실험은 해성점토를 $90^{\circ}C$로 저온 가열하여 투수계수를 증대시켰으며, 간극수 가열증발 실험은 Microwave oven(전자레인지)과 고온 전기가열관($250^{\circ}C$)을 이용하여 간극수를 가열 증발하였다. 각 실험의 문제점을 파악한 후 현장적용성과 간극수 배출특성이 뛰어난 고온 전기가열관에 의한 지반가열장치를 고안한 후, 인천 송도지역 해성점토를 대상으로 고온 전기가열실험을 수행하였다. 실험결과, 고온 전기가열관을 이용한 간극수의 가열 증발효과로 인해 연약지반의 압밀효과가 탁월한 것으로 나타났으며, 또한 점토의 콘지수가 약 19배 정도 증가되어 추후 표층개량을 통한 시공장비의 주행성 확보에 도 활용될 것으로 판단된다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제35권11호
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• pp.1213-1217
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• 2011

의료용 자극기는 병원과 가정에서 환자의 통증 경감 및 재활 치료를 위해 사용되는 의료기기이다. 전기자극기의 자극 펄스가 심장에 유입되면 부정맥 및 심실세동 등의 심각한 부작용을 초래할 수 있다. 의료용 자극기에서 공급하는 자극 펄스의 전달 거리를 측정하고 심장이 전기 자극의 위험 범위 밖에 위치하도록 자극의 크기 및 자극 부위를 제한할 필요가 있다. 전기 자극기는 초당 60 회의 빈도로 0.001Joule 전기 펄스를 가하도록 설계되었다. 전기 자극기의 성능 및 인체에 미치는 영향을 측정하기 위해 생리 식염수를 이용한 생체 조직의 모델을 제작하였고, 이를 이용하여 거리에 따른 전기장의 감쇄 정도를 측정하였다. 본 연구에서 개발한 전기 자극기를 동물실험에 적용한 후 심장 주변에 전기자극을 가했을 때 심장에서 나타나는 위험요인을 관찰하고 직류전류가 흘렀을 때 심장에서 나타나는 현상과 비교하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.359-368
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• 1998

낙뢰뿐만 아니라 유도뢰에 의해서 발생되는 과도과전압에 대한 첨단전자장비의 보호대책이 중요 과제 중의 하나로 대두되었다. 본 논분에서는 낙뢰에 의해 발생된 수직전계와 수평자계를 측정하고 분석하였다. 낙뢰에 의해 발생한 전계와 자계 파형은 최초 피크 다음에 이어지는 수 개의 후속 피크틀을 가지며, 이들 피크값은 시간의 경과와 더불어 감소하는 형상으로 나타났다. 원거리 낙뢰에 의해 방사된 전계파형은 자계 파형과 거의 흡사하였다. 낙뢰에 의해서 발생한 전계 파형의 1O~90 % 상승시간은 정극성은 $4.65\mu\textrm{s}$, 부극성에서는 $3.29\mu\textrm{s}$이었으며, 또한 정.부극성의 낙뢰 모두 자계의 파미 (波尾)부분의 영점교차시간은 전계 파형에 비해서 훨씬 길게 나타났다.

• 한국통신학회논문지
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• 제28권11A호
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• pp.883-890
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• 2003

본 논문에서는 접지된 유전체평면 위에 변하는 저항율을 갖는 저항띠 격자구조의 전자파 산란문제를 수치해석 방법인 FGMM(Fourier-Galerkin Moment Method)을 이용하여 스트립 폭 및 주기, 유전체층의 비유전율 및 두께, 입사각에 따라 수치 해석하였다. 산란전자계는 Floquet 모드함수의 급수로 전개하였다. 경계조건은 미지의 계수를 구하기 위하여 적용하였고, 저항띠 경계조건은 접선성분의 전계와 스트립의 유도전류와의 관계를 위해 이용하였다. 저항띠의 변하는 저항율은 저항띠의 양끝에서 0으로 변하는 경우를 취급하였고, 이때 유도되는 표면 전류밀도는 2종 Chebyshev 다항식의 급수로 전개하였다. 본 논문에서 변하는 저항율이 0을 갖는 도체띠에 대한 정규화 된 반사전력은 기존 논문의 결과와 매우 잘 일치하였다.

• 한국항행학회논문지
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• 제10권2호
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• pp.152-158
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• 2006

본 논문에서는 접지된 2개의 유전체평면 위에 저항띠 양끝에서 0으로 변하는 저항율을 갖는 저항띠 격자구조의 전자파 산란문제를 수치해석 방법인 FGMM(Fourier-Galerkin Moment Method)을 이용하여 스트립 폭 및 주기, 유전체층의 비유전율 및 두께, 입사각에 따라 수치해석하였다. 산란전자계는 Floquet 모드함수의 급수로 전개하였다. 경계조건은 미지의 계수를 구하기 위하여 적용하였고, 저항띠 경계조건은 접선성분의 전계와 스트립의 유도전류와의 관계를 위해 이용하였다. 저항띠의 변하는 저항율은 저항띠의 양끝에서 0으로 변하는 경우를 취급하였고, 이때 유도되는 표면 전류밀도는 2종 Chebyshev 다항식의 급수로 전개하였다. 본 논문에서 변하는 저항율이 0을 갖는 정규화된 반사전력은 기존 논문의 결과와 매우 잘 일치하였다.