• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권8호
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• pp.658-663
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• 2002

Hall factor of electrons in $\Gamma$-valley is calculated as functions of temperature, impurity concentration, and nonparabolicity of conduction valleys by taking into account the current density obtained from the Boltzmann transport equation. The dependence of the Hall factor on the temperature is clearly shown in the case of the optical phonon scattering and that on the impurity concentration is obvious in the case of the ionized impurity scattering. As the nonparabolicity of the conduction band increases, the Hall factor due to the acoustic or optic phonon scattering increases, whereas that due to the ionized impurity scattering decreases. The change of the Hall factor can be analysed in terms of the dispersion of relaxation time.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권4호
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• pp.1-8
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• 2005

소오스와 드레인 근처에 포켓이온이 주입된 halo구조의 MOSFET에서 전송자의 이동도 감소는 포켓이온주입의 조건에 따라 이온화된 불순물의 증가에 따른 쿨롱(Coulomb) 산란율의 증가에 의한 이동도의 감소량보다 큰 이동도의 감소가 관측될 수 있다. 게이트 바이어스에 대한 이동도의 특성변화도 기존의 일차적인 쿨롱산란의 증가효과에 의한 해석과 비교하여 상이한 결과가 나타날 수 있음이 실험적으로 확인되고 있다. 본 연구에서는 포켓이온 주입에 의하여 쿨롱산란원이 되는 유효불순물 농도의 증가에 따른 일차적인 이동도의 감소효과를 벗어난 이동도 특성을 분석하여 이동도의 감소현상을 일반적으로 설명할 수 있는 개선된 해석적 모델을 제시하였다. 해석적인 결과를 도출하기 위하여 일차원 영역구분의 근사방법을 적용한 결과, 포켓이온 주입에 의하여 포논산란율 및 표면산란율(surface roughness scattering rate)의 증가도 이동도감소에 기여함이 보여 졌다. 채널의 전송자분포가 드레인 전류에 영향을 미치게 되므로 포켓이온에 의해 유발된 전송자분포의 효과를 분석하여 유효이동도가 추가적으로 감소함을 확인하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제6권5호
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• pp.417-427
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• 1993

액체질소하에서의 물리적인 현상 및 실험결과를 통하여 캐리어 냉동현상, 좁은 폭 및 숏트 채널효과를 포함한 문턱전압 모델, Surface Roughness Scattering 및 Ioniaed Impurity Scattering을 포함한 이동도 모델과 적합한 기판 전류모델이 제안되었으며 이 모델들은 모의실험 프로그램인 BSIM과 SPICE에 이식되었다. 제작된 링 오실레이터와 리플 가산기에 적용한 결과 측정한 데이타와 잘 부합되었다.

• Progress in Superconductivity
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• 제12권1호
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• pp.36-40
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• 2010

We have studied the anisotropy of the London penetration depth of carbon doped $MgB_2$ single crystals, which was obtained from reversible magnetization measurements with the magnetic field both parallel and perpendicular to the c-axis. Similar to the pure $MgB_2$, the anisotropy of the upper critical field ${\gamma}_H$ decrease with temperature while the anisotropy of the London penetration depth ${\gamma}_{\lambda}$ slowly increases with temperature. However, the temperature dependence of ${\gamma}_H$ is drastically reduced and the value of ${\gamma}_{\lambda}$ becomes nearly ~1 as C is introduced. These results indicate that C substitution increases impurity scattering mainly in the $\sigma$ bands. The temperature dependence of the anisotropies agree well with the theoretical predictions with impurity scattering.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2008년도 High Temperature Superconductivity Vol.XVIII
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• pp.41-41
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• 2008

• 한국산학기술학회논문지
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• 제5권4호
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• pp.336-339
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• 2004

본 논문은 Al/sub x//Ga/sub 1-x//As/Ga/sub y//In/sub l-y//As/GaAs 이종접합 소자의 2차원적 산란율을 해석하였다. 사각 양자 우물의 전자 준위는 슈뢰딩거와 포아송 방정식의 연계풀이에 의해 수치해석 적으로 해석하였다. 수치해석으로 얻어진 파동함수와 에너지 준위를 이용하여 이 구조에서 주요한 2차원 산란율들을 구하였다. 극성광학 포논, 음향 포논, 압전 산란, 이온화된 불순물 산란, 그리고 합금 산란이 첫 번째 두개의 하부 밴드에 대해 고려되었다. 또한 2차원에 대해 구하여진 이 결과는 같은 영역에서의 3차원 산란율과 비교하였다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제27권3호
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• pp.63-71
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• 1990

Hydrodynamic model에 의해서 submicron GaAs device를 simulation 할 때 필요한 hydrodynamic model parameter 들을 Monte Carlo code를 개발하여 추출하였다. GaAs 전도대의 밴드구조로 $\Gamma$, L, X세개의 valley를 고려하였고, 산란기구로는 polar optic phonon, acoustic phonon, equivalent intervalley, non-equivalent intervalley, ionized impurity 및 piezoelectric scattering을 고려하였다. 계산으로부터 얻은 속도 - 전계 곡선은 실험결과와 잘 일치하였고, 다른 연구자들이 소자 시뮬레이션에 사용할 수 있도록 모델 파라메터들을 표로 제시하였다.

• 자연과학논문집
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• 제11권1호
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• pp.23-26
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• 1999

Lysozyme에 X선 조사는 단백질-물 혼합물의 상분리 온도를 증가시키며, 온도에 따른 광산란량은 증가하였다. 사포닌 첨가는 상분리 온도를 감소시키며, 온도에 따른 광산란량은 현저하게 감소됨을 관측하였다.

• 한국결정학회지
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• 제9권2호
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• pp.159-167
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• 1998

천연에서 발견되는 유색수정은 자수정, 연수정, 황수정, 청수정, 녹수정, 장미수정 등 그 색의 종류에 따라 크게 6가지로 분류되며 발색 기구에 따라 색중심(color center), 전이금속 불순물(transition metal impurity), 산란(scattering), 전하이동(charge transfer) 등 4가지로 분류된다. 이들은 천연에서 고온고압의 열수가 냉각되면서 그 안아 녹아있던 광물질이 재결정하여 생성된 것이다. 이러한 유색수정은 실험실에서도 합성되며 그 방법은 천연 수정의 생성 과정과 유사하다. 그러나 천연수정 중의 일부는 실험실에서 성장하기가 거의 불가능하기 때문에 다른 방법을 이용하여 유사한 색을 가지게 한다. 본 논문에서는 불순물 원소의 종류 및 수정 격자내의 위치, 최외각 전자의 상태에 따라 색이 달라지는 것을 고찰하고 이러한 유색수정을 합성하는 원리에 대하여 논하고자 한다.

• Journal of Magnetics
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• 제4권4호
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• pp.111-114
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• 1999

Numerical calculation for temperature dependence of galvanomagnetic properties of thin bismuth films is pursued. The quasi-two dimensional system is treated in the perturbation formalism of previous study, where realistic screened potential due to impurity is assumed to be the only scattering channel. The potential is separated into pure two dimensional part and the remaining presumed perturbation part. Relaxation time and mobilities for both electron and hole are evaluated, then temperature dependence of the Hall coefficient and magnetoresistance is obtained. The broad minimum of magnetoresistnace is manifested, and the interpretation under the kinetic theory is made. Thickness dependence of the quantities are also shown, which are in good agreement with the expected quantum size effect.