• 제목/요약/키워드: hillock

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TMAH/IPA의 실리콘 이방성 식각특성 (Si Anisotropic Etching Characteristics of TMAH/IPA)

  • 정귀상;박진성;최영규
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제10권5호
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    • pp.481-486
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    • 1997
  • This paper describes the anisotropic etching characteristics of Si in acqueous TMAH/IPA solutions. The etch rates of (100) oriented Si crystal planes decrease with increasing TMAH concentration and IPA concentration. Etchant concentration and etch temperature have a large effect on hillock density. Hillock density strongly increase with lower TMAH concentration and higher etch temperature. The etched (100) planes are covered by pyramidal-shaped hillocks below TMAH 15 wt.%, but very smooth surface is obtained TMAH 25 wt.%. The addition of IPA to TMAH solution leads to smoother surfaces of sidewalls etched planes. Undercutting ratio of pure TMAH solution is much higher than KOH. But, addition of IPA to TMAh the underrcutting ratio reduces by a factor of 3∼4. Therefore, acqueous TMAH/IPA solution is able to use as anisotropic etchant of Si because of full compability with IC fabrication process.

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변형유기 식각 힐록 현상을 이용한 기계화학적 극미세 Writing 기법에 대한 연구 (A Study of Mechanochemical Hyperfine-Writing Technique Using Deformation Induced Etch Hillock Phenomena)

  • 강충길;윤성원
    • 한국정밀공학회지
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    • 제22권7호
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    • pp.71-78
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    • 2005
  • The purpose of this study is to suggest a hyperfine maskless writing technique by using the nanoindentation and HF wet etching technique. Indents were made on the surface of Pyrex7740 glass by the hyperfine indentation process with a Berkovich diamond indenter, and they were etched in $50\;wr\%$ HF solution. After etching process, convex structure was obtained due to the deformation-induced hillock phenomena. In this study, effects of indentation process parameters (etching time, normal load, loading .ate, hold-time at the maximum load) on the morphologies of the indented surfaces after isotopic etching were investigated from an angle of deformation energies. Finally, sample characters were written to show the possibility of the application.

Carabid beetle species as a biological indicator for different habitat types of agricultural landscapes in Korea

  • Kang, Bang-Hun;Lee, Joon-Ho;Park, Jong-Kyun
    • Journal of Ecology and Environment
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    • 제35권1호
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    • pp.35-39
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    • 2012
  • In the current study, several carabid beetle species were proposed as potential biological indicators for different habitat types (levee, upland dike, hillock, and streamside) of agricultural landscapes focusing on agrobiont species. Synuchus arcuaticollis and Synuchus orbicollis were found in all habitat types, indicating that they are general species for all habitat types. Harpalus eous and Synuchus cycloderus are potential bioindicator species for the paddy levee and hillock habitats, respectively. Amara pseudosimplicidens, Anisodactylus punctatipennis, and Chlaenius ocreatus, which occurred widely, and Bembidion morawitzi, which occurred only in the streamside habitat, are potential bioindicators for the streamside habitat.

PECVD를 이용한 비정질 실리콘 박막의 Adhesion 개선에 관한 연구

  • 한영재;최영철;김민
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.316.2-316.2
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    • 2016
  • Device가 점점 Shrinkage 됨에 따라 미세 패터닝을 위하여 기존에 사용하던 박막은 Hardmask 로써 CD(Critical Dimension)가 제한적으로 이를 개선하기 위한 비정질 실리콘 (amorphous silicon)으로 대체하여 사용되는 Layer의 수가 증가하고 있다. 하지만 비정질 실리콘을 증착 시, 하부막에 따른 Adhesion 및 Hillocks과 같은 공정상에서 발생하는 문제들이 발생하게 되는데, 이는 소자의 특성을 떨어뜨리게 된다. 이러한 문제를 해결하고자 본 연구에서는 PECVD를 사용하여 비정질 실리콘 박막을 증착하였고, 그 특성을 분석하였으며, Adhesion 및 Hillock 개선을 위해 비정질 실리콘 박막 증착 전 처리를 최적화하여 특성을 개선하였다. 증착된 박막의 두께 및 굴절률은 Auto thickness measurement로 분석하였고, 표면 특성은 Field emission scanning electron microscopy(FE-SEM 그림 참고), 4 Point Bending TEST를 이용하여 분석을 수행하였다.

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Electromigration 고장에 의한 Amplifier IC의 수명 예측 (Lifetime Estimation of Amplifier IC due to Electromigration failure)

  • 이호영;장미순;곽계달
    • 대한기계학회:학술대회논문집
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    • 대한기계학회 2008년도 추계학술대회A
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    • pp.1265-1270
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    • 2008
  • Electromigration is a one of a critical failure mechanism in microelectronic devices. Minimizing the thin film interconnections in microelectronic devices make high current densities at electrrical line. Under high current densities, an electromigration becomes critical problems in a microelectronic device. This phenomena under DC conditions was investigated with high temperature. The current density of 1.5MA/cm2 was stressed in interconnections under DC condition, and temperature condition $150^{\circ}C,\;175^{\circ}C,\;200^{\circ}C$. By increasing of thin film interconections, microelectronic devices durability is decreased and it gets more restriction by temperature. Electromigration makes electronic open by void induced, and hillock induced makes electronic short state.

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보로실리케이트 표면의 나노/마이크로 패터닝을 위한 식각 시간, 하중에 따른 유기 힐록의 성장거동 관찰 (Observation of Growth Behavior of Induced Hillock for Nano/Micro Patterning on Surface of Borosilicate with Etching Time and Load)

  • 조상현;윤성원;강충길
    • 한국소성가공학회:학술대회논문집
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    • 한국소성가공학회 2005년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.182-185
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    • 2005
  • Indentation pattern and line pattern were machined on borosilicate(Pyrex 7740 glass) surface using the combination of mechanical machining by $Nanoi-indenter\circledR$ XP and HF wet etching, and a etch-mask effect of the affected layer of the nano-scratched and indented Pyrex 7740 glass surface was investigated. In this study, effects of indentation and scratch process with etching time on the morphologies of the indented and scratched surfaces after isotropic etching were investigated from an angle of deformation energies.

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등온 열처리시 알루미늄 다층 박막의 열적 안정성에 관한 연구 (A Study on the Thermal Stability in Multi-Aluminum Thin Films during Isothermal Annealing)

  • 전진호;박정일;박광자;김홍대;김진영
    • 한국표면공학회지
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    • 제24권4호
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    • pp.196-205
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    • 1991
  • Multi-level thin films are very important in ULSI applications because of their high electromigration resistance. This study presents the effects of titanium, titanium nitride and titanium tungsten underlayers of the stability of multi-aluminum thin films during isothermal annealing. High purity Al(99.999%) films have been electron-beam evaporated on Ti, TiN, TiW films formed on SiO2/Si (P-type(100))-wafer substrates by RF-sputtering in Ar gas ambient. The hillock growth was increased with annealing temperatures. Growth of hillocks was observed during isothermal annealing of the thin films by scanning electron microscopy. The hillock growth was believed to appear due to the recrystallization process driven by stress relaxation during isothermal annealing. Thermomigration damage was also presented in thin films by grain boundary grooving processes. It is shown that underlayers of Al/TiN/SiO2, Al/TiW/SiO2 thin films are preferrable to Al/SiO2 thin film metallization.

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KOH 용액을 이용한 단결정 실리콘의 이방성 식각특성에 관한 연구 (A study on anisotropic etching property of single-crystal silicon using KOH solution)

  • 김환영;천인호;김창교;조남인
    • 한국결정성장학회지
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    • 제7권3호
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    • pp.449-455
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    • 1997
  • KOH 용액을 이용한 단결정 실리콘의 이방성 식각 특성을 조사하였다. n형 (100) 단결정 실리콘 웨이퍼를 시료로 사용하였으며, 식각 비율이 월등히 작은 $SiO_2$층을 실리콘 식각의 마스크로 사용하였다. 실리콘의 식각속도와 식각상태는 KOH 용액의 농도와 온도조건 뿐만 아니라 용액의 균일도, 용액의 교반속도와 교반방향 등에 따라 큰 차이가 발생하였다. 실리콘의 식각 속도는 KOH 농도가 낮아질수록 증가하며, 온도는 높아질수록 증가하는 경향을 보였으며, 20 wt%~50 wt%의 농도 범위와 $50^{\circ}C~105^{\circ}C$의 온도 범위에서 식각속도는 $10\mu \textrm{m}/hr~250\mu\textrm{m}/hr$로서 큰 폭으로 변화하였다. 식각된 표면의 거칠기중 hillock의 발생은 (100)면과 (111)면의 식각 속도 비율이 커질수록 증가함을 알 수 있었다.

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한국 서남부 농촌 경관 내 숲에 서식하는 나방 군집의 시간적 변화 양상 (Trend of temporal change in moth communities in forests of the agricultural landscape of southwestern South Korea)

  • 최세웅;김낭희;신보라;이재영;장범준
    • 환경생물
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    • 제37권3호
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    • pp.426-432
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    • 2019
  • 이 연구에서는 한국 서남부 농촌 경관 내에서 농경지로 고립되어 있는 숲과 연속되어 있는 산림 속 숲에 서식하는 나방의 종 다양성 양상이 10년 동안 어떻게 변화했는가를 알아보았다. 농경지 주변 숲 경관에서 나방 다양성은 과거와 현재 종수는 다소 늘어났지만 개체수는 줄어들었고 산림 숲에서 출현한 나방은 과거에 비해 현재 종수와 개체수 모두 증가하였지만 두 지역 모두 통계적으로 유의하게 나타나지 않았다. 나방 개체수 증감에 날개편 길이를 이용한 나방 크기를 살펴본 결과 농경지 주변 숲에서는 관련이 있었지만 산림 숲 지역에서는 관련이 나타나지 않았다. 농경지 숲과 산림지 숲 간의 시간적 공간적 분석결과 서식지 유형과 시간에 따라 나방 군집에서 차이가 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 추후 이러한 나방 군집 변화가 나방 크기 이외 다른 생태학적 요인과 영향을 받는지 그리고 장기적으로 어떻게 변화가 이루어지는지 살펴볼 필요가 있다.

실리콘 Diaphragm의 일괄 제조공정을 위한 Microscopy Study (Microscopy Study for the Batch Fabrication of Silicon Diaphragms)

  • 하병주;주병권;차균현;오명환;김철주
    • 전자공학회논문지A
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    • 제29A권1호
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    • pp.33-40
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    • 1992
  • 4인치(100) 실리콘 기판상에 센서용 다이아프램을 제조할 때 생기는 식각 현상들을 관찰하고 분석하였다. 115$^{\circ}C$의 "F etch' 용액을 사용하여 300$\mu$ 이상의 깊은 식각을 행하였을 때 식각 표면에 발생하느 식각 결함은 hillock, 반응 생성물, 그리고 횐색 잔유물로 구분될 수 있었따. 특히 hillock의 경우 식각 표면에 부착된 반응 생성물의 밀도나 크기에 관계하여 |111|면들로 이루어질는 피라밋 구조나 사다리꼴 육면체등의 형태를 취함이 확인되었다. 또한 용해된 실리콘의 국부적인 과잉 포활 발생하는 흰색 잔유물의 IR 흡수 스펙트럼을 조사한 결과, Si-N-O 성분에 미량의 h와 C가 포함된 것임을 알 수 있었다. 아울러 식각면을 식각용액에 대해 아래쪽, 위쪽, 그리고 측면을 향하도록 놓았을때 식각 결함의 존재 확률과 분포 그리고 식각율의 분포를 비교한 결과 식각율의 균일성면에서는 하측방향의 자세가, 식각결함의 제거에 있어서는 측면방향의 자세가, 식각결함의 제거에 있어서는 측면방향의 자세가 유리하게 나타났으며 이를 반응조내의 흐름 패턴을 이용하여 해석하였다.

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