Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin film transistors, because of their relatively low mobility, have limits in attempts to fulfill high-end specifications for display backplanes. In-Zn-O (IZO) is a promising semiconductor material for high mobility device applications with excellent transparency to visible light region and low temperature process capability. In this paper, the effects of working pressure on the physical and electrical properties of IZO films and thin film transistors are investigated. The working pressure is modulated from 2 mTorr to 5 mTorr, whereas the other process conditions are fixed. As the working pressure increases, the extracted optical band gap of IZO films gradually decreases. Absorption coefficient spectra indicate that subgap states increase at high working pressure. Furthermore, IZO film fabricated at low working pressure shows smoother surface morphology. As a result, IZO thin film transistors with optimum conditions exhibit excellent switching characteristics with high mobility (≥ 30㎠/Vs) and large on/off ratio.
In recent years, it is very important that hydrogen storage system is safe for user in any circumstances in case of crash and fire. Because the hydrogen vehicle usually carry high pressurized cylinders, it is necessary to do safety design for fire. The Global Technical Regulation (GTR) has been enacted for localized and engulfing fire test. High pressure hydrogen storage system of fuel cell electrical vehicles are equipped with Thermal Pressure Relief Device (TPRD) installed in pressured tank cylinder to prevent the explosion of the tank during a fire. TPRDs are safety devices that perceive a fire and release gas in the pressure tank cylinder before it is exploded. In this paper, we observed the localized and engulfing behavior of tank safety, regarding the difference of size and types of the tanks in accordance with GTR.
This study investigated the probability of possible accident through qualitative and quantitative analysis of the pressure safety valve types installed in facilities using high pressure gas to compare the installation domestic and foreign pressure safety valve standards sought the safety characteristics and safety improvement direction accordingly. The three types are the case where the shut-off valve is not installed at the front of the PSV (Case A), If a shut-off valve is installed at the front of the PSV for inspection (Case B) and If a shut-off valve is installed in front of PSV (C.S.O), PSV is installed in parallel (Case C). Three types of cases were compared with FTA and HAZOP. The results of study of the possible accidents due to over-pressure safety valve installation type, used in a high-pressure gas facilities was shows in the following order Case B > Case A > Case C. The results of analysis through FTA was in order to protect the reservoir for the possible occurring of accident the safety valve installation is depend on its type. In the FTA analysis, defects in the device itself which attached to the storage tank as a substitute for analysis of the probability of operator mistakes was Case B with as high as $2.01{\times}10^{-6}$. Depending on the type of installation analysis of Case B in order to ensure safety is prohibited to install shut-off valve and believes that mandatory regulations are needed. Rationally installing of pressure safety valve in the high pressure using facilities will be expected to improve the industrial safety from severe accidents such as high-pressure gas fire explosion.
Atmospheric pressure microwave induced plasmas are used to excite and ionize chemical species for elemental analysis, for plasma reforming, and for plasma surface treatment. Microwave plasma differs significantly from other plasmas and has several interesting properties. For example, the electron density is higher in microwave plasma than in radio-frequency (RF) or direct current (DC) plasma. Several types of radical species with high density are generated under high electron density, so the reactivity of microwave plasma is expected to be very high [1]. Therefore, useful applications of atmospheric pressure microwave plasmas are expected. The surface characteristics of SUS304 stainless steel are investigated before and after surface modification by microwave plasma under atmospheric pressure conditions. The plasma device was operated by power sources with microwave frequency. We used a device based on a coaxial transmission line resonator (CTLR). The atmospheric pressure plasma jet (APPJ) in the case of microwave frequency (880 MHz) used Ar as plasma gas [2]. Typical microwave Pw was 3-10 W. To determine the optimal processing conditions, the surface treatment experiments were performed using various values of Pw (3-10 W), treatment time (5-120 s), and ratios of mixture gas (hydrogen peroxide). Torch-to-sample distance was fixed at the plasma edge point. Plasma treatment of a stainless steel plate significantly affected the wettability, contact angle (CA), and free energy (mJ/$m^2$) of the SUS304 surface. CA and ${\gamma}$ were analyzed. The optimal surface modification parameters to modify were a power of 10 W, a treatment time of 45 s, and a hydrogen peroxide content of 0.6 wt% [3]. Under these processing conditions, a CA of just $9.8^{\circ}$ was obtained. As CA decreased, wettability increased; i.e. the surface changed from hydrophobic to hydrophilic. From these results, 10 W power and 45 s treatment time are the best values to minimize CA and maximize ${\gamma}$.
Hypertension is the chronic disease that the 16% of total population are suffering, and it needs to be studied to find alternative treatment because of the tolerance and side effect of medications that may bother some patients. in this paper, we verified practicality of implantable electrical stimulator that can readily change stimulus magnitude and frequency. And this device is possible to stimulate baroreflex or parasympathetic nerve. Therefore we performed in vitro tests and animal experiment for device's operating conditions. This device consist of implantable electrical stimulator and extracorporeal control/monitoring system. Stimulator was designed to make 1Hz~100Hz pulses and it can change continuous or periodic pulse train type. And this device can control stimulator's function and monitor stimulator's status and patients' blood pressure at exterior of body using ZigBee module as wireless telecommunication. We verified that stimulator have error rate under 5% at 50mm depth of organs and, stimulator makes high-efficiency energy with closer position of two electrodes. Also we can confirm the performance of device that decreasing blood pressure and heart rate of a rat by electrical stimulation.
Vessel sealing is a medical device that converts electrical or ultrasonic energy into thermal energy and leads to seal, coagulate, and cut the vessel by protein modification within the walls or surrounding connective tissues. As most of surgeries have recently been conducted with minimally invasive surgery, the demand and market for vessel sealing are expected to get bigger. However, there is a problem that electrosurgical or ultrasonic surgical is applied and we have a high risk to evaluate the strength of seal, because the collateral and particular standards currently in force follows have not been establish. Therefore, in this study, we investigated some papers studied on the efficacy and safety of the device, the guidance of FDA and test papers previously conducted from 3 individual subject device made in Korea. We found there is a relationship between burst pressure and the performance of the device, therefore, we propose the vascular bursting pressure test for evaluating the safety and performance of the vessel sealing.
It has been widely believed that the exact measurement of the forces exerted on teeth and its structures by the lingual and perioral musculatures such as lip, cheek and tongue is important and significant in dentistry. Such measuring, moreover, is highly emphasized the importance of the fact that it can be of much help to study the physiological function displayed in the oral cavity. Recognizing the importance of measuring the pressures, the author has devised an electronic device consisting of pressure transducers utilizing reistance-strnain gauges. This electronic strain gauge was very easy to manipulate and its scale error was extremely minimized, unaffected by mouth temperature, mosture and external forces Author was able to read its results with attached meter without using calibration chart. Futhermore, the sensitivity of this electronic device was extremely high, Thus it facilitated to measure a force from 0 to 230 grams.
복합 박막의 구조를 갖는 폴리아미드계 역삼투 분리막은 상용화되어 해수담수화 공정에 널리 적용되어져 왔다. 최근 고압·고회수율 공정은 기존의 해수 담수화 공정에 비해 에너지 비용 및 전처리의 규모의 측면에서 절감 효과를 가진다는 결과들이 발표되어왔다. 고압·고회수율 공정은 에너지 회수, 고압 펌프 설비, 그리고 고압 고염제거율의 역삼투막 개발에 의해 가능해 졌다. 본 연구에서는 기존의 해수담수화 공정에 사용되는 역삼투 분리막에 대한 고압·고회수율 공정 조건에서의 투과 성능을 조사하였다. 역삼투 분리막 평막의 평가에는 3.5%의 NaCl 수용액을 인공해수로 조제하여 실시하였으며 역삼투 분리막 모듈의 평가는 마산시 합포해변에서 자연 해수를 직접 사용하였다. 그 결과로 고압 고회수율 공정에 적합한 역삼투막은 고압에 대한 내압성을 갖는 역삼투막임을 보여준다. 고농축수에 대한 염제거율은 고압 운전에 의해 자연 향상되는 경향을 나타내었다.
Recently, the study on development of electrical and electronic device is done to get miniature, high degrees of integration and efficiency by using inorganic materials. the study of Langmuir-Boldgett(LB) method that uses organic materials because of the limitation for the ultrasmall size. In this paper, to do research for medical artificial organs as well as principal parts living body thin film application, electrical properties of L-$\alpha$-DLPC Langmuir(L) films were investigated a displacement current measuring technique with pressure stimulation. We give pressure stimulation into organic thin films and then manufacture a device under the accumulation condition that the state surface pressure is 20[mN/m]. LB layers of L-$\alpha$-DLPC deposited by LB method ...
A non-volatile resistive random access memory (RRAM) device with a Cr-doped $SrZrO_3/SrRuO_3$ bottom electrode heterostructure was fabricated on $SrTiO_3$ substrates using pulsed laser deposition. During the deposition process, the substrate temperature was $650^{\circ}C$ and the variable ambient oxygen pressure had a range of 50-250 mTorr. The sensitive dependences of the film structure on the processing oxygen pressure are important in controlling the bistable resistive switching of the Cr-doped $SrZrO_3$ film. Therefore, oxygen pressure plays a crucial role in determining electrical properties and film growth characteristics such as various microstructural defects and crystallization. Inside, the microstructure and crystallinity of the Cr-doped $SrZrO_3$ film by oxygen pressure were strong effects on the set, reset switching voltage of the Cr-doped $SrZrO_3$. The bistable switching is related to the defects and controls their number and structure. Therefore, the relation of defects generated and resistive switching behavior by oxygen pressure change will be discussed. We found that deposition conditions and ambient oxygen pressure highly affect the switching behavior. It is suggested that the interface between the top electrode and Cr-doped $SrZrO_3$ perovskite plays an important role in the resistive switching behavior. From I-V characteristics, a typical ON state resistance of $100-200\;{\Omega}$ and a typical OFF state resistance of $1-2\;k{\Omega}$, were observed. These transition metal-doped perovskite thin films can be used for memory device applications due to their high ON/OFF ratio, simple device structure, and non-volatility.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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