• Nuclear Engineering and Technology
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• 제35권3호
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• pp.214-225
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• 2003

A teleoperated manipulator system has been developed for remote handling of the spent fuel bundles. A heavy-duty power manipulator with high reduction ratio joints is used for the slave manipulator in the developed system since the handling tasks of the spent fuel bundles need power. Also, the universal type master manipulator, which has force reflecting capability, is used for precise remote manipulation. The power manipulators so frequently occur the control input saturation that the precise control performances are not achieved due to the windup phenomenon. An advanced bilateral control scheme compensating for the saturation is applied to the teleoperated manipulator system. The validity of the developed system is verified by the grid cutting and fuel transportation tasks from the mockup spent fuel bundle.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제26권10호
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• pp.1567-1570
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• 2022

This paper, we presents a RF protection technique of antenna switch by improving the power handling capability in worst case environment mode for mobile phone applications without critical payment of circuit performances such as insertion loss, isolation and ACBV (AC breakdown voltage). By applying a additional capacitive path located in front of the antenna in cell-phone, it performs the effective reduction of input power in high voltage standing wave ratio (VSWR) condition. Under the all-path off condition which causes a high VSWR, it achieved 37.7dBm power handling level as high as 5.7dB compared to that of conventional one at 2GHz. In addition, insertion loss and isolation performances were 0.31dB and 42.72dB at 2 GHz, respectively which were almost similar to that of the conventional circuit. The proposed antenna switch was fabricated in 130nm CMOS SOI technology.

• Journal of Power Electronics
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• 제9권3호
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• pp.410-417
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• 2009

This paper represents a design and implementation of a digital controller for a multi-phase synchronous buck converter (SBC) using a digital signal processor (DSP). The multi-phase SBC has generally been used for a voltage regulation module (VRM) of a microprocessor because of its high current handling capability at a low output voltage. The VRM requires high control performance of tight output regulation, high slew rate, and load sharing capability of multiple converters. In order to achieve these requirements, the design and implementation of a digital control system for a multi-phase SBC are presented in this paper. The digital PWM generation, current sensing, and voltage and current controller using a DSP TMS320F2812 are considered. The experimental results are provided to show the validity of the implemented digital control system.

• 한국전자파학회논문지
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• 제28권1호
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• pp.49-60
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• 2017

본 논문에서는 임의의 정지궤도 위성의 고출력증폭기(120 W급) 후단에 구성되는 X-대역 원통형 도파관 캐비티 필터의 고전력 핸들링 능력을 연구하고, 그 결과를 제시하였다. 필터의 차수는 6차로 정하였고, 공진기 크기를 원형통 캐비티 모드 차트로부터 도출한 후, 필터의 물리적인 기본 형상을 설계하였다. 이차 전자모델(SEM)인 전자수 진화 시뮬레이션 방법과 전압배율인자(VMF) 방법을 이 필터에 적용하여 멀티팩터(multipactor) 마진을 분석하고 비교하였다. 이 결과, VMF 방법이 전자수 진화 시뮬레이션 방법보다 더 낮은 멀티팩터 임계값을 제공하는 것으로 나타났다. VMF 방법으로 얻은 멀티팩터 분석 마진 값을 유럽표준(ECSS)에서 정하는 기준 마진(단일 캐리어의 경우 8 dB)과 비교하여 실제 시험이 필요하다고 판단하였고, 유럽우주기구(ESA) 시설에서 수행된 시험에서 540 W까지 RF 신호를 입력하였을 때 멀티팩터가 발생하지 않음을 확인하였다. 따라서 분석과 시험을 통하여 X-대역 원통형 도파관 캐비티 필터는 정지궤도에서 운용에 필요한 충분한 고전력 취급 능력이 있음을 보였다.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제11권5호
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• pp.34-41
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• 2008

This paper describes the design of SP3T PIN diode switch which has a 500W high power handling capability in $20{\sim}400MHz$ frequency range. Design factors were investigated and it was confirmed by simulation that the characteristics of insertion loss, VSWR, and isolation met design goal. Also, the capability to handle 500W high power with very fast switching speed of less than $26{\mu}s$ was confirmed and insertion loss of less than 1dB, VSWR of less than 1.4:1, and isolation of higher than 60dB were obtained by experiments.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권9호
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• pp.992-999
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• 2008

본 논문은 $20{\sim}100$ MHz 범위의 VHF 대역에서 $50{\mu}s$ 이내에 2 kW 이상의 고전력 신호를 제어할 수 있는 SPST(Single Pole Single Throw) PIN 다이오드 스위치의 설계 및 제작에 관하여 기술하였다. 고전력 스위치 설계에 필요한 설계 요소를 고찰하였고, 시뮬레이션을 통해 설계된 스위치의 삽입 손실, VSWR 및 격리도 특성이 목표 값을 만족함을 확인하였다. 또한, 실험을 통하여 최대 $20{\mu}s$ 이하의 빠른 스위칭 속도로서 2 kW의 고전력 취급이 가능함을 알 수 있었고, 0.2 dB 이하의 삽입 손실, 1.17:1 이하의 VSWR 및 40 dB 이상의 격리도 특성을 얻었다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제43권1호
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• pp.143-148
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• 2006

본 논문에서는 이중대역 무선랜 응용을 위한 SPDT(single-pole double-throw) 스위치를 설계 및 제작하였다. 높은 격리도와 송신단의 선형성을 개선하기 위해 적층-게이트(stacked-gate)를 이용하는 비대칭구조를 제안하였다. 제안한 SPDT 스위치의 트랜지스터의 게이트-폭과 제어전압 그리고 적층-게이트의 개수는 모의실험을 통해 최적의 값으로 설계되었고, 500mS/mm의 Gmmax와 150GHz의 fmax를 갖는 $0.25{\mu}m$ GaAs pHEMT 공정을 이용하여 제작하였다. 설계된 스위치는 $DC\~6GHz$ 대역에서 0.9dB 이하의 삽입손실과 송신시 40dB 이상의 격리도와 수신시 25dB 이상의 격리도를 나타내었고, -3/0V 제어전압으로 23dBm의 입력 PldB 를 보였다. 제작된 SPDT 스위치는 $1.8mm{\times}1.8mm$의 면적을 갖는다.

• 전기학회논문지
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• 제58권7호
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• pp.1363-1374
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• 2009

This paper reviews the characteristics and technical trends in Power MOSFET technology that are leading to improvements in power loss for power electronic system. The silicon bipolar power transistor has been displaced by silicon power MOSFET's in low and high voltage system. The power electronic technology requires the marriage of power device technology with MOS-gated device and bipolar analog circuits. The technology challenges involved in combining power handling capability with finger gate, trench array, super junction structure, and SiC transistor are described, together with examples of solutions for telecommunications, motor control, and switch mode power supplies.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.364-371
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• 2007

본 논문에서는 와이브로 기지국 시스템을 위한 고전력 PIN 다이오드 스위치와 고속 스위치 구동회로에 대한 설계와 측정 결과를 제공한다. 일반적인 전력용 팩키지 다이오드의 기생 인덕턴스에 의한 격리도 열화를 막고 다이오드 스위치의 전력 능력을 향상시키기 위해 칩 형태의 다이오드를 사용하였으며, 본딩 와이어에 의한 직렬 인덕턴스는 전송선로의 임피던스에 쉽게 흡수될 수 있도록 회로를 구성하였다. 구현된 스위치 모듈은 사용된 다이오드의 개수를 최대한 줄이면서 최대의 성능을 얻을 수 있도록 설계되었으며 2.35 GHz에서 써큘레이터의 손실을 포함하여 약 0.84 dB의 삽입 손실과 80 dB 이상의 격리도 특성을 보였다. 또한 TTL 신호를 통한 스위치 모듈의 제어를 위해 스위치 구동회로를 설계, 제작하였으며 스위칭 속도는 200 nsec로 측정되었다. 스위치 모듈은 디지털 변조된 고전력 신호에 의해 전력능력이 시험되었으며 70 W의 전력이 인가되는 경우에도 정상적으로 동작하는 특성을 보여주었다.

• Journal of Power Electronics
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• 제12권6호
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• pp.954-959
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• 2012

A hybrid switch that uses a microelectromechanical system (MEMS) switch as a gate driver of a MOSFET is applied to an energy harvesting system. The power management circuit adopting the hybrid switch provides ultralow leakage, self-referencing, and high current handling capability. Measurements show that solar energy harvester circuit utilizing the MEMS-MOSFET hybrid switch accumulates energy and charges a battery or drive a resistive load without any constant power supply and reference voltage. The leakage current during energy accumulation is less than 10 pA. The power management circuit adopting the proposed hybrid switch is believed to be an ideal solution to self-powered wireless sensor nodes in smart grid systems.