Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.44
no.11
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pp.48-53
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2007
In this paper, a high LO-RF isolation W-band MIMIC single-balanced mixer was designed and fabricated using a branch line coupler and a ${\lambda}/4$ transmission line. The W-band MIMIC single-balanced mixer was designed using the $0.1\;{\mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT diode. The fabricated MHEMT was obtained the cut-off frequency($f_T$) of 154 GHz and the maximum oscillation frequency($f_{max}$) of 454 GHz. The designed MIMIC single-balanced mixer was fabricated using $0.1\;{\mu}m$ MHEMT MIMIC process. From the measurement, the conversion loss of the single-balanced mixer was 12.8 dB at an LO power of 8.6 dBm. P1 dB(1 dB compression point) of input and output were 5 dBm and -8.9 dBm, respectively. The LO-RF isolations of single-balanced mixer was obtained 37.2 dB at 94 GHz. We obtained in this study a higher LO-RF isolation compared to some other balanced mixers in millimeter-wave frequencies.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.36D
no.3
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pp.66-74
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1999
InAlGaAs/InGaAs HBTs with the various emitter junction gradings(xf=0.0-1.0) and the modified collector structures (collector- I;n-p-n, collector-II;i-p-n) are simulated and analyzed by HMC (Hybrid Monte Carlo) method in order to find an optimum structure for the shortest transit time. A minimum base transit time($ au$b) of 0.21ps was obtainsed for HBT with the grading layer, which is parabolically graded from $x_f$=1.0 and xf=0.5 at the emitter-base interface. The minimum collector transit time($\tau$c) of 0.31ps was found when the collector was modified by inserting p-p-n layers, because p layer makes it possible to relax the electric field in the i-type collector layer, confining the electrons in the $\Gamma$-valley during transporting across the collector. Thus InAlGaAs/InGaAs HBT in combination with the emitter grading($x_f$=0.5) and the modified collector-III showed the transit times of 0.87 psec and the cut-off frequency (f$\tau$) of 183 GHz.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.19
no.9
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pp.985-991
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2008
This paper presents a novel balanced mixer receiver front-end design based on a metamaterial structure applicable to differential-/common-mode excitation. This metamaterial structure functions as a leaky-wave antenna and provides in-trinsic common-mode suppression. Low LO leakage and high RF to LO isolation are achieved without additional filters for LO and RF paths. The metamaterial is based on a unit-cell which under a differential-mode excitation behaves like a composite right/left-handed(CRLH) metamaterial. In contrast, the metamaterial unit-cell is below cut-off under a common-mode excitation. Experimental results are used to verify the proposed metamaterial's differential-/common-mode characteristics. The metamaterial is integrated with a balanced mixer design resulting in an operation frequency range of $1.96{\sim}2.40$ GHz with an optimum mixer conversion loss of 21.1 dB at 2,4 GHz.
Rhee, Dong Joo;Kim, Me Young;Moon, Young Min;Jeong, Dong Hyeok
Progress in Medical Physics
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v.27
no.2
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pp.55-63
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2016
We studied the method to gain a clear LSF using a thick aluminum sheet and to acquire the spatial resolution value with a high accuracy for a low spatial resolution imaging modality. In this study, aluminum sheets with thicknesses varying from 0.3 mm to 1.2 mm were tested to derive a modulation transfer function (MTF) for the oversampling and non-oversampling methods. The results were evaluated to verify the feasibility of the use of thick sheets for periodic quality assurance. Oversampling was more accurate than non-oversampling, and an aluminum sheet with a correction factor less than 2 at the cut-off frequency, which was less than 0.8 mm in this case, was confirmed to be suitable for MTF measurements. Therefore, MTF derivation from a thick aluminum sheet with thickness correction is plausible for a medical imaging modality.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.48
no.7
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pp.76-81
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2011
A new via cutting structure in 2-layer DRAM package substrate has been fabricated to lower its power distribution network(PDN) impedance. In new structure, part of the via is cut off vertically and its remaining part is designed to connect directly with the bonding pad on the package substrate. These via structure and substrate design not only provide high routing density but also improve the PDN impedance by shortening effectively the path from bonding pad to VSSQ plane. An additional process is not necessary to fabricate the via cutting structure because its structure is completed at the same time during a process of window area formation. Also, burr occurrence is minimized by filling the via-hole inside with a solder resist. 3-dimensional electromagnetic field simulation and S-parameter measurement are carried out in order to validate the effects of via cutting structure and VDDQ/VSSQ placement on the PDN impedance. New DRAM package substrate has a superior PDN impedance with a wide frequency range. This result shows that via cutting structure and power/ground placement are effective in reducing the PDN impedance.
Kim J. M.;Kim K. D.;Lee Y. H.;Yu K. K.;Kim K. W.;Kwon H. C.;Sasada Ichiro
Progress in Superconductivity
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v.7
no.1
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pp.46-51
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2005
We have developed control electronics to operate flux-locked loop (FLL), and analog signal filters to process FLL outputs for 64-channel Double Relaxation Oscillation SQUID (DROS) magnetocardiography (MCG) system. Control electronics consisting of a preamplifier, an integrator, and a feedback, is compact and low-cost due to larger swing voltage and flux-to-voltage transfer coefficients of DROS than those of dc SQUIDs. Analog signal filter (ASF) serially chained with a high-pass filter having a cut-off frequency of 0.1 Hz, an amplifier having a gain of 100, a low-pass filter of 100 Hz, and a notch filter of 60 Hz makes FLL output suitable for MCG. The noise of a preamplifier in FLL control electronics is $7\;nV/{\surd}\;Hz$ at 1 Hz, $1.5\;nV/{\surd}\;Hz$ at 100 Hz that contributes $6\;fT/{\surd}\;Hz$ at 1 Hz, $1.3\;fT/{\surd}\;Hz$ at 100 Hz in readout electronics, and the noise of ASF electronics is $150\;{\mu}V/{\surd}\;Hz$ equivalent to $0.13\;fT/{\surd}\;Hz$ within the range of $1{\sim}100\;Hz$. When DROSs are connected to readout electronics inside a magnetically shielded room, the noise of 64-channel DROS system is $10\;fT/{\surd}\;Hz$ at 1 Hz, $5\;fT/{\surd}\;Hz$ at 100 Hz on the average, low enough to measure human MCG.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.45
no.4
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pp.1-6
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2008
In this paper, millimeter-wave broadband MHEMT (Metamorphic High Electron Mobility Transistor) cascode amplifiers were designed and fabricated. The $0.1{\mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs MHEMT was fabricated for cascode amplifiers. The DC characteristics of MHEMT are 670 mA/mm of drain current density, 588 mS/mm of maximum transconductance. The current gain cut-off frequency($f_T$) is 139 GHz and the maximum oscillation frequency($f_{max}$) is 266 GHz. To prevent oscillation of the designed cascode amplifiers, a parallel resistor and capacitor were connected to the drain of common gate device. By using the CPW (Coplanar Waveguide) transmission line, the cascode amplifier was designed and matched for the broadband characteristics. The designed amplifier was fabricated by the MHEMT MMIC process that was developed through this research. As the results of measurement, the amplifier was obtained 3 dB bandwidth of 50.37 GHz between 20.76 to 71.13 GHz. Also, this amplifier represents the S21 gain with the average 7.07 dB gain in bandwidth and the maximum gain of 10.3 dB at 30 GHz.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.41
no.12
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pp.7-12
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2004
In this paper, CPW wideband distributed amplifier was designed and fabricated using 0.1 $\mum$ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT(High Electron Mobility Transistor). The DC characteristics of MHEMT are 442 mA/mm of drain current density, 409 mS/mm of maximum transconductance. The current gain cut-off frequency(fT) is 140 GHz and the maximum oscillation frequency(fmax) is 447 GHz. The distributed amplifier was designed using 0.1 $\mum$ MHEMT and CPW technology. We designed the structure of CPW curve, tee and cross to analyze the discontinuity characteristics of the CPW line. The MIMIC circuit patterns were optimized electromagnetic field through momentum. The designed distributed amplifier was fabricated using our MIMIC standard process. The measured results show S21 gain of above 6 dB from DC to 45 GHz. Input reflection coefficient S11 of -10 dB, and output reflection coefficient S22 of -7 dB at 45 GHz, respectively. The chip size of the fabricated CPW distributed amplifier is 2.0 mm$\times$l.2 mm.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.42
no.5
s.335
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pp.61-68
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2005
In this paper, low conversion loss 94 GHz MIMIC resistive mixer was designed and fabricated. The $0.1{\mu}m$ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT, which is applicable to MIMIC's, was fabricated. The DC characteristics of MHEMT are 665 mA/mm of drain current density, 691 mS/mm of maximum transconductance. The current gain cut-off frequency(fT) is 189 GHz and the maximum oscillation frequency(fmax) is 334 GHz. A 94 GHz resistive mixer was fabricated using $0.1{\mu}m$ MHEMT MIMIC process. From the measurement, the conversion loss of the 94 GHz resistive mixer was 8.2 dB at an LO power of 10 dBm. P1 dB(1 dB compression point) of input and output were 9 dBm and 0 dBm, respectively. LO-RF isolations of resistive mixer was obtained 15.6 dB at 94.03 GHz. We obtained in this study a lower conversion loss compared to some other resistive mixers in W-band frequencies.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.39
no.1
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pp.18-24
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2002
n this paper, we have fabricated pseudomorphic high electron mobility transistors (PHEMT) with a 0.2 ${\mu}{\textrm}{m}$ wide-head T-shaped gate using electron beam lithography by a dose split method. To make the T-shape gate with gate length of 0.2 ${\mu}{\textrm}{m}$ and gate head size of 1.3 ${\mu}{\textrm}{m}$ we have used triple layer resist structure of PMMA/P(MMA-MAA)/PMMA. The DC characteristics of PHEMT, which has 0.2 ${\mu}{\textrm}{m}$ of gate length, 80 ${\mu}{\textrm}{m}$ of unit gate width and 4 gate fingers, are drain current density of 323 ㎃/mm and maximum transconductance 232 mS/mm at $V_{gs}$ = -1.2V and $V_{ds}$ = 3V. The RF characteristics of the same device are 2.91㏈ of S21 gain and 11.42㏈ of MAG at 40GHz. The current gain cut-off frequency is 63GHz and maximum oscillation frequency is 150GHz, respectively.ively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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