An, Sung-Yong;Lee, Sang-Won;Shim, In-Bo;Yun, Sung-Roe;Kim, Chul-Sung
Journal of Magnetics
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제6권1호
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pp.23-26
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2001
Nano-crystalline hexaferrite $BaFe_{12}O_{19}$(BaM) thin films have been prepared by the sol-gel method. A solution of Ba-nitrate and Fe-nitrates was dissolved in solvent with the stoichiometric ratio Ba/Fe=1/10. Films were spin-coated onto $SiO_2$Si substrates, dried and then heated in air at various temperatures. In films prepared at a drying temperature $T_d=250^{\circ}C$ and a crystallizing temperature 650${\circ}C$, single-phase BaM was obtained. High coercivities were obtained in these nano-crystalline thin films, 4~5.5 kOe for hexaferrite. Polycrystalline BaM/$SiO_2$/Si(100) thin films were characterized by Rutherford backscattering (RBS), thermogravimetry (TGA), differential thermal analysis (DTA), x-ray diffraction (XRD), and vibrating sample magnetometry (VSM), as well as Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). The perpendicular coercivity $H_{C\bot}$ and in-plane coercivity $H_{CII}$ after annealing at 650${\circ}C$ for 2 hours were 4766 Oe and 4480 Oe, respectively, at room temperature, under a maximum applied field of 10 kOe.
We demonstrate that a partial loading of $Ni_{0.5}Zn_{0.5}Fe_2O_4$ (Ni-Zn ferrite) film remarkably improves impedance matching of electrically small $Ba_3Co_2Fe_{24}O_{41}$ ($Co_2Z$) hexaferrite antenna. A 3 ${\mu}m$ thick Ni-Zn ferrite film was deposited on a silicon wafer by the electrophoresis deposition process and post-annealed at $400^{\circ}C$. The fabricated Ni-Zn ferrite film has saturation magnetization of $268emu/cm^3$ and coercivity of 89 Oe. A partial loading of the Ni-Zn ferrite film on the $Co_2Z$ hexaferrite helical antenna increases antenna return loss to 24.7 dB from 9.0 dB of the $Co_2Z$ antenna. Experimental results show that impedance matching and maximum input power transmission to the antenna without additional matching elements can be realized, while keeping almost the same size as the $Co_2Z$ antenna size.
Polycrystalline $BaSrCo_2(Fe_{1-x}Al_x)_{12}O_{22}$ (x = 0.00, 0.01, 0.05, and 0.10) samples were synthesized by polymerizable complex method. Based on the Rietveld refinement, crystal structures of the samples were found to be single-phased and determined to be rhombohedral with space group of R-3m. The hysteresis curves of the samples were measured under 15 kOe at various temperatures ranging from 4.2 and 295 K. It shows that they were not saturated with increasing Al ion contents due to the reduction of magnetic anisotropy. $M_{15kOe}$ was decreased with increasing Al ions contents. We expect that non-magnetic Al ions preferentially occupy the up-spin site of $18h_{VI}$, $3b_{VI}$, and $3a_{VI}$. The $M{\ddot{o}}ssbauer$ spectra of the samples were obtained at 295 K, and analyzed with sixsextets for Fe sites corresponding to the Y-type hexaferrite crystallography sites. The <$E_Q$> shows abrupt changes, and the <$H_{hf}$> shows abrupt decreases around x = 0.05 due to the coexistence of magnetic secondary phases.
Hexaferrite $Ba_{0.25}Sr_{0.75}Fe_{12}O_{19}$에 $SiO_{2}$를 첨가한 쉬트자석의 자기적 성질의 변화를 연구하기 위해 X-선 회절 실험, 뫼스바우어 분광실험, 자기모멘트 측정실험 등을 하였다. 쉬트자석은 Dr. Blade 방법에 의해 제조되었고, 결정구조는 마그네토플럼바이트 M-type 육방결정구조이다. 첨가제 농도에 따른 격자상수의 변화는 거의 없으나, $SiO_{2}$가 2.0 wt.% 이상부터 ${\alpha}-Fe_{2}O_{3}$ 의 상이 나타나기 시작했다. 이성질체 이동값은 Fe이온들이 3가 임을 나타낸다. $SiO_{2}$의 증가에 따라 Curie 온도는 감소함을 보였다. 이것은 $Si^{4+}$가 12k-site $Fe^{3+}$의 자리를 차지함으로써 Fe-O-Fe의 초교환상호작용에 의한 원자간 거리와 양이온 사이의 각이 변함에 따른 것이다. ${\alpha}-Fe_{2}O_{3}$의 상은 $Si^{4+}$가 12k-site $Fe^{3+}$의 자리를 차지함으로 치환된 $Fe^{3+}$에 의해 나타난 것이다. 자기모멘트측정으로 부터 $SiO_{2}$를 첨가한 $Ba_{0.25}Sr_{0.75}Fe_{12}O_{19}$ 쉬트자석은 보자력 $H_{c}$, 포화자화 $M_{s}$, 잔류자화 $M_{r}$이 양이온 치환보다는 미세구조변화에 더 의존함을 알았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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