• 한국분말재료학회지
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• 제4권3호
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• pp.196-204
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• 1997

Joining of AIN ceramics to W and Cu by active-metal brazing method was tried with use of (Ag-Cu)-Ti alloy as insert-metal. Joints were produced under various conditions of temperature, holding time and Ti-content in (Ag-Cu) alloy Reaction and microstructural development in bonded interface were investigated through observation and analysis by SEM/EDS, EPMA and XRD. Joint strengths were measured by shear test. Bonded interface consists of two layers: an insert-metal layer of eutectic Ag- and Cu-rich phases and a reaction layer of TiN. Thickness of reaction layer increases with bonding temperature, holding time and Ti-content of insert-metal. It was confirmed that the growth of reaction layer is a diffusion-controlled process. Activation energy for this process was 260 KJ/mol which is lower than that for N diffusion in TiN. Maximum shear strength of 108 MPa and 72 MPa were obtained for AIN/W and AIN/Cu joints, respectively. Relationship between processing variables, joint strength and thickness of reaction layer was also explained.

• 한국주조공학회지
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• 제17권4호
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• pp.371-378
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• 1997

The study for direct synthesis of TaC carbide which was a reaction product of tantalum and carbon in the cast iron was performed. Cast iron which has hypo-eutectic composition was cast bonded in the metal mold with tantalum thin sheet of thickness of $100{\mu}m$. The contents of carbon and silicon of cast iron matrix was controlled to have constant carbon equivalent of 3.6. The chracteristics of microstructure and the formation mechanism of TaC carbide in the interfacial reaction layer in the cast iron/tantalum thin sheet heat treated isothermally at $950^{\circ}C$ for various time were examined. TaC carbide reaction layer was grown to the dendritic morphology in the cast iron/tantalum thin sheet interface by the isothermal heat treatment. The composition of TaC carbide was 48.5 at.% $Ti{\sim}48.6$ at.% C-2.8 at.% Fe. The hardness of reaction layer was MHV $1100{\sim}1200$. The thickness of reaction layer linearly increased with increasing the total content of carbon in the cast iron matrix and isothermal heat treating time. The growth constant for TaC reaction layer was proportional to the log[C] of the matrix. The formation mechanism of TaC reaction layer at the interface of cast iron/tantalum thin sheet was proved to be the interfacial reaction.

• Asian-Australasian Journal of Animal Sciences
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• 제28권12호
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• pp.1686-1695
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• 2015

Molecular marker selection has been an acceptable tool in the acceleration of the genetic response of desired traits to improve production performance in chickens. The crossbreds from commercial parent stock (PS) broilers with four Thai synthetic breeds; Kaen Thong (KT), Khai Mook Esarn (KM), Soi Nin (SN), and Soi Pet (SP) were used to study the association among chicken growth hormones (cGH) and the insulin-like growth factor (IGF-I) genes for growth and carcass traits; for the purpose of developing a suitable terminal breeding program for Thai broilers. A total of 408 chickens of four Thai broiler lines were genotyped, using polymerase chain reaction-restriction fragment length polymorphism methods. The cGH gene was significantly associated with body weight at hatching; at 4, 6, 8, 10 weeks of age and with average daily gain (ADG); during 2 to 4, 4 to 6, 0 to 6, 0 to 8, and 0 to 10 weeks of age in $PS{\times}KM$ chickens. For $PS{\times}KT$ populations, cGH gene showed significant association with body weight at hatching, and ADG; during 8 to 10 weeks of age. The single nucleotide polymorphism variant confirmed that allele G has positive effects for body weight and ADG. Within carcass traits, cGH revealed a tentative association within the dressing percentage. For the IGF-I gene polymorphism, there were significant associations with body weight at hatching; at 2, 4, and 6 weeks of age and ADG; during 0 to 2, 4 to 6, and 0 to 6 weeks of age; in all of four Thai broiler populations. There were tentative associations of the IGF-I gene within the percentages of breast muscles and wings. Thus, cGH gene may be used as a candidate gene, to improve growth traits of Thai broilers.

• 한국재료학회지
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• 제10권3호
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• pp.241-245
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• 2000

고온에서 증발된 금속 갈륨 (Ga)을 암모니아 ($NH_3$) 기체와 직접 반응시켜 사파이어 (${\alpha}-Al_2O_3$) 기판 위에 GaN 후막을 성장하였다. 성장된 GaN는 주로 [0002] 방향으로 성장하였으나 낮은 성장온도에서는 [1011] 방향의 성장이 관찰되었으며 V-형태를 가진 매우 거친 표면을 보였다. 그러나 성장온도가 증가하면 [1010]와 [1011] 방향으로 성장이 관찰되었으며 피라미드면을 가진 육방정 결정이 성장되었다. 성장된 GaN의 두께는 온도가 증가할수록 증가하였으나, $1270^{\circ}C$의 고온에서는 열분해를 일으켜 두께가 감소하였다. 공급된 $NH_3$의 유량이 증가할수록 GaN의 결정성과 광특성은 향상되었다. X-선 회절기 (X-ray diffraction)와 광루미네센스(photoluminescence) 분석결과로 GaN 후막이 (1010) 면으로 성장되면 황색발광이 증가됨을 관찰할 수 있었다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 기술심포지움 논문집
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• pp.133-137
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• 2003

The effect of Bi additions to the eutectic Sn-3.5Ag solder alloy on the growth kinetics of the intermetallic compound (IMC) layers during solid-state aging of Sn-Ag-Bi/Cu solder joints has been Investigated. The Bi additions enhanced the growth rate of the total IMC layer comprising of $Cu_6Sn_5$ and $Cu_3Sn$ sublayers. This enhanced IMC growth rate was primarily due to the rapid increase In the growth rate of $Cu_6Sn_5$ sublayer. The growth rate of $Cu_3Sn$ sublayers was little influenced and appeared to be retarded by the Bi additions. The observed growth behavior of $Cu_6Sn_5$ and $Cu_3Sn$ sublayers could be understood if the interfacial reaction barrier at the $Cu_6Sn_5/solder$ interface were reduced by the segregation of Bi at the interface.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권6호
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• pp.563-569
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• 1999

수평형 반응로에서 $TMS[Si(CH_3)_4]-H_2$ 와 H$_2$가스를 이용하여 SiC 초미분말 합성시 최적 공정 조건을 알아보기 위하여 수치모사방법을 이용하였다. 이론적인 해석 결과, 반응온도가 증가함에 따라 TMS의 전환률은 증가하였지만, 수소유량이 증가함에 따라서는 TMS 전환률이 감소하였다. 또한 반응온도가 높을수록 기상의 충돌확률이 증가하여 최종 생성된 SiC 입자농도는 감소하였지만, 수소유량과 TMS 농도가 증가하는 경우에서는 생성된 입자농도가 증가하였다. 한편 입자크기는 반응온도와 초기 TMS 농도가 증가함에 따라 증가하였지만 수소유량이 증가하는 결향을 나타내었다. 이러한 반응온도, 수소유량 및 TMS 농도에 따른 입자크기 변화는 실제 실한 결과와 이론적으로 고찰한 결과가 일치하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권4호
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• pp.336-346
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• 1994

용융 silicon과 carbon 입자가 어떠한 반응관계를 나타내는가를 알아보기 위하여 sili-con만으로 된 powder와 silicon에 carbon을 0.2wt%의 비율로 혼합한 powder와 silicon에 carbon을 0.2wt%의 비율로 혼합한 powder를 silicon의 용융점 이사의 고온인 $1450^{\circ}C, 1550^{\circ}C, 1650^{\circ}C, 1700^{\circ}C$에서 각각 1시간, 4시간을 유지시킨 다음 quenching시켜 각각의 조건에 따른 반응의 정도 및 상의 분포와 morphology의 분석을 통해 melt sili-con의 morphology 변화,carbon이 함유된 silicon의 조건에 따른 물성변화 및 SiC의 형성여부를 조사하기 위하여 광학현미경과 SEM, XRD등을 이용하여 시편의 미세구조 및 결정화 양상을 관찰하였다. 용융점 이상의 온도에서 quartz는 연화하여 분해반응을 일으켜 산소를 내놓고 이것이 silicon과 결합하여 SiO로써 기체상태로 휘발하게 되어 silicon melt에 산소침투로 인항 표면결함을 형성하며, liquid silicon속에 용융되어 있던 carbonrhk 불순물로써 grain boundary를 따라 존재 하고 있는 미반응의 carbon이 용융상태 silicon과 반응하여 SiC를 형성한다. SiC 결정은 고화계 면에서 발생하게 되며 생성되는 결정은 ${\alpha}-SiC$이었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제17권3호
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• pp.95-101
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• 2007

수열합성 장치를 이용하여 종자 결정이 도포된 알루미나 지지체 위에 제올라이트 박막을 합성하였다. X-선 회절 분석과 전자현미경 사진을 이용하여 반응기 내에 생성된 제올라이트 A 분말과 제올라이트 A박막의 생성과 전이 생성물에 대해 합성온도, 합성시간, 종자결정의 영향에 대해서 고찰하였다. 제올라이트 A박막의 생성은 지지체 표면에 도포된 종자 결정에서 치밀한 연속적인 박막이 형성된 다음 용해과정을 거쳐 결정의 크기가 큰 다결정 층을 형성하고, 최종적으로 소다라이트를 거쳐 무정형으로 진행하였다. 반면에 분말에서는 반응초기부터 소다라이트가 관찰되는데 고정된 제올라이트 A 박막과 다르게 결정주위의 공간적인 차이에 의해 소다라이트가 생성하기에 용이한 공간을 갖기 때문에 소다라이트가 쉽게 생성되는 것으로 생각된다. 합성온도가 높으면 짧은 시간 내에 전이 생성물을 거쳐 무정형으로 진행하였고 온도가 낮으면 합성 시간이 길고 피복도가 다소 낮은 제올라이트 A 박막을 얻었다. $120^{\circ}C$, 12시간에서 피복도가 높은 치밀한 제올라이트 A박막을 합성하였다.

• 한국주조공학회지
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• 제22권2호
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• pp.89-96
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• 2002

This study examined the effects of adding Zn to Sn-3.5Ag solder on the microstructure changes and behavior of interface reaction of the solder joint with Cu substrate. The solder/Cu joints were examined with microscope to observe the characteristics of microstructure changes and interfacial reaction layer with aging treatment for up to 120 days at $150^{\circ}C$. Results of the microstructure changes showed that the microstructures were coarsened with aging treatment, while adding 1%Zn suppresses coarsening microstructures. The Sn-3.5Ag/Cu had a fast growth rate of the reaction layer in comparison with the Sn-3.5Ag-1Zn at the aging temperature of $150^{\circ}C$. Through the SEM/EDS analysis of solder joint, it was proved that intermetallic layer was $Cu_6Sn_5$ phase and aged specimens showed that intermetallic layer grew in proportion to $t^{1/2}$, and the precipitate of $Ag_3Sn$ occur to both inner layer and interface of layer and solder. In case of Zn-containing composite solder, $Cu_6Sn_5$ phase formed at the side of substrate and Cu-Zn-Sn phase formed at the other side in double layer. It seems that Cu-Zn-Sn phase formed at solder side did a roll of banrier to suppress the growth of the $Cu_6Sn_5$ layer during the aging treatment.

• 한국결정성장학회지
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• 제11권2호
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• pp.43-48
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• 2001

Ga-melt내에서 $NH_3$기체를 직접 반응시켜 GaN미세결정을 합성하였다. 약 1기압의 NH$_3$기체 분위기에서 bubbling을 적용하였고, 0.5~30$\mu \textrm{m}$ 크기의 진회색의 GaN 미세결정을 합성하였다. 또한, 반응 온도를 증가시켰을 때 반응 수율이 증가함을 확인하였다. 합성된 GiN미세결정을 입도분석, SEM, XRD 및 PL측정 등으로 결정성을 분석하였다. 합성된 GaN미세결정은 850~$1150^{\circ}C$의 반응온도 변화에 따라 결정 형태와 광학적 특성이 변화함을 확인하였다. 특히, $1050^{\circ}C$에서 합성된 GaN미세결정이 결정성이 우수하고, yellow band omission이 낮게 나타남을 확인하였다.