ZnO wire-like thin films were synthesized through thermal oxidation of sputtered Zn metal films in dry air. Their nanostructure was confirmed by SEM, revealing a wire-like structure with a width of less than 100 nm and a length of several microns. The gas sensors using ZnO wire-like films were found to exhibit excellent $H_2$ gas sensing properties. In particular, the observed high sensitivity and fast response to $H_2$ gas at a comparatively low temperature of $200^{\circ}C$ would lead to a reduction in the optimal operating temperature of ZnO-based $H_2$ gas sensors. These features, together with the simple synthesis process, demonstrate that ZnO wire-like films are promising for fabrication of low-cost and high-performance $H_2$ gas sensors operable at low temperatures. The relationship between the sensor sensitivity and $H_2$ gas concentration suggests that the adsorbed oxygen species at the surface is $O^-$.
Highly uniform and well-dispersed Zeolitic Imidazolate Framework-7 (ZIF-7) particles were prepared by the precipitation of $Zn^{2+}$ using benzimidazole, which were converted into ZnO nanoparticles by heat treatment at $500^{\circ}C$ for 24 h. The ZIF-7 derived ZnO nanoparticles showed abundant mesopores, high surface area, and good dispersion. The gas sensing characteristics toward 5 ppm acetone, ethanol, trimethylamine, ammonia, p-xylene, toluene, benzene, and carbon monoxide and carbon dioxide were investigated at $350-450^{\circ}C$. ZIF-7 derived ZnO nanoparticles exhibited high response to 5 ppm acetone ($R_a/R_g=57.6$; $R_a$: resistance under exposure to the air, Rg: resistance under exposure to the gas) at $450^{\circ}C$ and negligible cross-responses to other interference gases (trimethylamine, ammonia, p-xylene, toluene, benzene, carbon monoxide, carbon dioxide) and relatively low responses to ethanol. ZIF derived synthesis of metal oxide nanoparticles can be used to design high performance acetone sensors.
The new system for identification of organic vapours and analysis method of mechanism between organic vapours and sensitive materials were attempted using the resonant resistance and resonant frequency of Quartz Crystal Analyzer (Q. C. A.). The resonant resistance shift means rheological changes in sensitive LB films occurred by the adsorption of organic vapours, while the resonant frequency shift represent the mass of organic vapour loaded in or on the sensitive LB films. It is thought that we can obtain more accurate response mechanism of organic vapour using the resonant frequency and resonant resistance diagram. The polymeric sensitive material were quantitively depositied using the LB method. In the experimental results, the adsorption behavior of organic vapour response can be decided by two type ; surface adsorption and penetration into sensitive material. Organic vapours had different positions in the Frequency-Resistance (F-R) diagram as to the kinds and concentrations of organic vapours. Thus F-R diagram can be applied to the development of one channel gas sensing system using the Quartz Crystal Analyzer.
The perovskite-type compounds $La_{1-x}Ca_xCoO_3$ were synthesized, their thermochemical properties and the gaseous sensitivity were investigated in ethanol vapor. The maximum response for detecting gas corresponded with the exothermic peak of DTA experiment. In any case the substituent was increased, the responsive ratio for detecting gas was grown upon. However, the needed time for response was later, and the operating temperature was elevated. The mechanism of this electrical conductivity was explained by the oxygen ionic diffusion through oxygen vacancy produced by the substituent.
리튬 이온 전도체를 이용하여 히터가 내장된 단순한 형태의 고체전해질 이산화탄소 감지소자를 제작하였다. 소자의 기준전극과 감지전극은 Au를 사용하였다. type ( I )과 type (II)의 두가지 형태의 소자로 구분하여 제조하였다. type ( I ) 소자는 알카리 금속 탄산염을 $420{\sim}500^{\circ}C$에서 융착하여 제조하였다. Type (II) 소자의 감지막은 알카리 금속 탄산염을 결착제와 혼합한 후 감지전극에 도포하여 제조하였다. 제조된 이산화탄소 감지소자를 동작온도 $420^{\circ}C$에서 이산화탄소 농도 950 ppm에서 9,950 ppm의 영역에 걸쳐 응답특성을 조사하였다. type ( I ) 소자와 type (II) 소자는 이산화탄소 농도변화에 대하여 각각 62 mV/decade와 65 mV/decade의 감도를 보였다. Type (II) 소자의 기전력값의 변화는 동작온도 $420^{\circ}C$에서 Nernst 식의 이론적인 값에 거의 일치하였고, $15{\sim}20$초 이내의 빠른 응답시간을 가지면서 매우 안정한 응답특성을 보였다. 또한 type (II) 소자는 60일 동안 우수한 장기 안정도와 재현성을 보였다.
$NiO,\;Cu_2O,\;Mn_2O_3$ and $Cr_2O_3$ as p-type semiconductors were added in CoO with 15 wt.% ethylene glycol binder and measured the butane gas sensing characteristics. The highest sensitivity is obtained for the NiO-CoO sensors. CoO-20 at.% NiO sensor with 15 wt.% ethylene glycol binder sintered at $1100^{\circ}C$ for 24 h exhibits high sensitivity of 90 % to 5000 ppm butane gas at the sensor temperature of $250^{\circ}C$, compared to low sensitivities at the low operating temperature for commercial sensors. Response and recovery times are, respectively, within few seconds and 1min in the static flow system, indicating rapid adsorption and desorption of butane gas on sensor surface even at this low temperature.
In this work, pure hierarchical ZnO structure was prepared using a simple hydrothermal method, and Ag nanoparticles doped hierarchical ZnO structure was synthesized uniformly through photochemical route. The reduced graphene oxide (rGO) has been synthesized by typical Hummer's method and reduced by hydrazine. Prepared Ag/ZnO nanostructures are uniformly dispersed on the surface of rGO sheets using ultrasonication process. The synthesized samples were characterized by SEM, TEM, EDS, XRD and PL spectra. The average size of prepared ZnO microspheres was around $2{\sim}3{\mu}m$ and showed highly uniform. The average size of doped-Ag nanoparticles was 50 nm and decorated into ZnO/rGO network. The $C_2H_2$ gas sensing properties of as-prepared products were investigated using resistivity-type gas sensor. Ag/ZnO-rGO based sensors exhibited good performances for $C_2H_2$ gas in comparison with the Ag/ZnO. The $C_2H_2$ sensor based on Ag/ZnO-rGO had linear response property from 3~1000 ppm of $C_2H_2$ concentration at working temperature of $200^{\circ}C$. The response values with 100 ppm $C_2H_2$ at $200^{\circ}C$ were 22% and 78% for Ag/ZnO and Ag/ZnO-rGO, respectively. In additions, the sensor still shows high sensitivity and quick response/recovery to $C_2H_2$ under high relative humidity conditions. Moreover, the device shows excellent selectivity towards to $C_2H_2$ gas at optimal working temperature of $200^{\circ}C$.
[ $WO_3$ ]powders were ball-milled with an alumina ball for 0-72 hours. $In_2O_3$ doped $WO_3$ was prepared by soaking ball-milled $WO_3$ in an $InCl_3$ solution. The mixed powder was annealed at $700^{\circ}C$ for 30 min in an air atmosphere. A paste for screen-printing the thick film was prepared by mixing the $WO_3$:In2O3 powders with ${\alpha}$-terpinol and glycerol. $In_2O_3$ doped $WO_3$ thick films were fabricated into a gas sensor by a screen-printing method on alumina substrates. The structural properties of the $WO_3$:$InO_3$ thick films were a monoclinic phase with a (002) dominant orientation. The particle size of the $WO_3$:$InO_3$ decreased with the ball-milling time. The sensing characteristics of the $In_2O_3$ doped $WO_3$ were investigated by measuring the electrical resistance of each sensor in the test-box. The highest sensitivity to 5 ppm $CH_4$ gas and 5 ppm $CH_3CH_2CH_3$ gas was observed in the ball-milled $WO_3$:$InO_3$ gas sensors at 48 hours. The response time of $WO_3$:$In_2O_3$ gas sensors was 7 seconds and recovery time was 9 seconds for the methane gas.
We present the rectifying and nitrogen monoxide (NO) gas sensing properties of an oxide semiconductor heterostructure composed of n-type zinc oxide (ZnO) and p-type copper oxide thin layers. A CuO thin layer was first formed on an indium-tin-oxide-coated glass substrate by sol-gel spin coating method using copper acetate monohydrate and diethanolamine as precursors; then, to form a p-n oxide heterostructure, a ZnO thin layer was spin-coated on the CuO layer using copper zinc dihydrate and diethanolamine. The crystalline structures and microstructures of the heterojunction materials were examined using X-ray diffraction and scanning electron microscopy. The observed current-voltage characteristics of the p-n oxide heterostructure showed a non-linear diode-like rectifying behavior at various temperatures ranging from room temperature to $200^{\circ}C$. When the spin-coated ZnO/CuO heterojunction was exposed to the acceptor gas NO in dry air, a significant increase in the forward diode current of the p-n junction was observed. It was found that the NO gas response of the ZnO/CuO heterostructure exhibited a maximum value at an operating temperature as low as $100^{\circ}C$ and increased gradually with increasing of the NO gas concentration up to 30 ppm. The experimental results indicate that the spin-coated ZnO/CuO heterojunction structure has significant potential applications for gas sensors and other oxide electronics.
We prepared a highly sensitive hydrogen (H2) sensor based on Indium oxides (In2O3) porous nanoparticles (NPs) loaded with Platinum (Pt) nanoparticle in the range of 1.6~5.7 at.%. In2O3 NPs were fabricated by microwave irradiation method, and decorations of Pt nanoparticles were performed by electroless plating on In2O3 NPs. Crystal structures, morphologies, and chemical information on Pt-loaded In2O3 NPs were characterized by grazing-incident X-ray diffraction, field-emission scanning electron microscopy, energy-dispersive X-ray spectroscopy, respectively. The effect of the Pt nanoparticles on the H2-sensing performance of In2O3 NPs was investigated over a low concentration range of 5 ppm of H2 at 150-300 ℃ working temperatures. The results showed that the H2 response greatly increased with decreasing sensing temperature. The H2 response of Pt loaded porous In2O3 NPs is higher than that of pristine In2O3 NPs. H2 gas selectivity and high sensitivity was explained by the extension of the electron depletion layer and catalytic effect. Pt loaded porous In2O3 NPs sensor can be a robust manner for achieving enhanced gas selectivity and sensitivity for the detection of H2.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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