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PDP용 Ag전극 페이스트의 Bi계 프릿 제조 및 특성 (Preparation and Characterization of Bi based frit for Ag Electrode in PDP Application)

  • 김형수;최정철;이병옥;최승철
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제10권4호
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    • pp.47-52
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    • 2003
  • PDP전극용 Ag전극 페이스트의 프릿으로 기존의 Pb-based 프릿을 대신 할 수 있는 Bi-based 조성의 새로운 유리조성의 가능성을 검토하였다. PDP디스플레이 응용을 위해 프릿의 저융점화 및 열팽창계수 제어를 행하였고, 이를 전극 페이스트 제조에 적용하여 스크린 프린팅된 전극을 평가하였다. $Bi_2O_3$를 50-60wt%이상 첨가된 $Bi_2O_3-B_2O_3-Al_2O_3$계 조성의 프릿은 연화점이 400∼$480^{\circ}C$, 열팽창계수가 7.31∼$10.02\times 10^{-6}/^{\circ}C$이며, 전극의 단자저항은 4.1∼4.8$\Omega$ 이었다. 본 연구에서 새로이 개발된 Bi계 프릿조성은 Pb계 조성의 프릿에 상당하는 물성을 얻을 수 있었으며, 이를 전극용 페이스트에 적용한 결과, 전극 프린팅에서 퍼짐성과 균일성이 우수하였다. PDP전극용 무연, 무 알카리 프릿으로 Bi계 조성의 적용가능성을 확인할 수 있었다.

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저온 동시 소성용 후막 NTC 서미스터의 전기적 특성에 미치는 무연계 프릿트 및 RuO2의 영향 (Effect of lead-free frit and RuO2 on the electrical properties of thick film NTC thermistors for low temperature co-firing)

  • 구본급
    • 한국결정성장학회지
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    • 제31권5호
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    • pp.218-227
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    • 2021
  • 저온 동시 소성용 후막 NTC 서미스터를 Mn1.5Ni0.4Co0.9Cu0.4O4 조성의 NTC 분말과 lead free frit 및 RuO2를 이용하여 제조한 페이스트를 96 % 알루미나 기판 위에 인쇄와 소결을 통해 제조한 후, 이 후막 NTC의 전기적 특성에 미치는 프릿트 및 RuO2의 영향을 연구하였다. 후막 NTC 서미스터의 저항은 동일한 온도에서 소결한 벌크 상에 비해 높게 나타났으나 저항-온도 특성에서 부 저항 온도 특성은 더 명확하게 직선적으로 나타남을 알 수 있었다. 한편, 소결온도 증가에 따라 면적저항은 감소하였고 프릿트 첨가량이 많을수록 면적저항은 높게 나타났다. 후막 NTC 서미스터의 B 정수는 3000 K 이상의 값 나타냈는데 그 중 프릿트를 5 wt% 첨가한 페이스트로 만든 후막 NTC를 900℃에서 소결한 시편의 B 정수가 가장 높게 나타남을 알 수 있었다. 또한, RuO2 첨가에 따라 면적저항의 감소가 나타남을 알 수 있었으며 RuO2를 5 wt% 첨가한 페이스트를 900℃에서 소결한 후막 NTC 서미스터의 면적저항 감소의 변화가 가장 뚜렷이 나타남을 알 수 있었다.