Ha, H.J.;Lee, W.G.;Nam, S.O.;Ha, S.C.;Cho, J.S.;Park, C.H.
Proceedings of the KIEE Conference
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1996.07c
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pp.1576-1578
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1996
MgO protection layer in ac PDP prevents the dielectric layer from sputtering of ion in discharge plasma in addition to the contribution to the memory function and also have the additional important roll in lowering the firing Voltage due to a large secondary electron emission yield(${\gamma}$). The methode of Sputtering are easy to apply on mass production and to enlarge the size of the panel and are known to have the superior Adhesion and Uniformity of thin film. MgO protection layer of $1000{\AA}$ on dielectric layer by Reactive R.F magnetron sputtering is formed. Discharge characteristics have done with the formation of protection layer.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.55
no.3
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pp.156-160
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2006
In whole world consciousness of environment maintenance have increased very quickly for the end of the 20th century. To use and disuse toxic substances have been controled at the field of industry. Also the field of lighting source belong to environmental control. And in the future the control will be strong. In radiational mechanism of fluorescence lamp mercury is the worst environmental problem and root. In the mercury free lighting source system the Xe gas lamp is one type. And the Ne:Xe and Ne:Ar mixed gas lamp improve firing voltage of Xe gas lamp. Purpose of this study is to understand ideal mixing-ratio of Ne:Xe and Ne:Ar gas by electron temperature and electron density for mercury free lamp. Before ICP was designed, basic parameters of plasma, which are electron temperature and electron density, were measured and calculated by single-Langmuir probe. Property of electron temperature and electron density were confirmed by changing ratio of Ne:Xe and Ne:Ar.
Kim, Young-Kee;Kim, Suk-Ki;Park, Byung-Yun;Park, Myung-Joo;Cho, Jung-Soo;Park, Chung-Hoo
Proceedings of the KIEE Conference
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1998.07e
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pp.1758-1760
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1998
MgO Protecting layer in AC PDP prevents ion bombardment in discharge plasma. The MgO layer also has the additional importance in lowering the firing voltage due to a large secondary electron emission coefficient. Until now, the MgO protecting layer is mainly prepared by E-beam Evaporation. However, the optimum activation manufacturing process of MgO thin film wasn't well known. Therefore in this study, after MgO protecting layer is prepared on dielectric layer by E-beam evaporation and liquid MgO spin coating, we carried out activation process of MgO thin film as a parameter of Temperature, Operating time and Operating pressure. In addition, discharge characteristics are also studied as a parameter of activation conditions.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2006.05a
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pp.91-95
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2006
In whole world consciousness of environment maintenance have increased very quickly for the end of the 20th century. To use and disuse toxic substances have been controled at the field of industry. Also the field of lighting source belong to environmental control. And in the future the control will be strong. In radiational mechanism of fluorescence lamp mechanism is the worst environmental problem. In radiational mechanism of fluorescence lamp mercury is the worst environmental problem root. In the mercury free lighting source system the Xe gas lamp is one type. And the Ne:Xe mixing gas lamp improvements firing voltage of Xe gas lamp. Purpose and subject of this study are understand, efficiency, ideal of Ne:Xe plasma which mercury free lamp. Before ICP was designed, basic parameters of plasma, which are electron temperature and electron density, were measured and calculated by Langmuir probe data. Property of electron temperature and electron density were confirmed by changing ratio of Ne:Xe.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.20
no.8
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pp.716-719
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2007
The effects of the evaporation rate of MgO films using an electron beam on the MgO properties and the discharge characteristics of a plasma display panel (PDP) were investigated and analyzed. MgO films were deposited with the various MgO evaporation rates. The MgO properties such as the crystal orientation, the surface roughness, and the film structure were inspected using XRD (X-ray diffraction), AFM (atomic force microscopy). From the experiments and Paschen law, the maximum value of the secondary electron emission coefficient $({\gamma})$ was obtained at the evaporation rate of $5{\AA}/sec$. The XRD results and cathode-luminescence (CL) spectra show the ${\gamma}$ values are correlated with F/F+ centers of the molecular structure of MgO films. The minimum firing voltage and the maximum luminous efficiency were obtained at an evaporation rate of $5{\AA}/sec$. In the MgO film deposited at $5{\AA}/sec$, the (200) orientation and F+ center were most intensive.
A transcranial magnetic stimulation device is a complicated appliance that employs a switching power device designed for discharging and charging a capacitor to more than 1 kV. For a simple transcranial magnetic stimulation device, this study used commercial power and controlled the firing angle using a Triac power device. AC 220V 60 Hz, the power device was used directly on the tanscranial magnetic stimulation device. The power supply device does not require a current limiting resistance in the rectifying device, energy storage capacitor or discharge circuit. To control the output power of the tanscranial magnetic stimulation device, the pulse repetition rate was regulated at 60 Hz. The change trigger of the Triac gate could be varied from $45^{\circ}$ to $135^{\circ}$. The AVR 182 (Zero Cross Detector) Chip and AVR one chip microprocessor could control the gate signal of the Triac precisely. The stimulation frequency of 50 Hz could be implemented when the initial charging voltage Vi was 1,000 V. The amplitude, pulse duration, frequency stimulation, train duration and power consumption was 0.1-2.2T, $250{\sim}300{\mu}s$, 0.1-60 Hz, 1-100 Sec and < 1 kW, respectively. Based on the results of this study, TMS can be an effective method of treating dysfunction and improving function of brain cells in brain damage caused by ischemia.
Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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2007.04a
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pp.91-94
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2007
The fabrication and firing test of the ignition system for a micro solid propellant thruster are described in the present paper. Pt igniter coil was patterned on the glass membrane that was fabricated by the wet etching process. The thickness of Pt layer was $2000{\AA}$ and the width of igniter pattern was $40{\mu}m$. The thickness and diameter of glass membrane were $15{\mu}m$ and 1 mm, respectively. Ignition test was performed. Successful ignition of HTPB/AP propellant was obtained with an ignition delay of 1.6 s at an input voltage of 12 V. The ignition energy was estimated to be 1.4 J.
Proceedings of the Korean Biophysical Society Conference
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2003.06a
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pp.41-41
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2003
Small conductance calcium-activated potassium channels (or SKCa channels) are potassium selective, voltage-independent, and activated by intracellular calcium concentration. These channels play important roles in excitable cells such as neuron in the central nervous system (Vergara et al., 1998). The activity of SKCa channels underlies the slow afterhyperpolarization that inhibits neuronal cell firing (Hille, 1991; Vergara et al.,1998). Until now, N-terminal region of rSK2 isn't characterized. To study the role of N-terminus, we constructed the N-terminal deletion mutant and characterized by electrophysiological means. Interestingly, N-terminal deletion mutant be trafficked to membrane couldn't evoke any ionic currents. Thus, N-terminal region has a role in functional rSK2 channel formation. To elucidate the function of N-terminal region, (His)6-conjugated protein was purified and filtrated by affinity column chromatography. Surprisingly, N-terminal region was shown in tetramer size that was supported by cross-linking result. Thus, we predicted that N-terminal region might be involved in the tetramerization of rSK2.
Effects of the evaporation rate of MgO films using electron beam were investigated on the MgO properties and the discharge characteristics of the plasma display panel (PDP). The evaporation rate was changed from $3{\AA}$/sec to $15{\AA}$/sec at a substrate temperature of $300^{\circ}C$. MgO properties such as crystal orientation, surface roughness, contact angle, and film structure were inspected using XPS, AFM, drop shape analysis and SEM. We also studied the relation between MgO properties and PDP discharging characteristics. The minimum firing voltage and maximum efficacy were obtained at evaporation rate of $5{\AA}$/sec. In the MgO film deposited at $5{\AA}$/sec, (200) orientation was most intensive and surface roughness was minimum.
The superficial dorsal horn, particularly substantia gelatinosa (SG) in the spinal cord, receives inputs from small-diameter primary afferents that predominantly convey noxious sensation. Reactive oxygen species (ROS) are toxic agents that may be involved in various neurodegenerative diseases. Recent studies indicate that ROS are also involved in persistent pain through a spinal mechanism. In the present study, whole cell patch clamp recordings were carried out on SG neurons in spinal cord slice of young rats to investigate the effects of hydrogen peroxide on neuronal excitability and excitatory synaptic transmission. In current clamp condition, tert-buthyl hydroperoxide (t-BuOOH), an ROS donor, depolarized membrane potential of SG neurons and increased the neuronal firing frequencies evoked by depolarizing current pulses. When slices were pretreated with phenyl-N-tert-buthylnitrone (PBN) or ascorbate, ROS scavengers, t-BuOOH did not induce hyperexcitability. In voltage clamp condition, t-BuOOH increased the frequency and amplitude of spontaneous excitatory postsynaptic currents (sEPSCs), and monosynaptically evoked excitatory postsynaptic currents (eEPSCs) by electrical stimulation of the ipsilateral dorsal root. These data suggest that ROS generated by peripheral nerve injury can modulate the excitability of the SG neurons via pre- and postsynaptic actions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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