Thanks to the rapid advance of modern technology in industrial society, economic and material abundances have not only caused a variety of cultural industry to develop but also brought about the development of beauty treatment industry. Like this, the industry has continually expanded into the public rapidly by forming a new beauty trend along with the growth of mass media such as T.V, advertisement, vogue magazine, and film. And make-up is also broadening its artistic areas by utilizing various expression skills and consistently changing with beauty trends, which has influences on Make-up Illustration. As a result, it has been recognized as a new conception of 'art' expanding in interpretation of communicating with the masses under condition of modern culture and stressed in its part more and more. It is expected that Make-up Illustration playing an important role in the exchange of fashion trend information between beauty treatment industry and people will be studied in different-image-expression ways to raise its artistic value and be a useful material for research and creation activities in the foreseeable future by Make-up Illustration made of computer graphics.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2011.05a
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pp.3.2-3.2
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2011
In recent years, inkjet printing technology has received significant attention as a micro/nanofabrication technique for flexible printing of electronic circuits and solar cells, as well for biomaterial patterning. It eliminates the need for physical masks, causes fewer environment problems, lowers fabrication costs, and offers good layer-to-layer registration. To fulfill the requirements for use in the above applications, however, the inkjet system must meet certain criteria such as high frequency jetting, uniform droplet size, high density nozzle array, etc. Existing inkjet devices are either based on thermal bubbles or piezoelectric pumping; they have several drawbacks for flexible printing. For instance, thermal bubble jetting has limitations in terms of size and density of the nozzle array as well as the ejection frequency. Piezoelectric based devices suffer from poor pumping energy in addition to inadequate ejection frequency. Recently, an electrohydrodynamic (EHD) printing technique has been suggested and proposed as an alternative to thermal bubble or piezoelectric devices. In EHD jetting, a liquid (ink) is pumped through a nozzle and a strong electric field is applied between the nozzle and an extractor plate, which induce charges at the surfaces of the liquid meniscus. This electric field creates an electric stress that stretches the meniscus in the direction of the electric field. Once the electric field force is larger than the surface tension force, a liquid droplet is formed. An EHD inkjet head can produce droplets smaller than the size of the nozzle that produce them. Furthermore, the EHD nano-inkjet can eject high viscosity liquid through the nozzle forming tiny structures. These unique features distinguish EHD printing from conventional methods for sub-micron resolution printing. In this presentation, I will introduce the recent research results regarding the EHD nano-inkjet and the printing system, which has been applied to solar cell or thin film transistor applications.
Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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v.21
no.3
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pp.270-278
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1992
Two of the Hard White Winter (HWW) wheats had higher farina yield than mixed Hard Red Winter (HRW) wheat. Optimum steaming time for HRW farina spaghetti was 3min under 86-98$^{\circ}C$. Optimum cooking time decreased after steam treatment. Steam treated spaghetti showed much higher strength of dried spaghetti, lower cooking loss, and cooked weight, less stickiness, and total organic matters (TOM) value than in treated spaghetti after cooking. The rooking qualities except stickiness were significantly different between treated and untreated steam. The quality of hard wheat farina spaghetti was more affected than that of durum spaghetti after steam treatment. HWW farina spaghetti im-roved all the qualities of steam treated and untreated spaghetti than those of HRW farina spaghetti except stickiness. From the observations of scanning electron microscope (SEM), maybe two general principles of steaming can be explained by : i) forming hydrophobic protein film on surface of pasta, ii) higher retrogradation of starch, which cause less swelling of starch.
In order to evaluate the performance of fire-protection foams used to protect structures from heat and fire damages, the thermal characteristics of them are experimentally investigated. This research focuses on the destruction of a fire-fighting foam subjected to heat radiation. A simple repeatable test apparatus for fire-protection foams subjected to fire radiation is developed. It involves a foam generation equipment, a fire source for heat generation, repeatable test procedures, and data acquisition techniques. Results of the experimental procedure indicated that each thermocouple within the foam responded in a similar manner and gradually to a temperature of 115℃~20℃. At this point, each trace generally rises to a temperature of approximately 90℃. The temperature gradient in the foam as time passes increases with increasing the foam expansion ratio. In addition, it is found that the temperature gradient along the foam for depth decreases with increasing the foam expansion ratio.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.199-199
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2010
최근 평판 디스플레이 산업의 발전에 따라 능동행렬 액정 표시 소자 (AMOLED : Active Matrix Organic Liquid Crystral Display) 가 차세대 디스플레이 분야에서 각광을 받고있다. 기존의 TFT-LCD에 사용되는 a-Si:H는 균일도가 좋지만 전기적인 스트레스에 의해 쉽게 열화되고 낮은 이동도는 갖는 단점이 있으며, ELA (Eximer Laser Annealing) 결정화 poly-Si은 전기적인 특성은 좋지만 uniformity가 떨어지는 단점을 가지고 있어서 AMOLED 및 대면적 디스플레이에 적용하기 어렵다. 따라서 a-Si:H TFT보다 좋은 전기적인 특성을 보이며 ELA 결정화 poly-Si TFT보다 좋은 uniformity를 갖는 SPC (Solid Phase Crystallization) poly-Si TFT가 주목을 받고있다. 본 연구에서는 차세대 디스플레이 적용을 위해서 glass 기판위에 증착된 a-Si을 SPC 로 결정화 시킨 후 TFT를 제작하고 평가하였다. 또한 TFT 형성시에 저온공정을 실현하기 위해서 소스/드레인 영역에 실리사이드를 형성시켰다. 소자 제작시의 최고온도는 $500^{\circ}C$ 이하에서 공정을 진행하는 저온 공정을 실현하였다. Glass 기판위에 a-Si이 80 nm 증착된 기판을 퍼니스에서 24시간 동안 N2 분위기로 약 $600^{\circ}C$ 에서 결정화를 진행하였다. 노광공정을 통하여 Active 영역을 형성시키고 E-beam evaporator를 이용하여 약 70 nm 의 Pt를 증착시킨 후, 소스와 드레인 영역의 실리사이드 형성은 N2 분위기에서 $450^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, $550^{\circ}C$에서 열처리를 통하여 형성하였다. 게이트 절연막은 스퍼터링을 이용하여 SiO2를 약 15 nm 의 두께로 증착하였다. 게이트 전극의 형성을 위하여 E-beam evaporator 을 이용하여 약 150 nm 두께의 알루미늄을 증착하고 노광공정을 통하여 게이트 영역을 형성 후 에 $450^{\circ}C$, H2/N2 분위기에서 약 30분 동안 forming gas annealing (FGA)을 실시하였다. 제작된 소자는 실리사이드 형성 온도에 따라서 각각 다른 특성을 보였으며 $450^{\circ}C$에서 실리사이드를 형성시킨 소자는 on currnet와 SS (Subthreshold Swing)이 가장 낮은것을 확인하였다. $500^{\circ}C$와 $550^{\circ}C$에서 실리사이드를 형성시킨 소자는 거의 동일한 on current와 SS값을 나타냈다. 이로써 glass 기판위의 SB-TFT 제작 시 실리사이드 형성의 최적온도는 $500^{\circ}C$로 생각되어 진다. 위의 결과를 토대로 본 연구에서는 SPC 결정화 방법을 이용하여 SB-TFT를 성공적으로 제작 및 평가하였고, 차세대 디스플레이에 적용할 경우 우수한 특성이 기대된다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07a
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pp.382-385
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2003
Chemical mechanical polishing(CMP) is an essential process in the production of copper-based chips. On this work, the stability of Hydrogen Peroxide($H_2O_2$) as oxidizer of Cu CMP slurry has been investigated. $H_2O_2$ is known as the most common oxidizer in Cu CMP slurry. Copper slowly dissolves in $H_2O_2$ solutions and the interaction of $H_2O_2$ with copper surface had been studied in the literature. Because hydrogen peroxide is a weak acid in aqueous solutions, a passivation-type slurry chemistry could be achieved only with pH buffered solution.[1] Moreover, $H_2O_2$ is so unstable that its stabilization is needed using as oxidizer. As adding KOH as pH buffering agent, stability of $H_2O_2$ decreased. However, stability went up with putting in small amount of BTA as film forming agent. There was no difference of $H_2O_2$ stability between KOH and TMAH at same pH. On the other hand, $H_2O_2$ dispersion of TMAH is lower than that of KOH. Furthermore, adding $H_2O_2$ in slurry in advance of bead milling lead to better stability than adding after bead milling. Generally, various solutions of phosphoric acids result in a higher stability. Using Alumina C as abrasive was good at stabilizing for $H_2O_2$; moreover, better stability was gotten by adding $H_3PO_4$.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.29
no.7
s.238
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pp.878-885
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2005
The water jet impingement cooling is one of the techniques to remove the heat from high heat flux equipments. Local heat transfer of the confined water impinging jet and the effect of nozzle collar to enhance the heat transfer are investigated in the fee surface jet and submerged jet. Boiling is initiated from the farthest downstream and increase of the wall temperature is reduced with developing boiling, forming the flat temperature distributions. The reduction in the nozzle-to-surface distance fur H/W$\le$1 causes significant increases and distribution changes of heat transfer. Developed boiling reduces the differences of heat transfer for various conditions. The nozzle collar is employed at the nozzle exit. The distances from heated surface to nozzle collar, Hc are 0.25W, 0.5W and 1.0W. The liquid film thickness is reduced and the velocity of wall jet increases as decreased spacing of collar to heated surface. Heat transfer is enhanced fur region from the stagnation to x/W$\~$8 in the free surface jet and to x/W$\~$5 in the submerged jet. For nucleate boiling region of further downstream, the heat transfer by the nozzle collar is decreased in submerged jet comparing with higher velocity condition. It is because the increased velocity by collar is de-accelerated downstream.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.490-490
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2011
Graphene, hexagonal network of carbon atoms forming a one-atom thick planar sheet, has been emerged as a fascinating material for future nanoelectronics. Huge attention has been captured by its extraordinary electronic properties, such as bipolar conductance, half integer quantum Hall effect at room temperature, ballistic transport over ${\sim}0.4{\mu}m$ length and extremely high carrier mobility at room temperature. Several approaches have been developed to produce graphene, such as micromechanical cleavage of highly ordered pyrolytic graphite using adhesive tape, chemical reduction of exfoliated graphite oxide, epitaxial growth of graphene on SiC and single crystalline metal substrate, and chemical vapor deposition (CVD) synthesis. In particular, direct synthesis of graphene using metal catalytic substrate in CVD process provides a new way to large-scale production of graphene film for realization of graphene-based electronics. In this method, metal catalytic substrates including Ni and Cu have been used for CVD synthesis of graphene. There are two proposed mechanism of graphene synthesis: carbon diffusion and precipitation for graphene synthesized on Ni, and surface adsorption for graphene synthesized on Cu, namely, self-limiting growth mechanism, which can be divided by difference of carbon solubility of the metals. Here we present that large area, uniform, and layer controllable graphene synthesized on Cu catalytic substrate is achieved by acetylene-assisted CVD. The number of graphene layer can be simply controlled by adjusting acetylene injection time, verified by Raman spectroscopy. Structural features and full details of mechanism for the growth of layer controllable graphene on Cu were systematically explored by transmission electron microscopy, atomic force microscopy, and secondary ion mass spectroscopy.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.53-53
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2011
This paper describes results for surface and bulk characterization of the most promising thin film solar cell material for high performance devices, (Ag,Cu) (In,Ga) Se2 (ACIGS). This material in particular exhibits a range of exotic behaviors. The surface and general materials science of the material also has direct implications for the operation of solar cells based upon it. Some of the techniques and results described will include scanning probe (AFM, STM, KPFM) measurements of epitaxial films of different surface orientations, photoelectron spectroscopy and inverse photoemission, Auger electron spectroscopy, and more. Bulk measurements are included as support for the surface measurements such as cathodoluminescence imaging around grain boundaries and showing surface recombination effects, and transmission electron microscopy to verify the surface growth behaviors to be equilibrium rather than kinetic phenomena. The results show that the polar close packed surface of CIGS is the lowest energy surface by far. This surface is expected to be reconstructed to eliminate the surface charge. However, the AgInSe2 compound has yielded excellent atomic-resolution images of the surface with no evidence of surface reconstruction. Similar imaging of CuInSe2 has proven more difficult and no atomic resolution images have been obtained, although current imaging tunneling spectroscopy images show electronic structure variations on the atomic scale. A discussion of the reasons why this may be the case is given. The surface composition and grain boundary compositions match the bulk chemistry exactly in as-grow films. However, the deposition of the heterojunction forming the device alters this chemistry, leading to a strongly n-type surface. This also directly explains unpinning of the Fermi level and the operation of the resulting devices when heterojunctions are formed with the CIGS. These results are linked to device performance through simulation of the characteristic operating behaviors of the cells using models developed in my laboratory.
Kim, Hoon-Young;Yoon, Ji-Wook;Choi, Won-Seok;Stolberg, Klaus;Whang, Kyoung-Hyun;Cho, Sung-Hak
Laser Solutions
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v.17
no.1
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pp.1-6
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2014
Indium tin oxide (ITO) is an important transparent conducting oxide (TCO). ITO films have been widely used as transparent electrodes in optoelectronic devices such as organic light-emitting devices (OLED) because of their high electrical conductivity and high transmission in the visible wavelength. Finding ways to control ITO micromachining depth is important role in the fabrication and assembly of display field. This study presented the depth control of ITO patterns on glass substrate using a femtosecond laser and slit. In the proposed approach, a gaussian beam was transformed into a quasi-flat top beam by slit. In addition, pattern of square type shaped by slit were fabricated on the surfaces of ITO films using femtosecond laser pulse irradiation, under 1030nm, single pulse. Using femtosecond laser and slit, we selectively controlled forming depth and removed the ITO thin films with thickness 145nm on glass substrates. In particular, we studied the effect of pulse number on the ablation of ITO. Clean removal of the ITO layer was observed when the 6 pulse number at $2.8TW/cm^2$. Furthermore, the morphologies and fabricated depth were characterized using a optical microscope, atomic force microscope (AFM), and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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