• Journal of Magnetics
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• 제3권1호
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• pp.31-35
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• 1998

Metal/cobalt ferrite composite thin films with the saturation magnetization (M_s$)of~580 emu/cm3 and the coercivity(Hc) of 1700 Oe were prepared by the reactive sputtering. With increasing substrate temperature, Ms of the thin films increased, while Hc of the thin films decrease. This sttributed to the precipitation of $Co_xFe_{1-x}(x {\appro}x0.62)$ metal phase in the thin films. The metal phase showed the BCC structure ($a_0$=2.89 $\AA$) and Im3m space group. Also, the cobalt ferrite phase was identified as$ CoFe_2O_4$ with a cubic structure ($a_0=8.39 $\AA$$) and a space group of Fd3m. For the higher cobalt content than the stoichiometric composition,$ Co_{37.8}Fe_{62.2}$, the thin films with high Ms and Hc could be obtained in the wide substrate temperature range (200-40$0^{\circ}C$).

• 한국전자파학회논문지
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• 제9권1호
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• pp.87-97
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• 1998

본 논문에서는 ferrite 기판상의 finline 형태의 E-평면형 도파관 여파기에 대해 $\lambda_g$/4 전송선로를 여파기 양끝 단 mverter의 음의길이 전송선로의 보상용 전송선로로 사용하는 magnetically tunable 여파기를 설계하여 t tunable특성을 분석하였으며, 여파기 및 mverter의 특성을 분석하기 위해 고차모드의 영향을 고려한 유한요소 법에 의한 특성 해석을 적용하였다. X 밴드 대역에서 bilateral과 unilateral finline magnetically tunable E-평 변형 도파관 여파기에 대한 실험결과와 해석결과가 잘 일치함을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.146-147
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• 2011

Processing a large area substrate for liquid crystal display (LCD) or solar panel applications in a capacitively coupled plasma (CCP) reactor is becoming increasingly challenging because of the size of the substrate size is no longer negligible compared to the wavelength of the applied radio frequency (RF) power. The situation is even worse when the driving frequency is increased to the Very High Frequency (VHF) range. When the substrate size is still smaller than 1/8 of the wavelength, one can obtain reasonably uniform process results by utilizing with methods such as tailoring the precursor gas distribution by adjustingthrough shower head hole distribution or hole size modification, locally adjusting the distance between the substrate and the electrode, and shaping shower head holes to modulate the hollow cathode effect modifying theand plasma density distribution by shaping shower head holes to adjust the follow cathode effect. At higher frequencies, such as 40 MHz for Gen 8.5 (2.2 m${\times}$2.6 m substrate), these methods are not effective, because the substrate is large enough that first node of the standing wave appears within the substrate. In such a case, the plasma discharge cannot be sustained at the node and results in an extremely non-uniform process. At Applied Materials, we have studied several methods of modifying the standing wave pattern to adjusting improve process non-uniformity for a Gen 8.5 size CCP reactor operating in the VHF range. First, we used magnetic materials (ferrite) to modify wave propagation. We placed ferrite blocks along two opposing edges of the powered electrode. This changes the boundary condition for electro-magnetic waves, and as a result, the standing wave pattern is significantly stretched towards the ferrite lined edges. In conjunction with a phase modulation technique, we have seen improvement in process uniformity. Another method involves feeding 40 MHz from four feed points near the four corners of the electrode. The phase between each feed points are dynamically adjusted to modify the resulting interference pattern, which in turn modulate the plasma distribution in time and affect the process uniformity. We achieved process uniformity of <20% with this method. A third method involves using two frequencies. In this case 40 MHz is used in a supplementary manner to improve the performance of 13 MHz process. Even at 13 MHz, the RF electric field falls off around the corners and edges on a Gen 8.5 substrate. Although, the conventional methods mentioned above improve the uniformity, they have limitations, and they cannot compensate especially as the applied power is increased, which causes the wavelength becomes shorter. 40 MHz is used to overcome such limitations. 13 MHz is applied at the center, and 40 MHz at the four corners. By modulating the interference between the signals from the four feed points, we found that 40 MHz power is preferentially channeled towards the edges and corners. We will discuss an innovative method of controlling 40 MHz to achieve this effect.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 G
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• pp.2553-2555
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• 1998

A single crystal Mn-Zn ferrite was directly etched by focused $Ar^+$ laser beam in $CCl_2F_2$ gas atmosphere. AES has been performed for locally investigating the surface composition of an etched layer. MnCl, ZnCl being created after the substrate and $CCl_2F_2$ chemically reacting was remained in the vicinity of laser irradiation area because of their low vapor pressure. Various patterns using computer were formed on the substrate. The etched grooves and patterned shapes were observed by SEM measurement.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2002년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.100.1-100
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• 2002

• 한국자기학회지
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• 제16권2호
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• pp.140-143
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• 2006

단결정 상태의 $CoFe_2O_4$ 박막을 rf magnetron sputtering 증착법을 이용하여 (100) MgO 기판 위에 성장시켰다. X선 회절기, Rutherford back-scattering 분석기와 고감도 주사전자현미경을 이용하여 측정한 결과 증착된 박막이 기판과 잘 정렬되어 성장한 것을 확인할 수 있었다. $600^{\circ}C$의 기판 온도에서 성장한 페라이트 박막은 약 200nm크기의 사각형 형태로 규칙적으로 분포되어 있음이 관찰되었다. 그러나 $700^{\circ}C$의 기판 온도에서 성장한 박막은 불규칙한 모양으로 이루어져 있었으며 30nm에서 150nm에 이르는 다양한 입자 크기를 보이고 있었다. 섭동자화기를 이용한 자기이력곡선 측정 결과 성장한 박막의 자화용이축이 기판과 수직하게 배열하는 것을 알 수 있었다. 또한 MgO 기판과 성장 박막과의 격자상수 차이로 인하여 기판과 수직한 방향의 보자력은 매우 큰 값을 나타내었다. 즉 평행한 방향의 보자력은 283 Oe이고 수직한 방향의 보자력은 6800 Oe였다. $700^{\circ}C$의 기판 온도에 서 성장한 페라이트 박막은 $600^{\circ}C$의 기판 온도에서 성장한 박막의 보자력 및 포화자화 값과 유사한 값을 보였으나 각형비는 급격하게 감소하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권8호
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• pp.652-657
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• 1998

We have performed spin-spray ferrite plating of $Fe{_3}{-X}-Ni_XO_4$(X=0.17~0.26) films in the temperature region $T=80~95[^{\circ}C]$. A reaction solution and an oxidizing solution were supplied to a reaction chamber by supply pump. The solubility limit of Ni increases as the substrate temperature increase, from X=0.17 at $80[^{\circ}C]$ to X=0.26 at $95[^{\circ}C]$. All the films are polycrystalline with no preferential orientation, and the magnetization exhibits no definite anisotropy. Grain size in the films increases as X increases, reaching $0.87[\mu{m}]$ at X=0.26.

• 한국입자에어로졸학회지
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• 제6권1호
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• pp.21-27
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• 2010

New process consisting of electrospray and epitaxial crystal growth processes was applied to the preparation of c-plane oriented barium ferrite ($BaFe_{12}O_{19}$) thin film for high density magnetic recording media. Sodium citrate aided process was proper to preparation of amorphous $BaFe_{12}O_{19}$ nanoparticles with geometric mean diameter of 3 nm and geometric standard deviation of 1.1. The electrospray was applicable to the prepare of amorphous $BaFe_{12}O_{19}$ thin film on a substrate, and the film thickness could be controlled by adjusting the electrospray deposition time. The c-plane oriented $BaFe_{12}O_{19}$ thin film was successfully prepared by 3 step annealing process of the $BaFe_{12}O_{19}$ amorphous film on a sapphire($Al_2O_3$) substrate; annealing at $350^{\circ}C$ for 30 min, annealing at $500^{\circ}C$ for 30 min, and annealing at $700^{\circ}C$ for 60 min.

• 한국전자파학회논문지
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• 제12권6호
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• pp.1002-1008
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• 2001

본 논문은 전파흡수기능을 갖는 경량, 고강도 고분자 복합재료의 재료 설계 및 전각흡수특성에 관한 연구이다. 전송선로 이론을 도입하여 다층구조 전파흡수체의 반사감쇠량 계산에 필요한 이론식을 제시하고, 각 층의 재료정수 및 두께의 함수로 계산한 전파흡수능 결과에 근거하여 각 층의 재질에 적합한 복합재료를 제시하였다. 본 연구에서 가장 중요한 결과는 페라이트 충진재를 사용하지 않은 3층 구조 (표면층/중간층/배면층)의 전파흡수구조재를 설계하였다는 점이다. 표면층 재료로는 저유전율 특성의 유리섬유 복합재료를 사용하고, 중간층 및 배면층에는 유전상수 및 도전손실이 큰 탄소섬유 복합재료를 사용하여 4~12 GHz 주파수 범위에서 10 dB 이상의 전파흡수특성을 얻을 수 있었다. 이에 반하여 흡수층/반사층으로 구성되는 2층 구조의 전파흡수구조재에서는 흡수층에 페라이트 충진재의 사용이 필수적이었다. 반사층 재질로 탄소섬유 복합재료를 사용하고, 횹수층 유리섬유 복합재료에 페라이트 충진재를 약 40 wt% 첨가함으로써 4~12 GHz 주파수 범위에서 10 dB 이상의 전파흡수특성을 얻을 수 있었다.

• 한국안광학회지
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• 제8권2호
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• pp.25-29
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• 2003

자외선과 전자파를 동시에 차단하는 선글라스렌즈를 제작하기 위하여 유리가판 위에 자성재료인 페라이트에 Ni를 여러 가지 조성비로 첨가한 니켈페라이트 박막 $Ni_xFe_{3-x}O_4$을 페라이트 도금법으로 제작하였다. 이들은 모두 스피넬 구조의 단일상임을 확인할 수 있었으며 육안으로 관찰할 때 거울면과 같은 광택을 가졌으며, 손톱으로 긁었을 때 흠집이 생기지 않는 강도를 보였다. 니켈페라이트는 400nm 부근에서부터 급격히 투과율이 떨어져 자외선을 차단하는데 효과적인 양상을 보이고 있으며 그 중에서 x = 0.09의 Ni 조성비가 자외선 차단효과가 가장 좋은 깃으로 나타났다. 이는 타사제품과 비교하여 자외선 차단효과는 크게 떨어지지 않으므로, 전자파 차단효과가 있는 $Ni_xFe_{3-x}O_4$ 페라이트를 코팅한 선글라스를 착용함으로서 유해전자파와 자외선을 동시에 차단하는 효과를 얻을 수 있을 것이다.