• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.244.2-244.2
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• 2013

Contact Pattern을 Plasma Etching을 통해 Pattering 공정을 진행함에 있어서 Plasma 내에 존재하는 High Energy Ion 들의 Bombardment 에 의해, Contact Bottom 의 Silicon Lattice Atom 들은 Physical 한 Damage를 받아 Electron 의 흐름을 방해하게 되어, Resistance를 증가시키게 된다. 또한 Etchant 로 사용되는 Fluorine 과 Chlorine Atom 들은, Contact Bottom 에 Contamination 으로 작용하게 되어, 후속 Contact 공정을 진행하면서 증착되는 Ti 나 Co Layer 와 Si 이 반응하는 것을 방해하여 Ohmic Contact을 형성하기 위한 Silicide Layer를 형성하지 못하도록 만든다. High Aspect Ratio Contact (HARC) Etching 을 진행하면서 Contact Profile을 Vertical 하게 형성하기 위하여 Bias Power를 증가하여 사용하게 되는데, 이로부터 Contact Bottom에서 발생하는 Etchant 로 인한 Damage 는 더욱 더 증가하게 된다. 이 Damage Layer를 추가적인 Secondary Damage 없이 제거하기 위하여 본 연구에서는 원자층 식각방법(Atomic Layer Etching Technique)을 사용하였다. 실험에 사용된 원자층 식각방법을 이용하여, Damage 가 발생한 Si Layer를 Secondary Damage 없이 효과적으로 Control 하여 제거할 수 있음을 확인하였으며, 30 nm Deep Contact Bottom 에서 Damage 가 제거될 수 있음을 확인하였다. XPS 와 Depth SIMS Data를 이용하여 상기 실험 결과를 확인하였으며, SEM Profile 분석을 통하여, Damage 제거 결과 및 Profile 변화 여부를 확인하였으며, 4 Point Prove 결과를 통하여 결과적으로 Resistance 가 개선되는 결과를 얻을 수 있었다.

• 대한금속재료학회지
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• 제47권11호
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• pp.748-753
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• 2009

The surface morphology and the surface roughness of n-type SiC induced by wet-treatment using 45% KOH and buffered oxide etchant (BOE-1HF : $6H_2O$) were investigated by atomic force microscopy (AFM). While Si-face of SiC could be etched by alkali solutions such as KOH, acidic solutions such as BOE were hardly able to etch SiC. When the rough SiC samples were used, the surface roughness of etched sample was decreased after wet-treatment regardless of etchant, due to the planarization the of surface by widening of scratches formed by mechanical polishing. It was observed that the initial etching was affected by the energetically unstable sites, such as dangling bond and steps. However, when a relatively smooth sample was used, the surface roughness was rapidly increased after treatment at $180^{\circ}C$ for 1 hr and at room temperature for 4 hr by using KOH solution, resulting from the nano-sized structures such as pores and bumps. This indicates that porous SiC surface can be achieved by using purely chemical treatment.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제19권4호
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• pp.650-656
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• 2018

TFT-LCD 산업은 반도체와 유사한 공정기술을 갖는 대규모 장치 산업으로 일종의 Giant Microelectronics 산업이다. 습식 에칭(Wet Etching)은 전체 TFT 공정에서 비교적 큰 비중을 차지하고 있지만 발표된 연구사례는 부족한 실정이다. 그 주요 원인은 반응이 일어나는 에칭액(Etchant) 성분이 기업의 비밀로 간주되어 외부에 발표되는 사례가 거의 없기 때문이다. 최근 대면적 LCD 제조를 위하여 사용되는 알루미늄(Al)과 구리(Cu)는 습식 에칭을 진행하기에 매우 까다로운 물질이다. 저 저항성 재료인 Cu는 습식 에칭 공정에서만 가능하며 높은 속도와 낮은 실패율, 적은 소비전력으로 Al 에칭 대용으로 사용하고 있다. 그리고 에칭액으로 사용하는 과산화수소($H_2O_2$)의 이상 반응으로 추가적인 배관 및 전기적인 안전장치가 필요하다. 본 논문에서는 과산화수소의 이상 반응을 제한하지는 못하나 이상 반응 발생 시 설비의 피해를 최소화 할 수 있는 방법을 제안한다. 또한 최근에 알루미늄 에칭설비에서 구리 에칭설비로 변경하는 사례가 많아 구리 에칭설비에 대한 하드웨어 인터록을 제안하고 안전 등급이 높은 안전 PLC로 구현하여 이상 반응에 대한 대비책을 강구하는 방안을 제안한다.

• 연구논문집
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• 통권23호
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• pp.29-43
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• 1993

Photoetching of AISI 304 stainless steel in ferric chloride solution has been studied. This paper investigated on the single side etching characteristics of 304 stainless steel, especially influence of etching temperature, spray pressure of ferric chloride etchant, and etching time with $50\mum$ and $75\mum$ line width photomask.

• 대한전기학회논문지
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• 제43권6호
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• pp.1036-1038
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• 1994

In this paper, a silicon piezoresistive accelerometer is designed and fabricated using a silicon direct bonded wafer. The accelerometer consists of a seismic mass and four cantilevers, and is fabricated mainly by the anisotropic etching method using EPW as an etchant. The measured sensitivity and the resonant frequency are 0.02 mV/V.g and 3.4 kHz, respectively. The nonlinearity is less than $\pm$0.3% of the full scale of the output.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.363-363
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• 2010

After oxide wet etch with BOE(Buffered Oxide Etchant), triangle type defect maps were inspected and SEM image showed them unetch of oxide layer. As decreasing design rule, oxide unetch has become a crucial issue and has affected the yield and quality.

• 한국표면공학회지
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• 제32권4호
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• pp.487-495
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• 1999

In order to form metallic electrodes on PZT (Pb (Zr, Ti)O$_3$) ceramics, plating conditions for optimal electroless Ni deposition were investigated. Pb in PZT is the major component to inhibit the electroless deposition, because it plays a active role of catalytic poison in plating solution. Adhesion of the electroless Ni deposits is measured by push-pull scale test and peel test. Results such as deposition ability, deposition rate, and thickness of deposits showed in terms of concentration of etchant, composition of catalyzing solution, and composition and pH of electroless bath solution.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권6호
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• pp.22-30
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• 1993

An integrated silicon pressure sensor with frequency output has been fabricated, measured, and tested. The standard bipolar process is applied and thin diaphragm was formed using EDP anisotropic etchant. Output frequency was 769 Hz-3.1 kHz at the pressure range of 0-10 psi. It operates at the temperature range of 0-50$^{\circ}C$. The frequency sensitivity was 233 Hz/psi and temperature sensitivity was 0.3 Hz/$^{\circ}C$. The power dissipation was 50mW.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권12호
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• pp.1135-1140
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• 2008

Bismuth-telluride based thin film materials are grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD). A planar type thermoelectric device has been fabricated using p-type $Bi_{0.4}Sb_{1.6}Te_3$ and n-type $Bi_2Te_3$ thin films. Firstly, the p-type thermoelectric element was patterned after growth of $4{\mu}m$ thickness of $Bi_{0.4}Sb_{1.6}Te_3$ layer. Again n-type $Bi_2Te_3$ film was grown onto the patterned p-type thermoelectric film and n-type strips are formed by using selective chemical etchant for $Bi_2Te_3$. The top electrical connector was formed by thermally deposited metal film. The generator consists of 20 pairs of p- and n-type legs. We demonstrate complex structures of different conduction types of thermoelectric element on same substrate by two separate runs of MOCVD with etch-stop layer and selective etchant for n-type thermoelectric material. Device performance was evaluated on a number of thermoelectric devices. To demonstrate power generation, one side of the sample was heated by heating block and the voltage output measured. As expected for a thermoelectric generator, the voltage decreases linearly, while the power output rises to a maximum. The highest estimated power of $1.3{\mu}W$ is obtained for the temperature difference of 45 K. we provide a promising procedure for fabricating thin film thermoelectric generators by using MOCVD grown thermoelectric materials which may have nanostructure with high thermoelectric properties.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제32권3호
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• pp.512-521
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• 2015

PCB 제조에서 photoresist와 Copper Clad Laminate(CCL)의 구리표면과의 부착력을 항상시키기 위하여 사용되는 soft etching제를 제조하기 위하여 과산화수소 사용을 배제하고, 유기산과 유기과산화물을 이용하여 산의 종류, 농도, 에칭시간 등에 따른 구리표면의 에칭속도, 표면 조도, 및 오염도 등을 조사하였다. 또한 에칭 후의 표면의 얼룩을 제거하기 위한 안정제의 최적 배합 및 농도도 확립하였다. 본 연구 결과 유기산의 종류 중에서는 아세트산이 초기 구리 에칭속도가 가장 빨랐으며, 농도가 0.04 M이었을 때 $0.4{\mu}m/min$이였다. 유기과산화물인 APS의 농도는 높을수록 에칭속도가 가장 빨랐으나, 표면 오염이 심각하였다. 안정제 용액의 조성도 표면 오염도에 큰 영향을 주었다. 결과적 0.04 M 아세트산, 0.1M APS에 4 g/L의 안정제(ST-1)를 첨가한 에칭액의 경우 $0.37{\mu}m/min$의 에칭속도와 표면오염이 전혀 없으며, 표면 조도도 가장 우수하였다. 즉, CCL과 photoresist와 접착력을 향상시킬 수 있을 것으로 판단된다.