본 논문에서는 N-선로 결합 구조의 등가 이미턴스 산출식을 N-선로 결합시스템의 normal mode 정수로 표현하였다 제안한 산출식은 다양한 결합 구조 즉 방향성 결합기, DC 블럭, 대역통과/대역소거 여파기 및 기타 균일하게 결합된 형태인 여파기 등에 이용될 수 있도록 일반화 되었으며 이들 계산식은 준-TEM 모드로 가정한 결과이다. 이를 이용하여 임의의 임피던스로 종단한 일반적인 4-포트 결합 선로에서 정의된 산란정수를 구하여 입, 출력 포트에 접속된 임피던스에 정합시키는 최척 선로 규격을 구하는 과정을 제시하였다. 제시된 방법을 적용하여 복수 마이크로스트립 결합 선로인 3-선 2-포트 대역소거 여파기의 주파수 특성을 기존의 방법과 비교하여 일치함을 확인하고 5-선 4-포트 구조를 테프론(비유전율 $e$r=2.55) 기판(두께 h=1.588mm) 에 중심 주파수 4 GHz로 설계하였다. 설계 수치에 따른 회로를 제작하여 측정한 실험 결과는 설계시 얻어진 주파수 특성 이론치에 근접하였다.
Self-aligned MOSFETS using a polysilicon gate are widely fabricated in silicon technology. The polysilicon layer acts as a mask for the source and drain implants and does as gate electrode in the final product. However, the usage of polysilicon gate as a self-aligned mask is restricted in fabricating SiC MOSFETS since the following processes such as dopant activation, ohmic contacts are done at the very high temperature to attack the stability of the polysilicon layer. A metal instead of polysilicon can be used as a gate material and even can be used for ohmic contact to source region of SiC MOSFETS, which may reduce the number of the fabrication processes. Co-formation process of metal-source/drain ohmic contact and gate has been examined in the 4H-SiC based vertical power MOSFET At low bias region (<20V), increment of leakage current after RTA was detected. However, the amount of leakage current increment was less than a few tens of ph. The interface trap densities calculated from high-low frequency C-V curves do not show any difference between w/ RTA and w/o RTA. From the C-V characteristic curves, equivalent oxide thickness was calculated. The calculated thickness was 55 and 62nm for w/o RTA and w/ RTA, respectively. During the annealing, oxidation and silicidation of Ni can be occurred. Even though refractory nature of Ni, 950$^{\circ}C$ is high enough to oxidize it. Ni reacts with silicon and oxygen from SiO$_2$ 1ayer and form Ni-silicide and Ni-oxide, respectively. These extra layers result in the change of capacitance of whole oxide layer and the leakage current
This paper shows the design standard of KEPCO on the contamination design for 345 kV and 154 kV transmission tower. Up to now, because the design standard of KEPCO on the insulation design contains 154 kV transmission system only, we had investigated the 343 kV system for the revision of design standard, with respect to the contamination design, we have used the same design philosophy which were adopted to the 765 kV transmission tower. In order to determine the number of insulator discs, we had investigated the withstand voltage of discs according to the level of ESDD(Equivalent Salt Deposit Density) and kinds of disc types. The TOV(Power Frequency Temporary Overvoltage) were estimated by EMTP(Electromagnetic Transient Program) for both 154 kV and 345 kV transmission system. The overvoltage level was appeared 1.35 p.u. between phase to ground for both 154 kV and 345 kV transmission system, but finally this factor was not applied to the design standard considering current design standard and economic point of view. With regard to classification of contamination area of 345 kV transmission system, we added the clean area which was not specified in the current design practise.
여파기는 현대 무선통신에 있어 필수 불가결한 소자이다. 본 논문에서는 LTCC 다층기술을 이용한 IEEE 802.1la WLAN 송수신기 에 응용될 수 있는 소형 대역통과 여파기를 설계, 제작하였다. 2단의 대역통과 여파기의 등가회로를 도출하기 위하여 대역통과와 J-인버터 변환을 Chebyshev 저역통과 프로토타입 여파기에 적용하였다. 병렬 L-C공진기는 복잡하며 고주파에서 인덕터의 기생 성분을 조정하기가 용이하지 않으므로 단락된 $\lambda/4$ 스트립라인 공진기 구조를 이용하였다. 각 수동소자는 서로 다른 층에 위치하고 있으며, 비아를 통하여 상호연결되어 있으며 내부 접지면에 의하여 격리되어 있다. 제작된 여파기는 $2.51\times2.27\times1.02\;mm^3$이며 6층으로 구성되어 있다. 측정된 여파기는 -2.25 dB의 삽입손실과 220 MHz의 대역폭, 5.7 GHz에서 -32.25 dB의 감쇄 특성을 나타내었으며 0.9 ns의 군지연 특성을 나타내었다.
일반적으로 손실이 없는 우형 전송선 모델에 직렬 커패시터와 병렬 인덕터를 삽입하여 만든 우좌형 전송 선로에 손실을 고려한 등가 회로를 제안한다. 제안된 식을 이용하면 원하는 주파수에서의 위상 조절이 가능하며, 단위 셀을 점차 늘려갈수록 발생하는 방사율에 대한 조정 역시 용이하게 된다. 단위 셀의 구조의 증가는 안테나의 배열과 같으며, 이러한 배열 구조에서는 균등한 방사가 요구된다. 따라서 방사율의 조정을 위한 식은 일반적인 마이크로스트립 기판에 제작된 평면 안테나에 비해 소형화된 안테나를 구성하는데 적용될 수 있다. 그리고 회로 시뮬레이션과 EM 시뮬레이션 사이에서 발생하는 방사율에 대한 편차는 수정된 식을 적용하면 부합된 결과를 얻을 수 있으므로 간단한 방사 구조의 설계시 간편하게 이용할 수 있을 것으로 기대된다.
본 논문에서는 $DC{\sim}18\;GHz$에서 동작하는 GTEM 셀 설계를 위한 전자파 모델링과 회로망 해석 기법을 제시하였다. GTEM 셀의 동축선 입력 급전부의 모드 변환기, 전송선 길이가 5미터인 확장형 사각 동축선 그리고 전송부 동축선의 전류와 입력단으로부터 입사되는 전자파를 정합시킬 수 있는 종단 부하로 구성되는 3차인 전자파 수치 해석 모델을 제시하였다. GTEM cell의 급전부, 전송선부, 종단 부하부에 대한 등가 회로망 모델을 제시하였으며, 이를 이용하여 전자파 수치 해석 모델에서 구해진 산란 계수로부터 GTEM cell의 성능 평가 지수인 입력 반사 계수를 계산할 수 있도록 하였다. $DC{\sim}18\;GHz$에서 동작하는 $5.0{\times}2.5{\times}1.7\;m$ 크기의 GTEM cell을 설계, 제작, 성능 평가하여 제안한 기법의 효용성을 입증하였다.
본 논문에서는 자동차의 무게 감소, 탑승자의 안락함과 정숙함, 그리고 연비의 향상 등을 위해 소음을 저감하는데 있어 흡음재와 차음재를 사용하는 기존의 수동적인 방법을 사용하지 않고 능동적으로 감소시키는 방법을 제안하였다. 제안한 방법은 기존의 능동소음 제어기를 향상시킨 것으로서 양방향 제어 알고리듬을 사용하는 새로운 제어기이다. 제안한 알고리듬은 계산양의 증가가 거의 없고, 구현이 간단하고 안정적이며, 수학적으로도 해석이 용이한 장점이 있다. 자동차 엔진소음에 대한 모의실험을 통해 양방향 제어기의 소음감쇠 성능을 순방향제어기와 역방향제어기의 성능에 대해 비교한 결과 시간영역과 주파수영역에서 양방향제어기의 소음감쇠 성능이 우수함을 확인하였으며, 임펄스성의 간섭이 유입되거나 2차 경로의 응답이 변화하는 경우에도 가장 좋은 성능을 보여주었다.
The material used in this study is dielectric and ferrite. Because of the unique characteristics of the material, it is easily exposed to external shocks and pressure, which cause damage to the product. However, after being processed under high-temperature environment repeatedly, the mechanical strength of the product is greatly increased due to the change of the electrical properties. In this paper, dielectric and bonded ferrite material was tested for the material properties. The equipment for this experiment was produced and tested to allow Cylindrical and Three-dimensional geometry of the product for the vacuum deposition. For Cylindrical shape of the product, in order to obtain the equivalent film thickness, the device is constructed in a vacuum chamber which gives arbitrary revolving and rotating capability. The electrical performance of the product is obtained through this process as well. However, as mentioned above, with repeating processes under high temperature and exposure to external environment, the product is easy to be broken. This experiment has enabled us to find out a stable condition to apply the communication of the RF high frequency to each of the core elements, such as Ferrite and Dielectric which is then used for the mechanical strength of the Raw material, hetero-junction material, Hetero-junction Ag Coating material and hetero-junction Ag Coating SiO2 Coating material respectively.
자기유도(inductive) 센서는 원리가 간단하고 경제적이어서 변위, 힘, 압력 등 다양한 물리량 측정에 사용된다. 본 논문에서는 고리 모양의 강판과 코일로 이루어진 간단한 구조의 자기유도 센서를 제안하였다. 센서의 인덕턴스를 자기회로 방법을 이용하여 추정하고 유한요소 해석을 통해 검증하였다. 고리의 고유 진동수를 Castigliano 정리와 등가 질량 방법을 이용하여 추정하고 실험 및 유한요소 해석을 통해 검증하였다. 기계적 진동에 영향을 주지 않도록 센서의 가진 주파수를 결정하였으며, 구동 및 신호처리 회로를 설계하여 센서를 제작하였다. 제작된 자기유도 센서를 유연관 내부의 유체 압력을 비침습적으로 측정하는데 활용하였다. 압력과 센서 출력 간의 관계를 이차식 형태로 표현하면 2% 이내의 정확도로 압력을 측정할 수 있어 압력 센서로서의 가능성을 확인하였다.
Many seismically vulnerable regions in India and worldwide are located on deep soil deposits which extend to several hundred meters of depth. It has been well recognized that the earthquake shaking is altered by geological conditions at the location of building. As seismic waves propagates through uppermost layers of soil and rock, these layers serve as filter and they can increase the duration and amplitude of earthquake motion within narrow frequency bands. The amplification of these waves is largely controlled by mechanical properties of these layers, which are function of their stiffness and damping. Stiffness and damping are further influenced by soil type and thickness. In the current study, an attempt has been made to study the seismic site response of deep soils. Three hypothetical homogeneous soil models (e.g., soft soil, medium soil and hard soil) lying on bedrock are considered. Depth of half space is varied from 30 m to 2,000 m in this study. Controlled synthetic motions are used as input base motion. One dimensional equivalent linear ground response analyses are carried out using a computer package DEEPSOIL. Conventional approach of analysing up to 30 m depth has been found to be inadequate for deep soil sites. PGA values are observed to be higher for deeper soil profiles as compared to shallow soil profiles indicating that deeper soil profiles are more prone to liquefaction and other related seismic hazards under earthquake ground shaking. The study recommends to deal the deeper soil sections more carefully for estimating the amplification factors for seismic hazard assessment at the surface.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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