• 제목/요약/키워드: electronic state

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상태 전환 준비 방법을 이용한 저전력 알고리즘 (A Low Power Algorithm using State Transition Ready Method)

  • 윤충모
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제9권9호
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    • pp.971-976
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    • 2014
  • 본 논문은 상태 전환 준비 방법을 이용한 저 전력 알고리즘을 제안하였다. 제안한 알고리즘은 태스크를 휴면 상태와 유휴 상태, 동작 상태로 구분하여 상태를 정의 한다. 각각의 상태 전환이 발생될 때 발생되는 지연시간으로 인하여 발생되는 소모 전력을 줄이기 위해 각각의 상태 중간에 준비 상태를 삽입한다. 준비 과정은 상태의 전환에서 발생되는 소모 전력과 지연시간을 고려한다. 지연시간이 긴 경우에는 스케줄링에서의 단계를 초과하여 수행 단계를 증가시키는 문제를 발생시킨다. 수행 단계의 증가는 소모 전력의 증가를 초래한다. 상태 전환에서 지연시간이 가장 긴 휴면 상태에서 동작 상태로 상태가 전환될 때 발생되는 시간지연으로 인하여 발생되는 동작시간의 증가를 줄여 전체 소모 전력을 줄이게 된다. 실험은 저 전력 알고리듬인 참고문헌 [6]과 비교하였다. 실험결과 참고문헌 [6]보다 소모 전력이 감소되어 알고리듬의 효율성이 입증되었다.

새로운 광변색성 Spiroxazine색소의 합성과 특성 (Syntheses and Characterisitics of New Photochromic Spiroxazine Dyes)

  • 김성훈
    • 한국인쇄학회지
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    • 제12권1호
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    • pp.159-168
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    • 1994
  • The Aggregation State of thin vapor deposite Film made by Cyanine Dye were changed into Monomeric molecular state(M) and Dimeric Aggregation(D) at the acidic treatment, into reversible H-Aggregation (H) at alkalic gas or heat treatment. Photo-electric properties were higher H than D and M, this stats were effective in enhancing Photoelectric-conversion characteristic. Substitute group of Meso-Position being stronger electronic Donors, Electronic density is higher and Electric conductivity is enhanced, we confirmed Oscillator Strength calculated by PPP-Molecular Orbital Calculation and Absorption Spectra at solvent stats were agreed good.

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온도 변화에 따른 NPT-IGBT의 과도 특성 (Transient Characteristics of NPT-IGBT with different temperatures)

  • 류세환;황광철;안형근;한득영
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.292-295
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    • 2002
  • In this work, transient characteristics of NPT(Non Punch Through)-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) have been studied with different temperatures analytically. Power losses are caused by heat generated in MIT-IGBT for steady state and transient state conditions. We therefore have focused on the analysis of excess carrier concentration and excess charge injected into N-drift layer with different temperatures and have obtained anode voltage drop during turn-off with lifetime of 2.4[${\mu}$s].

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Power electronics의 배경

  • 박민호
    • 전기의세계
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    • 제25권2호
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    • pp.65-71
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    • 1976
  • Thyristor 등의 Power Semiconductor에 의한 전자장치를 사용하여 전력의 Conversion, Control 그리고 Switch 등의 기술분야를 Solid State Powerelectronics라고 H.F.Storm는 말하였다. 또 필자는 Thyristor와 전동기제어, System화된 전동기 등에서 Power elecrronics를 언급하고 그 말미를 밝힌 바 있다. Powerelectronics란 전력, 산업용의 Electronics라고 말할 수 있고 광의의 해석에서는 (1)Solid State Power Device에 의한 전력변환, 제어, (2)Computor 및 이에 관련된 응용기술로서의 정보처리의 전력계의 이용, (3)Plasma, Super-Conductor, Laser의 3가지 분야를 말하나 현재로서는 (1)의 분야가 제일 적합하다. 본문에서는 Powerelectronics의 구성요소가 비록 Power에서 Power로 끝나지만 Electronics, Power 및 Control의 3분야의 유기적 형성에서 이루어진다는 것과 이것이 이루어 놓은 업적은 많으나 학문적 체계에는 이 분야의 전문가들의 힘이 커야 한다는 것을 강조하면서 Powerelectronics의 배경에 관해 기술하고자 한다.

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Optimal Basis Functions for Siegert Resonance State Representation in Al2 Electronic Predissociation

  • Jang, Hyo Weon
    • 대한화학회지
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    • 제57권2호
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    • pp.172-175
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    • 2013
  • We compare the relative usefulness of common basis functions and numerical integration methods in representing complex resonance state encountered in the molecular scattering problem of aluminum dimer electronic predissociation. Specifically, the basis set size and computing CPU times are monitored in order to find the minimum requirement for ensuring the modest accuracy of calculated resonance energies (0.1 $cm^{-1}$) for more than 100 resonance states. The combination of the so-called one-dimensional box eigenfunctions and energy-dependent boundary functions are found to be most efficient if integration is done using the basis set quadrature rules.