• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권6호
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• pp.1051-1055
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• 2008

ZnS는 전기적 에너지를 받으면 전자와 정공이 무수히 발생하며 이들이 평형상태로 갈 때 보다 높은 준위로 여기되면 빛이 생성될 수 있다. 박막 ELD는 탁월한 시각효과, 고체상태 및 제조의 용이성 등의 장점을 갖고 있으나 발광세기의 향상, 소모전력의 감소, 구동전압의 저하 등 해결되어야 할 문제점이 많이 남아있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 보다 우수한 박막EL의 전계발광(EL)표시장치를 설계 제작하였다. 우수한 재료선택을 위하여 일본의 High purity사의 제품을 선택하였고, 이 제품이 Electron Beam으로 증착 시에 우수한 특성을 나타냈고, 휘도도 상용화된 800fL에 80% 수준으로 제작과정을 개선하여 더욱 우수한 결과를 얻을 수 있고 본 연구는 Yellow의 경우 650fL의 휘도를 얻었고, Green의 경우 350fL의 휘도를 얻었다. Electron Beam 제작용으로 자체 제작된 기판 홀더로 막을 제작한 결과 두께 균일도는 6% 내외 의 결과로 상당히 우수한 특성을 나타내었다.

• 한국인쇄학회지
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• 제18권1호
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• pp.47-58
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• 2000

Transmittances of SiO2 and ZrO2 thin films, made by the electron beam evaporation method, were measured with a spectrophotometer to be used in determining their optical constants and thicknesses in the envelop method. New color glass lenses with high transmittance, which now can be manufactured in the industry, was successfully designed by using these constants. Also the vacuum evaporator could be mechanically corrected with these constants as correction factors.

• 한국자기학회지
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• 제7권4호
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• pp.205-211
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• 1997

E-Beam Evaporator로 제조된 CoCrTa/CrNi 자성박막에서 하지층인 Cr에 대한 소량첨가원소인 Ni이 자성박막의 자기적 성질에 어떤 영향을 미치는가를 조사하였다. 상온에서 제조된 시편에서 소량의 첨가원소 Ni의 영향은 보자력의 증가를 가져왔음을 알 수 있었다. 이러한 보자력 증가의 원인을 XRD와 AFM으로 그 결정배향성과 미세구조를 통하여 살펴보았다. Cr 하지층에 Ni의 첨가시 결정립의 크기가 증가함을 알 수 있었다. 280 .deg. C 기판온도에서는 CrNi 하지층을 갖는 박막이 오히려 낮은 보자력 값을 나타내었고 이것은 결정립 크기의 증가때문으로 생각된다. 높은 기판온도에서는 결정배향성보다 Cr의 편석이 보자력에 대한 주요한 기구인 것으로 생각된다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제5권1호
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• pp.51-55
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• 2006

MgO thin films were prepared through electron-beam deposition onto ITO-coated glass substrates in order to measure electrical, dielectric, and microstructural properties. Design of experiments was performed in this study with the aim to understanding of the effects of processing variables, e.g., substrate temperature and filament current of an e-beam evaporator statistically. Leakage currents, relative dielectric constants, and diffraction intensities of MgO thin films were analyzed statistically, following the analysis procedure provided in the design of experiments. The leakage current level of MgO thin films has been found to be statistically significant at the level of $\alpha=0.1$.

• 대한치과보철학회지
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• 제29권2호
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• pp.245-265
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• 1991

The purpose of this study was to observe the changes of the elemental transmission and bond strength between the metal and porcelain according to various kinds of ion beam mixing method. ion beam mixing of $meta1/SiO_2$ (silica), $meta1/Al_2O_3$(alumina) interfaces causes reactions when the $Ar^+$ was implanted into bilayer thin films using a 100KeV accelerator which was designed and constructed for this study. A vacuum evaporator used in the $10^{-5}-10^{-6}$ Torr vacuum states for the evaporation. For this study, three kinds of porcelain metal selected, -precious, semiprecious, and non-precious. Silica and alumina were deposited to the metal by the vacuum evaporator, separately. One group was treated by two kinds of dose of the ion beam mixing $(1\times10^{16}ions/cm^2,\;5\times10^{15}ions/cm^2)$, and the other group was not mixed, and analyzed the effects of ion beam mixing. The analyses of bond strength, elemental transmissions were performed by the electron spectroscopy of chemical analysis (ESCA), light and scanning electron microscope, scratch test, and micro Vickers hardness tests. The finding led to the following conclusions. 1. In the scanning electron and light microscopic views, ion beam mixed specimens showed the ion beam mixed indentation. 2. In the micro Vickers hardness and scratch tests, ion beam mixed specimens showed higher strength than that of non mixed specimens, however, nonprecious metal showed a little change in the bond strength between mixed and non mixed specimens. 3. In the scratch test, ion beam mixed specimens showed higher shear strength than that of non treated specimens at the precious and semiprecious groups. 4. In the ESCA analysis, Au-O and Au-Si compounds were formed and transmission of the Au peak was found ion beam mixed $SiO_2/Au$ specimen, simultaneously, in the higher and lower bonded areas, and ion beam mixed $SiO_2/Ni-Cr$ specimen, oxygen, that was transmitted from $SiO_2\;to\;SiO_2/Ni-Cr$ interface combined with 12% of Ni at the interface.

• 한국자기학회지
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• 제9권4호
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• pp.210-216
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• 1999

본 연구에서는 e-beam evaporator를 사용하여 제조한 CoCrTa/CrNi 박막시편의 자성층 두께에 따른 부식특성과 열처리에 따른 부식특성의 변화를 알아보았다. Potentiodynamic scan을 이용하여 알아본 결과, 자성층 두께가 증가함에 따라 부식전위가 낮아지고, 부동태 전류밀도가 감소함을 알 수 있었다. XRD를 이용한 분석결과에 따르면, 이것은 자성층 두께가 증가함에 따라 (100)면보다 수소과전압이 큰 (0002)면으로 우선 성장했기 때문이다. 열처리에 따른 CoCrTa(400$\AA$) 자성박막의 부식특성 변화를 potentiodynamic scan과 accelerated corrosion chamber test를 이용하여 알아본 결과, 열처리후 박막시편의 내부식성이 우수해짐을 알 수 있었다. 이것은 열처리에 의해 자성층위에 Cr 산화물층이 형성되고, 이 산화물층이 자성층의 보호막으로 작용했기 때문이다.

• 대한금속재료학회지
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• 제46권10호
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• pp.683-690
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• 2008

In order to develop transparent electrodes for high efficiency GaN-based light emitting diodes (LEDs), the electrical and optical properties of the electron beam evaporated ITO contacts have been investigated as a function of the deposition temperature and flow rate of oxygen during the deposition. As the deposition temperature increases from $140^{\circ}C$ to $220^{\circ}C$, the resistivity of the ITO films decreases slightly from $4.0{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ to $3.3{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, meanwhile the transmittance of the ITO films significantly increases from 67% to 88% at the wavelength of 470 nm. When the flow rate of oxygen during the deposition increases from 2 sccm to 4 sccm, the resistivity of the ITO films increases from $3.6{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ to $7.4{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, meanwhile the transmittance of the ITO films increases from 86% to 99% at 470 nm. Blue LEDs fabricated with the electron beam evaporated ITO electrode show that the ITO films deposited at $200^{\circ}C$ and 3 sccm of the oxygen flow rate give a low forward-bias voltage of 3.55 V at injection current of 20 mA with a highest output power.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 춘계 기술심포지움 논문집
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• pp.92-97
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• 2002

We establish a visible light emission from porous polycrystalline silicon nano structure(PPNS). The PPNS layer are formed on heavily doped n-type Si substrate. 2um thickness of undoped polycrystalline silicon deposited using LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) anodized in a HF: ethanol(=1:1) as functions of anodizing conditions. And then a PPNS layer thermally oxidized for 1 hr at $900 ^{\circ}C$. Subsequently, thin metal Au as a top electrode deposited onto the PPNS surface by E-beam evaporator and, in order to establish ohmic contact, an thermally evaporated Al was deposited on the back side of a Si-substrate. When the top electrode biased at +6V, the electron emission observed in a PPNS which caused by field-induces electron emission through the top metal. Among the PPNSs as functions of anodization conditions, the PPNS anodized at a current density of $10mA/cm^2$ for 20 sec has a lower turn-on voltage and a higher emission current. Furthermore, the behavior of electron emission is uniformly maintained.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.180-180
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• 2015

Solution processed Resistive random access memory (ReRAM)은 간단한 공정 과정, 고집적도, 저렴한 가격, 대면적화 플라즈마 데미지 최소화 등의 장점으로 차세대 비휘발성 메모리로 써 많은 관심을 받고 있으며, 주로 high-k 물질인 HfOx, TiOx, ZnO 가 이용 된다. IGZO와 ZTO와 같은 산화물 반도체는 높은 이동도, 대면적화, 넓은 밴드갭으로 인하여 투명한 장점으로 LCDs (Liquid crystal displays)에 이용 가능하며, 최근에는 IGZO와 ZTO에서 Resistive Switching (RS) 특성을 확인한 논문이 보고되면서 IGZO와 ZTO를 ReRAM의 switching medium와 TFT의 active material로써 동시에 활용하는 것에 많은 관심을 받고 있다. 이와 같은 산화물 반도체는 flat panel display 회로에 TFT와 ReRAM의 active layer로써 집적가능 하며 systems-on-panels (SOP)에 적용 가능하다. 하지만 IGZO 보다는 ZTO가 In과 Ga을 포함하지 않기 때문에 저렴하다. 그러므로 IGZO를 대신하는 물질로 ZTO가 각광 받고 있다. 본 실험에서는 ZTO film에 Al을 doping하여 메모리 특성을 평가하였다. 실험 방법으로는 p-type Si에 습식산화를 통하여 SiO2를 300 nm 성장시킨 기판을 사용하였다. 그리고 Electron beam evaporator를 이용하여 Ti를 10 nm, Pt를 100 nm 증착 한다. 용액은 Zn와 Tin의 비율을 1:1로 고정한 후 Al의 비율을 0, 0.1, 0.2의 비율로 용액을 각각 제작하였다. 이 용액을 이용하여 Pt 위에 spin coating방법을 이용하여 1000 rpm 10초, 6000 rpm 30초의 조건으로 AZTO (Al-ZnO-Tin-Oxide) 박막을 증착한 뒤, solvent 및 불순물 제거를 위하여 $250^{\circ}C$의 온도로 30분 동안 열처리를 진행하였다. 이후 Electron beam evaporator를 이용하여 top electrode인 Ti를 100 nm 증착하였다. 제작된 메모리의 전기적 특성은 HP 4156B semiconductor parameter analyzer를 이용하여 측정하였다. 측정 결과, AZTO (0:1:1, 0.1:1:1, 0.2:1:1)를 이용하여 제작한 ReRAM에서 RS특성을 얻었으며 104 s이상의 신뢰성 있는 data retention특성을 확인하였다. 그리고 Al의 비율이 증가할수록 on/off ratio가 증가하고 endurance 특성이 향상되는 것을 확인하였다. 결론적으로 Al을 doping함으로써 ZTO film의 메모리 특성을 향상 시켰으며 AZTO film을 메모리와 트랜지스터의 active layer로써 활용 가능할 것으로 기대된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제5권1호
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• pp.25-36
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• 1995

유리기판(Corning 7059) 위에 Electron Beam Evaporator(EBE)로 진공 중에서 증착된 $Cd_{1-y}Zn_{y}Te$(CZT) 박막의 표면 조성비와 결정구조를 조사하였다. 증착시 기판의 온도는 각각 실온과 $300^{\circ}C$였으며, 열처리는 압력 $1 {\times} 10^{-6}$ torr하에서 $300^{\circ}C$에서 1시간 동안 행하였다. 증착된 CZT 박막의 표면조성비는 Cd 원자가 상대적으로 약 4% 정도 부족하였고, Zn원자는 비교적 안정하였다. 박막의 구조는 거의 Cubic phase인 다결정(polycrystal)이었다. $400^{\circ}C$에서 측정된 X-선 분말 회절상으로부터 구한 격자상수 값으로부터 계산된 열팽창 계수는 $6.30 {\times} 10^{-6}/^{\circ}C$ 이었다. 박막은 열처리에 의하여 회절상의 peak가 증가하였으나 기판의 온도가 결정화에 더 큰 영향을 미치는 것으로 판단된다.