Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.625-628
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1999
Recently. high-density printed circuit boards(PCB) become indispensable with the minaturization of components. Nickel is deposited on the copper patterns and followed by the gold deposition for improving connection reliability between the printed circuit boards and electronic components. Conventionally electrodeposition has been applied to metalization of copper patterns. However metalization by this method is not applicable for the isolated fine and concentrated patterns. Therefore, metalization technology of the fine patterns by electroless plating is required in place of electrodeposition. The application of electroless nickel plating for interconnection with solder strongly relies on the solderability and the interactions between nickel and solder. Factors such as phosphorus content of the deposit additive and bath temperature may influence solderability of the electroless nickel deposit. So solderability of electroless nickel/ gold deposits was investigated with substrates plated changing the condition of nickel solution.
Kim, Seong-Hyok;Kim, Yong-Kweon;Lee, Jae-Ho;Huh, Jin
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.6
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pp.367-374
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2000
This paper presents a method to fabricate freestanding structures by (100) silicon anisotropic etching and nickel electroless plating. The electroless plating process is simpler than the electroplating, and provides good coating uniformity and improved mechanical properties. Furthermore, the (100) silicon anisotropic etching in KOH solution with being aligned to <100> direction provides vertical (100) sidewalls on etched (100) surface. In this paper, the effects of the nickel electroless plating condition on the properties of electroless plated metal structures are investigated to apply fabrication of micro structures and then various micro structures are fabricated by nickel electroless plating. And then, the structures are released by silicon anisotropic etching in KOH solution with a large gap between the structure and the substrate. The fabricated cantilever structures are $210\mum$. wide, $5\mum$. thick and $15\mum$. over the silicon substrate, and the comb structure has the comb electrodes which are $4\mum$. wide and $4.3\mum$. thick separated by$1\mum$. It is released by silicon anisotropic etching in KOH solution. The gap between the structure and the substrate is $2.5\mum$.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.43
no.2
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pp.47-50
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2010
This work discusses a two-step electroless plating method for preparing a Pt thin film on p-type InGaAs substrate, which is defined as Pt I and Pt II. A thin Pt catalytic layer formed in Pt I bath on the substrate at $65^{\circ}C$. In the following Pt II bath, thick Pt films then easily grew on the sensitized layer on InGaAs previously formed in the Pt I bath. The growth of Pt film is strongly influenced by the plating temperature and pH value. To study the plating time effect, the plating of Pt II bath is 5 to 40 min at $80^{\circ}C$ after using Pt I bath at 50~$65^{\circ}C$ for 5min of pH 8~13. Pt film for ohmic contact to p-type InGaAs was successfully prepared by using the two-step Pt electroless plating.
The crysralline silicon solar cell where the solar cell market grows rapidly is occupying of about 85% or more high efficiency and low cost endeavors many crystalline solar cells. The fabricaion process of high efficiency crystalline silicon solar cells necessitate complicated fabrication processes and Ti/Pd/AG contact, This metal contacts have only been used in limited areas in spite of their good srability and low contact resistance because of expensive materials and process. Commercial solar cells with screen-printed solar cells formed by using Ag paste suffer from loe fill factor and high contact resistance and low aspect ratio. Ni and Cu metal contacts have been formed by using electroless plating and light-induced electro plating techniques to replace the Ti/Pd/Ag and screen-printed Ag contacts. Copper and Silver can be plated by electro & light-induced plating method. Light-induced plating makes use the photovoltaic effect of solar cell to deposit the metal on the front contact. The cell is immersed into the electrolytic plating bath and irradiated at the front side by light source, which leads to a current density in the front side grid. Electroless plated Ni/ Electro&light-induced plated Cu/ Light-induced plated Ag contact solar cells result in an energy conversion efficiency of 16.446 % on 0.2~0.6${\Omega}$ cm, $20{\times}20mm^2$, CZ(Czochralski) wafer.
Kim, Yeonjae;Kim, Jungsoo;Jang, Jaeho;Park, Won-Wook;Nam, Dae-Geun
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.48
no.5
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pp.199-204
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2015
Recently, fuel cell is a good alternative for energy source. Separator is a important component for fuel cell. In this study, The surface of separator was modified for corrosion resistance and electric conductivity. Reduced graphene oxide (rGO) was made by Staudenmaier's method. Nickel, phosphorus and rGO were coated on 6061 aluminum alloy as a separator of proton exchange membrane fuel cell by composite electroless plating. Scanning electron microscope, energy-dispersive X-ray spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy were used to examine the morphology of Ni-P-rGO. Surface images were shown that the rGO was dispersed on the surface of Ni-P electroless plating, and nickel was combined with the un-reduced oxygen functional group of rGO.
In this study, the adsorption behaviors of mercury ions on the electroless Cu-plated activated carbons have been investigated. The amount of copper on activated carbons have been confirmed by atomic absorption spectrophotometer (AAS). The surface properties of the ACs studied have been characterized by using Boehm's titration method and scanning electron microscopy (SEM).Experimental results showed the adsorption capacity of mercury ions was increased as the electroless Cu plating. This was probably due to the introduction of copper on ACs leaded to an increase in the surface basicity.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.42
no.4
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pp.152-156
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2009
Electroless plating is influenced by kinds of parameters including concentrations of electrolyte, plating time, temperature and so on. In this study, the Pt thin films were prepared on GaAs substrate by a 2-step electroless plating depending method. The small Pt catalytic particles by using Pt I bath exhibited islands-morphology dispersed throughout the substrate surface at $65^{\circ}C$, as function as a sensitized thin film, and then a thicker Pt film grew upon the sensitized layer by the second Pt II bath. As the growth of Pt film is strongly influenced by the plating time and temperature, the plating time of Pt II bath varied from 5 min to 40 min at $60{\sim}80^{\circ}C$ after Pt I bath at $60{\sim}80^{\circ}C$ for 5 min. It is found that the film grows with the increasing plating time and temperature. The resistivity value of Pt deposited layer was characterized to study the growth mechanism of 2-step plating.
In this work, electroless Ni-plating on polyethylene terephthalate (PET) ultra-fine fibers surfaces was carried out to improve the electric conductivity of the fiber. The surface properties of PET ultra-fine fibers were characterized using scanning electron microscopy, X-ray diffraction, and contact angle analyses. The electric conductivity of the fibers was measured using a 4-point testing method. The experimental results revealed the presence of island-like nickel clusters on the PET ultra-fine fibers surfaces in the initial plating state, and the electric conductivity of the Ni-plated fibers was enhanced with increasing plating time and thickness of the Ni-layers on the PET ultra-fine fibers.
The laser induced forward transfer(LIFT) technique employs a pulsed laser to transfer parts of a thin metal film from an optically transparent target onto an arbitrary substrate in close proximity to the metal film on the target. In this work, a two-step method, the combination of LIFT process, in which a Au film deposited on the $Al_2$O$_3$ substrate by Nd:YAG laser and subsequent Au electroless metal plating on the by LIFT process generated Au seed, was presented. The influence of laser parameters, wavelength, laser power, film thickness and overlap ratio of pulse tracks, on the shapes of deposit and conductor line after electroless plating is experimentally studied. As a results, the threshold power densities for ablation, deposition and metallization were determined and comparison of threshold value between the wave length 1064nm and the second harmonic generated 532nm. In odor to determine a possible application in the electronic industry, a smallest conduct spot size, line width and isolated line space were generated.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.686-686
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2013
Crystalline silicon solar cell is a semiconductor device that converts light into electrical energy. Screen printing is commonly used to form the front/back electrodes in silicon solar cell. Screen printing method is convenient but usually shows high resistance and low aspect ratio, which cause the efficiency decrease in crystalline silicon solar cell. Recently the plating method is applied in c-Si solar cell to reduce the resistance and improve the aspect ratio. In this paper, we investigated the effect of additional electroless Ag plating into screen-printed c-Si solar cell and compared their electrical properties. All wafers used in this experiment were textured, doped, and anti-reflection coated. The electrode formation was performed with screen-printing, followed by the firing step. Aften then we carried out electroless Ag plating by changing the plating time in the range of 20 sec~5 min and light intensity. The light I-V curve and optical microscope were measured with the completed solar cell. As a result, the conversion efficiency of solar cells was increased mainly due to the decreased series resistance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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