Effects of plating conditions (dispersant concentration, plating time, and ultrasonication) on electroless Cu plating on SiC fabric woven by crossing of SiC continuous fibers vertically were studied. The ultrasonic dispersion treatment not only did not improve the dispersion of the SiC fibers, but also did not change the plating thickness. The ultrasonication in the pretreatment step of electroless plating did not improve the dispersion of the fibers, while the ultrasonication in the plating step enhanced the dispersion of the fibers and decreased the thickness of the Cu films. It was possible to control the thickness of the Cu coating layer as well as the dispersion of the fibers in the fabric by changing the plating conditions such as dispersant concentration, plating time, and ultrasonication, but it was very difficult to coat copper on the intersection of vertical fibers in the fabric.
산성 도금조에서 차인산나트륨을 환원제로 하는 무전해 도금법을 사용하여 직경 $4{\mu}m$의 PMMA(poly-methylmethacrylate)/HDDA(1,6-hexanedioldiacrylate) 단분산 가교 고분자 미립자에 니켈층을 코팅할 시 1) 전처리 조건변화, 2) 도금조 온도변화, 3) 도금조 pH 변화, 및 4) 초기 도금조 pH 조절 등에 따라서 도금속도, 도금면의 상태 및 도금 재현성을 관찰하였다. 무전해 도금에서의 전처리 과정은 모든 단계가 중요하였으나 특히 conditioning 및 acceleration 과정이 균일한 도금층을 형성하는데 중요하였고, 도금조 온도 및 pH의 상승에 따라서 도금속도가 증가하였으며, 특히 초기 도금조의 pH의 조절이 도금 재현성을 확보하는데 매우 중요하였다.
Surface of PEEK(poly-ether-ether-ketone) was modified by chemical etching, plasma treatment and mechanical grinding to improve the plating adhesion. The plating characteristics of these samples were studied by the contact angle, plating thickness, gloss and adhesion. Chemical etching and plasma treatment increased wettability, adhesion and gloss. The contact angle of as-received PEEK was $61^{\circ}$. The contact angles of chemical etched, plasma treated or both were improved to the range of $15{\sim}33^{\circ}$. In the case of electroless plating, the thickest layer without blister was $1.6{\mu}m$. The adhesion strengths by chemical etching, plasma treatment or both chemical etching and plasma treatment were $75kgf/cm^2$, $102kgf/cm^2$, $113kgf/cm^2$, respectively, comparing to the $24kgf/cm^2$ of as-received. In the case of mechanically ground PEEKs, the adhesion strengths were higher than those unground, with the sacrifice of surface gloss. The gloss of untreated PEEK were greater than mechanically ground PEEKs. Plating thickness increased linearly with the plating times.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제11권4호
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pp.174-177
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2010
We have developed an environment-friendly etching process, an alternative to the dichromic acid etching process, as a pretreatment of acrylonitrile-butadiene-styrene (ABS) plastic for electroless plating. In order to plate ABS plastic in an electroless way, there should be fine holes on the surface of the ABS plastic to enhance mechanically the adhesion strength between the plastic surface and the plate. To make these holes, the surface was coated uniformly with dispersed chemical foaming agents in a mixture of environmentally friendly dispersant and solvent by the methods of dipping or direct application. The solvent seeps into just below the surface and distributes the chemical foaming agents uniformly beneath the surface. After drying off the surface, the surface was heated at a temperature well below the glass transition temperature of ABS plastic. By pyrolysis, the chemical foaming agents made fine holes on the surface. In order to discover optimum conditions for the formation of fine holes, the mixing ratio of the solvent, the dispersant and the chemical foaming agent were controlled. After the etching process, the surface was plated with nickel. We tested the adhesion strength between the ABS plastic and nickel plate by the cross-cutting method. The surface morphologies of the ABS plastic before and after the etching process were observed by means of a scanning electron microscope.
A. Aal;V. V. Khutoryanskiy;Z. S. Nurkeeva;G. A. Mun;Soh, Dea-Wha
한국정보통신학회:학술대회논문집
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한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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pp.403-406
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2003
Poyethylene(PE) films could be modified by radiation grafting of N-vinyl pyrollidone(NVP) using radiation. FTIR spectra was used to confirm the modification of PE films. The modified films were activated by one-step or two-step methods for electroless Cu plating. Morphology of metallized films has been investigated. Electroless Cu plating onto the modified films depends mainly on the grafting degree and activation type. The electrical conductivity and adhesion of the metallized films has been investigated and tested in regard of grafting degree of samples.
We investigated the characteristics of electroless plated Cu films on screen printed Ag/Anodized Al substrate. Cu plating was attempted using neutral electroless plating processes to minimize damage of the anodized Al substrate; this method used sodium hypophosphite instead of formaldehyde as a reducing agent. The basic electroless solution consisted of $CuSO_4{\cdot}5H_2O$ as the main metal source, $NaH_2PO_2{\cdot}H_2O$ as the reducing agent, $C_6H_5Na_3O_7{\cdot}2H_2O$ and $NH_4Cl$ as the complex agents, and $NiSO_4{\cdot}6H_2O$ as the catalyser for the oxidation of the reducing agent, dissolved in deionized water. The pH of the Cu plating solutions was adjusted using $NH_4OH$. According to the variation of pH in the range of 6.5~8, the electroless plated Cu films were coated on screen printed Ag pattern/anodized Al/Al at $70^{\circ}C$. We investigated the surface morphology change of the Cu films using FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscopy). The chemical composition of the Cu film was determined using XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy). The crystal structures of the Cu films were investigated using XRD (X-ray Diffraction). Using electroless plating at pH 7, the structures of the plated Cu-rich films were typical fcc-Cu; however, a slight Ni component was co-deposited. Finally, we found that the formation of Cu film plated selectively on PCB without any lithography is possible using a neutral electroless plating process.
전자칩의 고집적화에 의해 전자기기들은 점점 소형화 되어가고 있으며, 이들 기기들에서 발생되는 열은 기기의 성능 저하뿐 아니라 수명을 단축시킨다. 본 연구에서는 효율적인 방열 위한 마이크로 히트싱크 제조를 위하여 멤브레인에 금속(금, 니켈, 구리)은 도금하는 무전해 도금 방법을 이용하였다. 무전해 도금은 폴리카보네이트 멤브레인을 sensitization과 activation 등의 전처리 후, 도금하고자 하는 금속염 수용액에 침적시켜 실행하였다. 무전해 도금에 의하여 제조된 각각의 마이크로피브릴의 열전달 특성과 방열량은 표면적이 가장 큰 니켈 마이크로피브릴에서 가장 우수하게 나타났다.
The effects of surface modification by nitric acid on the pre-treatment of electroless copper plating were investigated. Copper was electroless-plated on the nitric acid treated graphite activated by a two-step pre-treatment process (sensitization + activation). The chemical state and relative quantities of the various surface species were determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) after nitric acid modification or pre-treatment. The acid treatment increased the surface roughness of the graphite due to deep and fine pores and introduced the oxygen-containing functional groups (-COOH and O-C=O) on the surface of graphite. In the pre-treatment step, the high roughness and many functional groups on the nitric acid treated graphite promoted the adsorption of Sn and Pd ions, leading to the uniform adsorption of catalyst ($Pd^0$) for Cu deposition. In the early stage of electroless plating, a lot of tiny copper particles were formed on the whole surface of acid treated graphite and then homogeneous copper film with low variation in thickness was formed after 30 min.
The Cu/Ni/Au lamellar structure is extensively used as an under bump metallization on silicon file, and on printed circuit board(PCB) pads. Ni is plated Cu by either electroless Ni plating, or electrolytic Ni plating. Unlike the electrolytic Ni plating, the electroless Ni plating does not deposit pure Ni, but a mixture of Ni and phosphorous, because hypophosphite Is used in the chemical reaction for reducing Ni ions. The fracture crack extended at the interface between solder balls of plastic ball grid (PBGA) package and conducting pads of PCB. The fracture is duets to segregation at the interface between Ni$_3$Sn$_4$intermetallic and Ni-P layer. The XPS diffraction results of Cu/Ni/Au results of CU/Ni/AU finishs showed that the Ni was amorphous with supersaturated P. The XPS and EDXA results of the fracture surface indicated that both of the fracture occurred on the transition lesion where Sn, P and Ni concentrations changed.
The formation of front metal contact silicon solar cells is required for low cost, low contact resistance to silicon surface. One of the front metal contacts is Ni/Cu plating that it is available to simply and inexpensive production to apply mass production. Ni is shown to be a suitable barrier to Cu diffusion into the silicon. The process of Ni electroless plating on front silicon surface is performed using a chemical bath. Additives and buffer agents such as ammonium chloride is added to maintain the stability and pH control of the bath. Ni deposition rate is found to vary with temperature, time, utilization of bath. The experimental result shown that Ni layer by SEM (scanning electron microscopy) and EDX analysis. Finally, plated Ni/Cu contact solar cell result in an efficiency of 17.69% on $2{\times}2\;cm^2$, Cz wafer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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