Carbon-supported manganese oxide composite were fabricated as an air cathode material for Li-air batteries by hydrothermal method. The composite materials of carbon and manganese oxide were investigated by the implementation of X-ray diffraction, FE-SEM and BET surface area measurer. The manganese oxide synthesized at $170^{\circ}C$ for 12 h has a rod like shape morphology with 40-50 nm long in size. A Lithium-air battery with coin type, of which electrodes are composed of cathode composite materials synthesized $170^{\circ}C$-12 h and lithium metal anode, reveals its first discharge capacity of 3,852 mAh/g and four discharge-charge cycles.
Mo thin films were deposited on soda lime glass at room temperature by using DC magnetron sputtering The electrical and structural properties of the films were investigated by varying DC power and gas pressure as the deposition parameter. As DC power increased, the deposition rate of Mo films was increased and the electrical resistivity was decreased. It was observable that the crystallinity of the films was improved with increasing DC power. As gas pressure decreased, the deposition rate and resistivity of the films were decreased, and long rectangular grains were densely formed. With increasing gas pressure, the grains were transformed to a round shape and the voids on the film surface were increased. It was confirmed that the electrical resistivity of Mo films was increased as the amount of oxygen combined with Mo atoms increased. It was also disclosed that the films have low resistivity as the degree of coupling of oxygen with Mo was reduced due to the enhancement of the crystallinity of the films.
The purpose of this experiment was to develope Triggered Vacuum Switch(TVS) and to improve understanding of the high current vacuum arc phenomena in the TVS. The TVS has an array of rods of alternate polarity in which a fixed gap spacing is maintained between the rods. The cross section of each rod has trapezoidal shape. Breakdown of the TVS produced high current vacuum arc plasma. A spectroscopic measurement was performed over 20 kA peak current in the center of electrodes, in the vicinity of cathode, and outside electrodes. The electrode material tested was Fe. Measured Fe spectrum range was from 200 nm to 900 nm. Measurement result showed that over 90 percent of the charge states were FeII and the others were FeI and FeIII. The electron temperature was determined from the relative line intensity ratio methode of FeII system by assuming the local thermal equilibrium(LTE). The electron temperature at the center of electrodes was measured as 1.5 eV at 26 kA peak current. The electron temperature varied with its peak current. Intensity of spectrums is the highest in the vicinity of the cathode. Further we will also present study result of the diode phenomena in the TVS.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.11a
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pp.356-362
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2004
Using multi wrapped copper by polyimide film for HTS transformer, the breakdown and V-t characteristics of two type models for turn-to-turn, one is point contact model, the other is surface contact model, were investigated under ac and impulse voltage at 77 K. A material that is Polyimide film (Kapton) 0.025 mm thickness is used for multi wrapping of the electrode. Statistical analysis of the results using Weibull distribution to examine the wrapping number effects on V-t characteristics under at voltage as well as breakdown voltage under ac and impulse voltage in $LN_2$ was carried. Also, survival analysis was performed according to the Kaplan-Meier method. The breakdown voltages for surface contact model are lower than that of the point contact model, because the contact area of surface contact model is wider than that of point contact model. At the same time, the shape parameter of the point contact model is a little bit larger than the of the surface contact model. The time to breakdown tn is decreased as the applied voltage is increased, and the lifetime indices slightly are increased as the number of layers is increased. According to the increasing applied voltage and decreasing wrapping number, the survival probability is increased.
Kim, Ji-Seok;Park, Jeong-Bin;Kim, Yun-Mi;Ahn, Sung-Hoon;Sun, Hee-Young;Kim, Kyung-Hoon;Song, Tae-Won
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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v.9
no.1
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pp.39-46
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2008
The end plates of fuel cell assemblies are used to fasten the inner stacks, reduce the contact pressure, and provide a seal between Membrane-Electrode Assemblies (MEAs). They therefore require sufficient mechanical strength to withstand the tightening pressure, light weight to obtain high energy densities, and stable chemical/electrochemical properties, as well as provide electrical insulation. The design criteria for end plates can be divided into three parts: the material, connecting method, and shape. In the past, end plates were made from metals such as aluminum, titanium, and stainless steel alloys, but due to corrosion problems, thermal losses, and their excessive weight, alternative materials such as plastics have been considered. Composite materials consisting of combinations of two or more materials have also been proposed for end plates to enhance their mechanical strength. Tie-rods have been traditionally used to connect end plates, but since the number of connecting parts has increased, resulting in assembly difficulties, new types of connectors have been contemplated. Ideas such as adding reinforcement or flat plates, or using bands or boxes to replace tie-rods have been proposed. Typical end plates are rectangular or cylindrical solid plates. To minimize the weight and provide a uniform pressure distribution, new concepts such as ribbed-, bomb-, or bow-shaped plates have been considered. Even though end plates were not an issue in fuel cell system designs in the past, they now provide a great challenge for designers. Changes in the materials, connecting methods, and shapes of an end plate allow us to achieve lighter, stronger end plates, resulting in more efficient fuel cell systems.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.39
no.6
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pp.1-7
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2002
The use of an asymmetric Mach-Zehnder interferometric amplitude modulator to measure a relatively low frequency electric field strength is described. The sensitivity of an electric field sensor using a Ti:LiNbO$_3$ optical modulator is strongly affected by the shape of a electrode(probe antenna). To measure the low frequency electric field, a probe antenna of wide effective area is more useful than the usual dipole antenna. As a proof of this, the optical modulator was fabricated with a plate-type probe antenna and the usefulness of this antenna tested for measuring low frequency electric field strength. Measurements were performed in the range 0.1V/cm to 60V/cm at 60Hz through 100KHz. Using a probe antenna of 10mm$\times$10mm, the output voltage of 10㎷ was measured with respect to the electric field strength of 0.1V/cm at 60Hz. By increasing the effective area of the probe antenna, better sensitivity is obtainable over the measured range.
The prediction of the ground conditions ahead of a tunnel face is very important, especially for tunnel boring machine (TBM) tunneling, because encountering unexpected anomalies during tunnel excavation can cause a considerable loss of time and money. Several prediction techniques, such as BEAM, TSP, and GPR, have been suggested. However, these methods have various shortcomings, such as low accuracy and low resolution. Most studies on electrical resistivity tomography surveys have been conducted using numerical simulation programs, but laboratory experiments were just a few. Furthermore, most studies of scaled model tests on electrical resistivity tomography were conducted only on the ground surface, which is a different environment as compared to that of mechanized tunneling. This study performed a laboratory experimental test to extend and verify a prediction method proposed by Lee et al., which used electrical resistivity tomography to predict the ground conditions ahead of a tunnel face in TBM tunneling environments. The results showed that the modified dipole-dipole array is better than the other arrays in terms of predicting the location and shape of the anomalies ahead of the tunnel face. Having longer upper and lower borehole lengths led to better accuracy of the survey. However, the number and length of boreholes should be properly controlled according to the field environments in practice. Finally, a modified and verified technique to predict the ground conditions ahead of a tunnel face during TBM tunneling is proposed.
Cu(In, Ga)$Se_2$ (CIGS) precursor films were electrodeposited on Mo/glass substrates in acidic solutions containing $Cu^{2+}$, $In^{3+}$, $Ga^{3+}$, and $Se^{4+}$ ions at -0.6 V (SCE) and pH. 1.8. In order to induce recrystallization, the electrodeposited $Cu_{1.00}In_{0.81}Ga_{0.09}Se_{2.08}$ (25.0 at.% Cu + 20.2 at.% In + 2.2 at.% Ga + 52.0 at.% Se) precursor films were annealed under a high Se gas atmosphere for 15, 30, 45, and 60 min, respectively, at $500^{\circ}C$. The Se amount in the film increased from 52 at.% to 62 at.%, whereas the In amount in the film decreased from 20.8 at.% to 9.1 at.% as the annealing time increased from 0 (asdeposited state) to 60 min. These results were attributed to the Se introduced from the furnace atmosphere and reacted with the In present in the precursor films, resulting in the formation of the volatile $In_2Se$. CIGS precursor grains with a cauliflower shape grew as larger grains with the $CuSe_2$ and/or $Cu_{2-x}Se$ faceted phases as the annealing times increased. These faceted phases resulted in rough surface morphologies of the CIGS films. Furthermore, the CIGS layers were not dense because the empty spaces between the grains were not removed via annealing. Uniform thicknesses of the $MoSe_2$ layers occurred at the 45 and 60 min annealing time. This implies that there was a stable reaction between the Mo back electrode and the Se diffused through the CIGS film. The results obtained in the present research were sufficiently different from comparable studies where the recrystallization annealing was performed under an atmosphere of Ar gas only or a low Se gas pressure.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.389-389
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2012
Molybdenum is one of the most important materials used as a back ohmic contact for $Cu(In,Ga)(Se,S)_2$ (CIGS) solar cells because it has good electrical properties as an inert and mechanically durable substrate during the absorber film growth. Sputter deposition is the common deposition process for Mo thin films. Molybdenum thin films were deposited on soda lime glass (SLG) substrates using direct-current planar magnetron sputtering technique. The outdiffusion of Na from the SLG through the Mo film to the CIGS based solar cell, also plays an important role in enhancing the device electrical properties and its performance. The structure, surface morphology and electrical characteristics of Mo thin films are generally dependent on deposition parameters such as DC power, pressure, distance between target and substrate, and deposition temperature. The aim of the present study is to show the resistivity of Mo layers, their crystallinity and morphologies, which are influenced by the substrate temperature. The thickness of Mo films is measured by Tencor-P1 profiler. The crystal structures are analyzed using X-ray diffraction (XRD: X'Pert MPD PRO / Philips). The resistivity of Mo thin films was measured by Hall effect measurement system (HMS-3000/0.55T). The surface morphology and grain shape of the films were examined by field emission scanning electron microscopy (FESEM: Hitachi S-4300). The chemical composition of the films was obtained by the energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). Finally the optimum substrate temperature as well as deposition conditions for Mo thin films will be developed.
Kim, Jong-Su;Park, Je-Hong;Lee, Sung-Hun;Kim, Gwang-Chul;Kwon, Ae-Kyung;Park, Hong-Lee
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.5
no.3
s.16
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pp.1-4
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2006
White-light-emitting ZnS:Mn, Cu, Cl phosphors with spherical shape and the size of $20\;{\mu}m$ are successfully synthesized. They have the double phases of cubic and hexagonal structures. They are applied to electroluminescent (EL) devices by silk screen method with the following structure: $electrode/BaTiO_3$ insulator layer ($50{\sim}60\;{\mu}m$)/ ZnS:Mn, Cu, Cl phosphor layer ($30{\sim}50\;{\mu}m$)/ITO glass. The EL devices are driven with the voltage of 100 V and the frequency of 400 Hz. The EL devices show the three emission peaks. The blue and green emission bands are originated from $CICu^{2+}$ transition and $ClCu^+$ transition, respectively. The yellow emission band results from $^4T^6A$ transition of $Mn^{2+}$ ion. As an increase of Cu concentrations, the blue and green emission intensities decrease whereas the yellow emission intensity increases; the quality becomes warm white. It is due to the energy transfer from the blue and green bands to the yellow band.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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