• 제목/요약/키워드: electrochmical metallization

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$RuO_2$/n-GaN 구조의 Schottky Diode 특성 (Characteristics of $RuO_2$/n-GaN Schottky Diode)

  • 김동식
    • 전자공학회논문지 IE
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    • 제46권3호
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    • pp.1-5
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    • 2009
  • 고전력, 고온에서 사용되는 소자에서 RuO2는 다른 전극 물질에 비해 많은 장점을 가지고 있으며, 특히 GaN를 이용하는 소자의 전극물질로서 매우 우수한 특성을 갖음을 확인할 수 있었다. RuO2을 이용한 GaN 소자의 제작은 새로운 전기화학 금속증착법을 통하여 금속배선을 형성하였으며, 과염소산(HClO4)용액을 수용액 사용하였다. RuO2의 두께는 인가전압과 시간에 의존하며, 두께를 조절함으로서 정류성 및 비정류성 소자의 전극으로의 사용 가능성을 확인할 수 있었다.