• 제목/요약/키워드: electrochemical etching stop

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$N_2H_4-H_2O$용액의 {100} Si에 대한 최적식각조건의 설정과 전기화학적 식각에의 응용 (Establishment of Optimal {100} Si Etching Condition for $N_2H_4-H_2O$ Solutions and Application to Electrochemica Etching)

  • 주병권;이윤호;김병곤;오명환
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제26권11호
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    • pp.1686-1690
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    • 1989
  • Using the anisotropic etching characteristics of N2H4-H2O solutions, Si diaphragm was fabricated for the integrated sensors. The optimal composition and temperature of the etching solution in (100) Si etching process was established to be 50mol% N2H4 in H2O at 105\ulcorner\ulcorner for both higher etch rate (=2.6\ulcorner/min) and better surface quality of etched (100) planes. Based on the above optimal etching condition, the electrochemical etch-stop technique was employed to form n-type Si diaphragm having a thickness of 20\ulcorner and the thickness of diapragm could exactly be controlled to 20\ulcorner\ulcorner.

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SDB와 전기화학적 식각정지에 의한 마이크로 시스템용 매몰 공동을 갖는 SOI 구조의 제조 (Fabrication of SOI Structures with Buried Cavities for Microsystems SDB and Electrochemical Etch-stop)

  • 정귀상;강경두;최성규
    • 센서학회지
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    • 제11권1호
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    • pp.54-59
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    • 2002
  • 본 논문은 Si기판 직접접합기술과 전기화학적 식각정지를 이용하여 마이크로 시스템용 매몰 공동을 갖는 SOI 구조물의 일괄제조에 대한 새로운 공정기술에 관한 것이다. 저비용의 전기화학적 식각정지법으로 SOI의 정확한 두께를 제어하였다. 핸들링 기판 위에서 Si 이방성 습식식각으로 공동을 제조하였다. 산화막을 갖는 두 장의 Si기판을 직접접합한 후, 고온 열처리($1000^{\circ}C$, 60분)를 시행하고 전기화학적 식각정지로 매몰 공동을 갖는 SDB SOI 구조를 박막화하였다. 제조된 SDB SOI 구조물 표면의 거칠기는 래핑과 폴리싱에 의한 기계적인 방법보다도 우수했다. 매몰 공동을 갖는 SDB SOI 구조는 새로운 마이크로 센서와 마이크로 엑츄에이터에 대단히 효과적이며 다양한 응용이 가능한 기판으로 사용될 것이다.

$N_2H_4-H_2O$ 용액의 최적 시작 조건을 이용한 Si diaphragm의 제작 (Fabrication or Si Diaphragm using Optimal Etching Condition of $N_2H_4-H_2O$ Solution)

  • 주병권;이윤희;김형곤;오병환
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1989년도 하계종합학술대회 논문집
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    • pp.295-298
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    • 1989
  • Using the anisotropic etching characteristics or $N_2H_4-H_2O$ solution, Si diaphragm was fabricated for the integrated sensor. The optimal composition and temperature of the solution in Si etching process was established to be 50mol% $N_2H_4$ in water at $105{\pm}2^{\circ}C$ for both higher etch rate(=$2.6{\mu}m/min$) and better surface quality of etched {100} planes. Under the optimal etching condition, the electrochemical etch stop technique was employed to form Si diaphragm for pressure sensor and diaphragm thickness was exactly controlled to $20{\pm}2{\mu}m$.

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전기화학 에칭 공정을 이용한 스테인리스 스틸 메쉬의 방수 특성 연구 (A Study on Water-Proof Characteristics of a Stainless Steel Mesh by Electrochemical Etching Process)

  • 이찬;김지민;김형모
    • Tribology and Lubricants
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    • 제37권5호
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    • pp.189-194
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    • 2021
  • A straightforward, yet effective surface modification method of stainless steel mesh and its interesting anti-wetting characteristics are reported in this study. The stainless steel mesh is electrochemically etched, and the specimen has both micro and nano-scale structures on its surface. This process transforms the two types of mesh specimens known as the regular and dense specimens into hydrophobic specimens without applying any hydrophobic chemical coating process. The fundamental wettability of the modified mesh is analyzed through a dedicatedly designed experiment to investigate the waterproof characteristics, for instance, the penetration threshold. The waterproof characteristics are evaluated in a manner that the modified mesh resists as high as approximately 2.7 times the pressure compared with the bare mesh, i.e., the non-modified mesh. The results show that the penetration threshold depends primarily on the advancing contact angles, and the penetration stop behaviors are affected by the contact angle hysteresis on the surfaces. The findings further confirm that the inexpensive waterproof meshes created using the proposed straightforward electrochemical etching process are effective and can be adapted along with appropriate designs for various practical applications, such as underwater devices, passive valves, and transducers. In general, , additional chemical coatings are applied using hydrophobic materials on the surfaces for the applications that require water-repelling capabilities. Although these chemical coatings can often cause aging, the process proposed in this study is not only cost-effective, but also durable implying that it does not lose its waterproof properties over time.

저 압력 측정을 위한 실리콘 용량형 압력센서 (Silicon Capacitive Pressure Sensor for Low Pressure Measurements)

  • 서희돈;이윤희;박종대;최세곤
    • 센서학회지
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    • 제2권1호
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    • pp.19-27
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    • 1993
  • 본 논문은 $n^{+}$ 에피택셜층을 이용한 전기화학 에칭스톱과 글라스-실리콘의 양극 접합기술을 이용하여 저 압력측정을 위한 용량형 압력센서를 제작한 것이다. 제작된 센서는 하이브리드형으로 센서 커패시터와 기준 커패시터를 갖는 센서 칩과 두가지 출력검출회로 칩으로 구성되어 있다. 이 제작된 센서는 다이아프램 크기가 $1.0{\times}1.0 mm^{2}$이고, 두께가 $10{\mu}m$로 제작된 센서는 압력이 인가되지 않을 때 용량의 크기가 7.1 pF이고, 10 KPa 압력에서 감도가 5.2 %F.S.이다. 또 용량을 전압으로 검출하는 컨버터회로를 이용할 경우, $5{\sim}45^{\circ}C$ 온도범위에서 영점 온도특성과 감도 온도특성은 각각 0.051 %F.S./$^{\circ}C$와 0.12 %F.S./$^{\circ}C$ 이다.

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