The indirect vector control method is generally used for variable speed control of induction motor, due to its excellent response characteristics. However, this is very sensitive to the variation of motor parameters caused by temperature rise and magnetic saturation and so on. Linear induction motor(LIM) has asymetric phase circuit parameters because of its special phenomena, end effects. So this paper describes on the method that identifies the circuit parameters using neural network in the vector control of LIM.
It is important to derive reliable parameter values in the measurement-based load model development of electric power systems. However parameter estimation tasks, in practice, often face the parameter identifiability issue; whether or not the model parameters can be estimated with a given input-output data set in reliable manner. This paper introduces concepts and practical definitions of the local identifiability of model parameters. A posteriori local identifiability is defined in the sense of nonlinear least squares. As numerical examples, local identifiability of third-order induction motor (IM) model and a Z-induction motor (Z-IM) model is studied. It is shown that parameter ill-conditioning can significantly affect on reliable parameter estimation task. Numerical studies show that local identifiability can be quite sensitive to input data and a given local solution. Finally, several countermeasures are proposed to overcome ill-conditioning problem in measurement-based load modeling.
In this paper, we proposed the multi-step multi-layer artificial neural network(MMANN) to classify the chromosome, Which is used as a chromosome pattern classifier after learning. We extracted three chromosome morphological feature parameters such as centromeric index, relative length ratio, and relative area ratio by means of preprocessing method from ten chromosome images. The feature parameters of five chromosome images were used to learn neural network and the rest of them were used to classify the chromosome images. The experiment results show that the chromosome classification error is reduced much more, comparing with less feature parameters than that of the other researchers.
Kim, Kyung-Ho;Cho, Yun-Hyun;Jeoung, Yeon-Ho;Kim, Jong-Mu;Kang, Do-Hyun
Proceedings of the KIEE Conference
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2001.07b
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pp.930-932
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2001
This paper is proposed the modeling and computational methods for estimating the steady and dynamic characteristics of a transverse flux type SRM. Prediction of the steady and dynamic characteristics state of a switched reluctance motor (SRM) drive can be quite involved because of complex interdependent influences between motor parameters and excitation. To obtain characteristics parameters of the transverse flux type SRM which is considered the magnetic non-linearity phenomena, the magnetic equivalent parameters of SRM are computed by the finite element method as functions of the input current and angular displacement. Dynamic characteristics of the designed transverse flux type SRM is simulated and estimated by Matlab/simlunk.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.255-258
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2001
In this paper, DC and small signal characteristics with different physical parameters are expected for p-HEMTs (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors) with different temperatures ranging from 300K to 623K which are widely used for a low noise and/or ultra high frequency device. A device of 0.2$\times$200 ${\mu}{\textrm}{m}$$^2$dimension having very low noise has been chosen to extract the experimental data. Theoretical prediction has been obtained using a simulaor(HELENA) which needs experimental input data extracted from reverse engineering process. From the results, relation between structural parameters and temperature dependency of electrical characteristics are qualitatively explained to use in the design of descrete and integrated circuits to guarantee the optimal operation of the system.
Mathematical model of the pollution rate of substation insulators is constructed, taking the model parameters as wind speed, wind direction, typhoon conditions and rainfall in an hourly basis. The main feature of model construction is to distinguish the effect of each parameter by separately analyzing the positive and negative pollution causing factors. Model parameters for the insulators of Karatsu substation, Saga, Japan were estimated and model validation was done using the actual data, in which the pollution deposits on the insulators were measured using pilot insulator and 'salt meter'. The proposed model of the pollution rate [mg/cm$^{2}$/hr] enables the identification of the effective parameters and prediction of the pollution rate so that it helps for the automatic decision making for insulator cleaning or the model can be used as a tool for the substation engineers to make precautionary measures.
In this paper, a new and simple method is proposed to quickly estimate the induced electric field in the human child exposed to a 100 kHz-10 MHz magnetic field, for the sake of electromagnetic field (EMF) safety assessment. The quasi-static finite-difference time-domain (FDTD) method is used to calculate the induced electric fields in high resolution 3D human child models with various body size parameters, in order to derive the correction factor for the estimation equation. The calculations are repeated for various frequencies and incident angles of the magnetic field. Based on these calculation results, a new and simple estimation equation for the 99th percentile value of the body electric field is derived that depends on the body size parameters, and the incident magnetic field. The estimation errors were equal to or less than 5.1%, for all cases considered.
The development of high voltage Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) have given new device advantage in the areas where they compete with conventional GTO (Gate Turnoff Thyristor) technology. The IGBT combines the advantages of a power MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) and a bipolar power transistor. The change of electrical characteristics for IGBT is mainly coming from the change of characteristics of MOSFET at the input gate and the PNP transistors at the output. The gate oxide structure gives the main influence on the changes in the electrical characteristics affected by environments such as radiation and temperature, etc.. The change of threshold voltage, which is one of the important design parameters, is brought by charge trapping at the gate oxide. In this paper, the electrical characteristics are simulated by SPICE simulation, and the parameters are found to design optimized circuits.
Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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v.12
no.5
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pp.481-486
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2002
In this paper, a new on-line parameter estimation methodology for the general continuous time Takagi-Sugeno(T-5) fuzzy model whose parameters are poorly known or uncertain is presented. An estimator with an appropriate adaptive law for updating the parameters is designed and analyzed based on the Lyapunov theory. The adaptive law is designed so that the estimation model follows the plant parameterized model. By the proposed estimator, the parameters of the T-S fuzzy model can be estimated by observing the behavior of the system and it can be a basis for the indirect adaptive fuzzy control. Based on the derived design method, the parameter estimation for controllable canonical T-S fuzzy model is also Presented.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.30
no.4
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pp.210-213
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2017
In this paper, we analyzed the structural design and electrical characteristics of a 3.3 kV super junction FS IGBT as a next generation power device. The device parameters were extracted by design and process simulation. To obtain optimal breakdown voltage, we researched the breakdown characteristics. Initially, we confirmed that the breakdown voltage decreased as trench depth increased. We analyzed the breakdown voltage according to p pillar dose. As a result of the experiment, we confirmed that the breakdown voltage increased as p pillar dose increased. To obtain more than 3.3 kV, the p pillar dose was $5{\times}10^{13}cm^{-2}$, and the epi layer resistance was $140{\Omega}$. We extracted design and process parameters considering the on state voltage drop.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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