The measurement method of the spectral emissivity by using hemispherical mirror which has an inclined observation hole is studied. This method is useful in measuring the spectral emissivity of the solid material both conductor and non-conductor. In this study, the effective reflectivity of the hemispherical mirror is also measured for calculating the spectral emissivity of materials. The effective reflectivity measured is 0.9.
본 논문에서는 외부 공진기 반도체 링 레이저 내부에 에탈론을 삽입함으로써 외부 공진기 링 레이저의 종모드 간격이 현저히 변화하는 사실을 관측하고 이에 대한 이론적 분석을 수행하였다. 외부공진기 링 레이저의 종 모드 간격은 에탈론의 단면 반사율에 의존하여 변화하였으며, 공진모드의 분석을 통해 이에 대한 정량적인 해석을 보였다. 또한 이러한 효과가 에탈론이나 FP 필터의 단면 반사율의 정밀한 측정에 응용될 수 있다는 것을 실험을 통해 증명하였다. 제안된 방법은 특히 높은 반사율에 대해서도 정밀한 측정결과를 얻을 수 있으며 측정이 쉽고 매우 빠르게 이루어진다.
Buried channel waveguides의 필드 분포에 대한 analytic 표현식을 effective index method (EIM), variational method(VM)와 각각의 방향으로의 경계조건을 적용한 variational method (VM_vec)를 사용하여 구한 뒤 angular spectrum 방법을 적용하여 도파로 폭에 따른 단면 반사율을 계산하고 이를 비교 검토하였다. 도파로 폭이 커질수록 buried channel waveguides의 단면 반사율은 slab 도파로의 단면 반사율에 접근하였고 도파로 폭이 작아질수록 slab 도파로의 단면 반사율로부터 quasi-TE 모드의 단면 반사율은 감소하였고 quasi-TM 모드의 단면 반사율은 증가하였다. 도파로 폭에 따른 단면 반사율 변화량은 quasi-TM 모드보다 quasi-TE 모드에 대한 변화량이 크게 나타남을 알 수 있었다. Aspect ratio가 1일 때 VM과 VM_vec으로 구한 quasi-TE 모드와 quasi-TM 모드와 quasi-TM 모드의 반사율은 차이가 크게 나타났다. Quasi-TE 모드의 경우는 VM_vec으로 구한 필드 분포에 angular spectrum 방법을 적용하여 계산한 단면 반사율이 EIM으로 구한 반사율보다 정확한 값임을 알 수 있었고 quasi-TM 모드의 경우는 각 방법으로 구한 반사율이 거의 같음을 볼 수 있었다.
Microcircuit fabrication requires precise control of impurities in tiny regions of the silicon. These regions must be interconnected to create components and VLSI circuits. The patterns to define such regions are created by lithographic processes. In order to image features smaller than 70 nm, it is necessary to employ non-optical technology (or next generation lithography: NGL). One such NGL is extreme ultra-violet lithography (EUVL). EUVL transmits the pattern on the wafer surface after reflecting ultra-violet through mask pattern. If particles exist on the blank mask, it can't transmit the accurate pattern on the wafer and decrease the reflectivity. It is important to care the blank mask. We removed the particles on the wafer using focused ion beam (FIB). During removal, FIB beam caused damage the multi layer mask and it decreased the reflectivity. The relationship between particle removal and reflectivity is examined: i) transmission electron microscope (TEM) observation after particle removal, ii) reflectivity simulation. It is found that the image mode of FIB is more effective for particle removal than spot and bar mode.
It is studied that the measuring method of the spectral emissivity by using hemispherical mirror with an inclined observation hole. The in-service calibration method of mirror reflectivity is also dealed with. It is possible to apply this method on measuring emissivity of conductor or non-conductor.
This paper shows a new effective approach to measure crystallization temperature of soft magnetic underlayer (SUL) for next generation of heat assisted perpendicular recording media. This approach uses temperature dependent reflectivity, which shows a clear jump when samples are crystallized. To achieve this measurement, an optical system is set up using hot plate and infrared laser. Reflectivity of SUL $(Co_{70}Fe_{30})_{92}Ta_3Zr_5$ shows a clear jump at its amorphous-crystalline transition temperature. Experiment results show this effect is clear in infrared region, and is weak for visible light.
Purpose: To measure the level of reflection, this study analyzes diaries written by third-year nursing students before and after the debriefing stage in simulation training. A qualitative study using diary entries from 15 nursing students to explore reflection depth. Methods: Students engaged in simulation training and the debriefing stage, documenting their reflections in diaries. Before and after debriefing, reflections were rated from Level 1 (reflectivity) to Level 7 (theoretical reflectivity). Results: The total number of reflection levels rose significantly from 545 to 829 post-debriefing, enhancing higher-order reflection. The shift signifies a move from superficial to deep reflection, highlighting debriefing's role in fostering critical thinking. Conclusion: The findings underscore the critical role of debriefing in enhancing reflective thinking in nursing education. There is a demonstrated need for further research into the specific elements of debriefing that are most effective at promoting deep reflection. Future studies should conduct comparative analyses of different debriefing methods and approaches across various educational settings. This research could lay the foundation for designing more effective debriefing strategies that foster critical thinking and improve learning outcomes in nursing education.
Buried channel 도파로와 ridge 도파로에 대하여 variational method (VM)과 유효굴절율 방법을 사용하여 2차원의 필드 분포를 구한 뒤 angular spectrum 방법을 적용하여 여러 개의 도파로 두께에 대하여 도파로 폭에 따른 단면 반사율을 계산하고 이를 비교 검토하였다. 도파로 폭에 따른 단면 반사율 변화량은 buried channel 도파로의 경우는 매우 크게 나타났으나 ridge 도파로의 경우는 buried channel 도파로의 변화량에 비해 매우 작게 나타났다. Angular spectrum 방법을 사용하여 채널 도파로 소자의 단면 반사율을 계산할 때 사용되는 2차원의 필드 분포의 정확성은 반사율 값에 큰 영향을 미침을 알 수 있었다. 유효굴절율 방법의 경우 도파로 폭과 도파로 두께가 감소할수록 필드 분포의 부정확성으로 인해 정확한 반사율 값과의 오차가 심하게 나타났다. 반면에 VM을 사용하여 구한 필드 분포는 도파로 폭과 두께에 관계없이 정확한 필드 분포와 오차가 적어 유효굴절율 방법보다 정확한 반사율 값을 구할 수 있었다. 유효굴절율 방법이 잘 적용되는 영역에서는 두 방법을 사용하여 구한 반사율의 차이가 매우 작음을 알 수 있었다.
Thin reflective films are synthesized by using PVD methods with a bright metal of Al or Ag. For purposes of improving the reflectance and adhesion of such films particularly, substrate bias was applied during sputtering (namely, ion-plating) to enhance the deposition process with higher energy. And we succeeded in fabricating a quality silver film which possesses an adhesion of $85{\;}Kg/\textrm{cm}^2$ and a high reflectivity of more than 96%. Both of reflectivity and adhesion are better in case of bias sputtering as controlled than nonbias sputtering, particularly the bias of 50-100 V showed most effective. The microstructures of sample films were examined by using various equipments and the XRD spectrum in particular showed that <111> direction is the preferred growth orientation.
최근 모드변환기가 집적된 진행파형 반도체 광증폭기(SSC-TW-SOA)가 광섬유와의 광결합 효율 향상 및 저가격화를 위해 활발히 연구되고 있다. 본 연구에서는 모드변환기의 구조가 단면 반사율에 미치는 영향을 실험 및 이론적으로 조사하였다. SSC-TW-SOA의 유효단면반사율을 낮추기 위해서는 수직 및 수평방향으로 충분히 모드변환을 행하고 동시에 기운단면 구조를 채용하는 것이 매우 효과적임을 이론적 및 실험적으로 확인하였다. 수직 및 수평방향의 모드변환기가 집적된 TW-SOA에 $20\mu\textrm{m}$ 길이의 창구조, $7^{\circ}$기운단면, 1% 무반사 코팅을 도입함으로써 0.1dB 이하의 작은 ASE ripple를 얻을 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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