The driver model during drift cornering was examined, and a technique to improve vehicle movement performance during drift cornering was investigated. Based on the results obtained, the driver was found to steer using feedback of the body slip angle and the body slip angle velocity during drift cornering. Moreover, improvement of the cornering force characteristic, at which exceeded the maximum cornering force calm as much as possible is important.
Communications for Statistical Applications and Methods
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제14권1호
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pp.241-254
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2007
This paper propose a new short-term interest rate model having a different nonlinear drift function and the same diffusion coefficient with Chan et al. (1992) model. The fractional polynomial power of the drift function in our model is linked to the local volatility elasticity of the diffusion coefficient. While the nonlinear drift function estimated by $A\"{\i}t$-Sahalia (1996a) and others has a feature that higher interest rates tend to revert downward and low rates upward, the drift function estimated by our nonlinear model shows that higher interest rate mean-reverts strongly, but, medium rates has almost zero drift and low rates has a very small drift. This characteristic coincides the empirical result based on the nonparametric methodology by Stanton (1997) and the implication by the scatter plot of the short rate data.
Recently, the matter controlling lateral drift is important in high rise buildings, In particular, seismic control dampers, such as mass damper and hysteretic damper, are emerging in the field of actively reducing drift. But. seismic control dampers have weak points with the lack of quantitative analysis and maintenance of the device. Accordingly, in this study we examine the structural characteristic of Steel Elasto-Plastic Hysteretic Damper, which is needless of maintenance, and then consider the basic conditions in the design and construction of the optimal seismic control effect which uses this device.
A power semiconductor device, usually used as a switch or rectifier, is very significant in the modern power industry. The power semiconductor, in terms of its physical properties, requires a high breakdown voltage to turn off, a low on-state resistance to reduce static loss, and a fast switching speed to reduce dynamic loss. Among those parameters, the breakdown voltage and on-state resistance rely on the doping concentration of the drift region in the power semiconductor, this effect can be more important for a higher voltage device. Although the low doping concentration in the drift region increases the breakdown voltage, the on-state resistance that is increased along with it makes the static loss characteristic deteriorate. On the other hand, although the high doping concentration in the drift region reduces on-state resistance, the breakdown voltage is decreased, which limits the scope of its applications. This addresses the fact that breakdown voltage and on-state resistance are in a trade-off relationship with a parameter of the doping concentration in the drift region. Such a trade-off relationship is a hindrance to the development of power semiconductor devices that have idealistic characteristics. In this study, a novel structure is proposed for the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) device that uses conductivity modulation, which makes it possible to increase the breakdown voltage without changing the on-state resistance through use of a P-floating layer. More specifically in the proposed IGBT structure, a P-floating layer was inserted into the drift region, which results in an alleviation of the trade-off relationship between the on-state resistance and the breakdown voltage. The increase of breakdown voltage in the proposed IGBT structure has been analyzed both theoretically and through simulations, and it is verified through measurement of actual samples.
In this paper, the electron transport characteristic in CF$_4$has been analysed over the E/N range 1~300(Td) by a two-term approximation Boltzmann equation method and by a Monte Carlo simulation. The alteration of cross sections from the literature is avoided as much as possible in the analysis. The motion has been calculated to give swarm parameters for the electron drift velocity(W), diffusion coefficient(D$_{L}$), the ratio of the diffusion coefficient to the mobility(D$_{L}$/$\mu$), mean energy($\varepsilon$), the electron energy distribution function. The electron energy distribution function has been analysed in CF$_4$at E/N=50, 100 and 200(Td) for a case of the equilibrium region in the mean electron energy. The results of Boltzmann equation and Monte Carlo simulation have been compared with experimental data by Y. Nakamura and M. Hayashi.shi.
북극해 지역은 해수면의 변화와 다양한 환경적 요인들로 인해 유빙들이 형성되고 이는 자원 개발을 위한 해양시스템 및 운항선박과의 충돌사고에 의한 피해를 유발하고 있다. 극지방의 유빙은 운항중인 석박뿐만 아니라 한 장소에서 오랜 기간 작업을 수행하는 해양자원 시추 및 생산 시스템에 대한 잠재적 사고요인이 된다. 유빙과의 충돌사고 방지를 위해 북극해의 해양자원 시추 및 생산 시스템과 북극 항로를 운항하는 선박에서는 위성 영상 정보 및 탐지 레이더를 이용하여 유빙을 탐지하고 있다. 하지만 가시광선 위성영상은 야간 활용이 불가능하고, 레이더에 의한 탐지도 소형 유빙에 대해서는 탐지확률이 현격히 저조해지는 문제가 있다. 본 연구에서는 유빙의 탐지를 위해 주야간 운용이 모두 가능한 열화상 시스템의 이용 방안에 주목하고 유빙의 탐지특성에 관한 실험적 연구를 수행하였다. 열화상 시스템의 야간 운용성을 파악할 수 있도록 실험조건을 설정하고 계측 각도 변화에 따른 열화상을 계측하였으며, 실험과 동일 조건에 대한 유빙과 해수의 복사에너지를 이론적으로 계한함으로써 계측 결과와의 상호 관계를 파악하였다.
This paper presents results from field studies carried out to monitor off-target droplet movement of endosulfan insecticide applied to the Korea chestnut tree area. As a results, mean airborne drift values were recorded 25m as average from downwind of a single flight line(sample line) in mountain terrain and mean effective swath width was recorded 19.5m as average in a plain. In terms of characteristics of geography of Korea aerial application is mainly carried out in mountain terrain. The equipment, weather conditions, and appropriate aerial spray technic are required for effective aerial application. In particular, the pilot can get effective results when he only sprays with consideration of environment factors since there is much turbulence in mountain terrain. Eventually, the most effective factor of droplets drift is to estimate the local weather conditions exactly.
Frame is one of the most commonly used structural systems for the resistance of applied loads. Many researchers have recently conducted their studies to investigate the effect of several parameters such as the connection flexibility, boundary condition of each support, beam-to-column stiffness ratio. These parameters play important roles on the characteristic behavior of frames. A simplified spring model is proposed to obtain the story drifts of frames with various beam-to-column connection stiffnesses in this research. A point bracing system with adequate spring stiffness is also suggested to establish the relationship between the applied load and the resisting translational spring stiffness within the limit state of story drift.
In this paper, design of an error model is presented in which the bias characteristic of the MEMS IMU is taken into consideration for performance enhancement of the MEMS IMU-based GPS/INS integrated navigation system. The drift bias of the MEMS IMU is modeled as a 1st-order Gauss-Markov (GM) process, and the autocorrelation function is obtained from the collected IMU data, and the correlation time is estimated from this. Prior to obtaining the autocorrelation function, the noise of IMU data is eliminated based on wavelet. As a result of simulation, it is represented that the parameters of error model can be estimated correctly only when a proper denoising is performed according to dynamic behavior of drift bias, and that the integrated navigation system based on error model, in which the drift bias is considered, provides more correct navigation performance compared to the integrated navigation system based on error model in which the drift bias is not considered.
Recently the research about electron transport characteristic and energy distribute function in mixture gases within Helium, has been used and developed widely as industrial quality improvement of extinguish characteristic, electrical dielectric strength ability of application of each species high voltage apparatus, gas plasma etching progress of work to use manufacture of semiconductor, thin film molding by CVD, insulation film to use ultra LSI, etc. This paper analyze electron transport characteristic in the range E/N $1{\sim}60$[Td], pressure $0.1{\sim}6.0$[Torr] by MCS. It is necessary to seek electron drift velocity, diffusion coefficient, lonization coefficients, characteristic energy, mean energy and electron energy distribution function as electron transport characteristic.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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