형광체의 특성을 향상시키기 위하여 Y1.99-xMxCe0.01SiO5(M=Li, La, Nd, and Gd)를 환원분위기에서 1350oC, 10시간동안 고상반응법으로 합성하였다. 상용품인 청색 형광체와 비교를 했을 때, 다양한 원소를 치환한 Y2SiO5:Ce 청색 형광체의 발광 특성이 우수 하다는 것을 관찰 할 수 있었다. 특히, 1mol%의 Li 이온이 도핑된 Y2SiO5:Ce 청색 형광체의 광 발광 특성이 가장 높았다. Y2SiO5:(Ce,Li) 청색 형광체의 입도형상을 주사전자현미경으로 분석한 결과, 입자의 크기가 약 3m인 유사구형임을 확인하였다.
Perovskite Manganese Oxide has been intensively investigated since the discovery of the colossal magnetoresistive(CMR) effect. In this paper, we studied the effect of temperature dependence and various doping dependence of rare earth site ions of La0.7-xPrxCa0.3MnO3 series using Ultraviolet Photoelectron spectroscopy(UPS). They show unusual temperature dependent features and the doped rare earth ions seem to affect the electron-phonon coupling strongly. We found clear evidence of metal-insulator transition from the spectral density at the Fermi level. but the transition temperature is lower than that deduced from transport measurements. Also we found that the spectral features change as time goes on implying that the surface of these materials is somewhat unstable in the vacuum. We can conclude from these results that the surface oxygen atoms correlated to the hopping electrons can escape from the material into the vacuum and that the surface state of these material is different from the bulk state.
White light-emitting diodes (LEDs), the so-called next-generation solid-state lighting, offer benefits in terms of reliability, energy-saving, maintenance, safety, lead-free, and eco-friendly. Recently, rare-earth-doped oxynitride or nitride compounds have attracted a great deal of interest as a photoluminescent material because of their unique luminescent property, especially for white LEDs applications. Ce doped ${\beta}$-SiAlON has been studied as a wavelength conversion phosphor in white LEDs thanks to its high absorption rates, high quantum efficiency, and excellent thermal stability. Previously researches were not enough to understand the detail mechanism and characteristics of ${\beta}$-SiALON. The bandgap structures and electronic structures were not exact due to limitation of calculation methods. In this study, to elucidate the Ce doping effect on the SiAlON system, accurate band structures and electronic structure of the Ce doped ${\beta}$-SiAlON was intensively investigated using density functional theory calculations. In order to get a better description of the band gaps, MBJLDA method were used. We have found a single Ce atom site in ${\beta}$-SiAlON super cell. Furthermore, the density of state, band structure and lattice constant were intensively investigated.
Jang, J. S.;Borse, P. H.;Lee, J. S.;Lim, K. T.;Jung, O. S.;Jeong, E. D.;Bae, J. S.;Kim, H. G.
Bulletin of the Korean Chemical Society
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제32권1호
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pp.95-99
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2011
$CaTi_{1-x}Fe_xO_3(0{\leq}x{\leq}0.4)$ solid solution photocatalysts were synthesized by iron doping during the conventional solid state reaction at $1100^{\circ}C$ for 5 h and characterized by ultraviolet-visible (UV-vis) absorption spectroscopy, X-ray diffraction, morphological analysis. We found that $CaTi_{1-x}Fe_xO_3$ samples not only absorb UV but also the visible light photons. This is because the Fe substitution at Ti-site in $CaTi_{1-x}Fe_xO_3$ lattice induces the band transition from Fe3d to the Fe3d + Ti3d hybrid orbital. The photocatalytic activity of Fe doped $CaTiO_3$ samples for hydrogen production under UV light irradiation decreased with the increase in the Fe concentration. There exists an optimized concentration of iron in $CaTiO_3$, which yields a maximum photocatalytic activity under visible light ($\lambda\geq420nm$) photons.
Graphene has attracted a lot of attentions due to the unique electrical and optical properties. Compared with the noble metal plasmons in the visible and near-infrared frequencies, graphene can support surface plasmons in the lower frequencies of terahertz and mid-infrared and it demonstrates an extremely large confinement at the surface because of the particular electronic band structures. Especially, the surface conductivity of graphene can be tuned by either chemical doping or electrostatic gating. These features make graphene a promising candidate for plasmonics, biosensing and transformation optics. Furthermore, the combination of graphene and metasurfaces presents a powerful tunability for exotic electromagnetic properties, where the metasurfaces with the highly-localized fields offer a platform to enhance the interaction between the incident light and graphene and facilitate a deep modulation. In this paper, we provide an overview of the key properties of graphene, such as the surface conductivity, the propagating surface plasmon polaritons, and the localized surface plasmons, and the hybrid graphene/metasurfaces, either metallic and dielectric metasurfaces, from terahertz to near-infrared frequencies. Finally, there is a discussion for the current challenges and future goals.
Diamond Like Carbon film is amorphous film which is considered to consist of three coordinate graphite structure and tetrahedron coordinate diamond structure. Its hardness, thermal conductivity and chemical stability are nearly to one of diamond. It is well known to become semi-conductor by doping of inpurity. In this study Diamond Like Carbon film was synthesized by Microwave Plasma CVD in the gas mixture of hydrogen-methan-nitrogen and doped of nitrogen on the single-crystal silicon or silica glass. The temperature of substrate and nitrogen concentration in the gas mixture had an effect on the bonding state, structural properties and conduction mechanism. The surface morphology was observed by Scanning Electron Microscope. The strucure was analyzed by laser Raman spectrometry. The bonding state was evaluated by electron spectroscopy. Diamond Like Carbon film synthesized was amorphous carbon containing the $sp^2$ and $sp^3$ carbon cluster. The number of $sp^2$ bonding increased as nitrogen concentration increased from 0 to 40 vol% in the feed gas at 1233K substrate temperature and at $7.4\times10^3$ Pa. Increase of nitrogen concentration made Diamond Like Carbon to be amorphous and the doze of nitragen could be controlled by nitrogen concentration of feed gas.
The Mn4+-activated Li2ZnSn2O6 (LZSO:Mn4+) red phosphors were synthesized by the solid-state reaction at temperatures of 1100-1400 ℃ in air. The synthesized LZSO:Mn4+ phosphors were confirmed to have a single hexagonal LZSO phase without the presence of any secondary phase formed by the Mn4+ addition. With near UV and blue excitation, the LZSO:Mn4+ phosphors exhibited a double band deep-red emission peaked at ~658 nm and ~673 nm due to the 2E → 4A2 transition of Mn4+ ion. PL emission intensity showed a strong dependence on the Mn4+ doping concentration and the 0.3 mol% Mn4+-doped LZSO phosphor produced the strongest PL emission intensity. Photoluminescence emission intensity was also found to be dependent on the calcination temperature and the optimal calcination temperature for the LZSO:Mn4+ phosphors was determined to be 1200 ℃. Dynamic light scattering (DLS) and field-effect scanning electron microscopy (FE-SEM) analysis revealed that the 0.3 mol% Mn4+-doped LZSO phosphor particles have an irregularly round shape and an average particle size of ~1.46 ㎛.
Perovskite-type oxides are promising oxygen carriers in producing oxygen-enriched $CO_2$ gas stream for oxyfuel combustion. In this study, a new series of $SrCo_{1-x}Fe_xO_{3-{\delta}}$ (x = 0.2, 0.4, 0.6, 0.8) was prepared and used to produce $O_2/CO_2$ mixture gas. The phase, crystal structure, and morphological properties of $SrCo_{1-x}Fe_xO_{3-{\delta}}$ were investigated through X-ray diffraction, specific surface area measurements, and environmental scanning electron microscopy. The oxygen desorption performance of $SrCo_{1-x}Fe_xO_{3-{\delta}}$ was studied in a fixed-bed reactor system. Results showed that the different x values of $SrCo_{1-x}Fe_xO_{3-{\delta}}$ have no obvious effects on crystalline structure. However, the oxygen desorption performance of $SrCo_{1-x}Fe_xO_{3-{\delta}}$ is improved by Co doping. Moreover, $SrCo_{0.8}Fe_{0.2}O_{3-{\delta}}$ synthesized via a new EDTA method has a larger BET surface area ($40.396m^2/g$), smaller particle size (48.3 nm), and better oxygen production performance compared with that synthesized through a liquid citrate method.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제1권4호
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pp.1-6
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2000
The mechanical strength of silicon carbide dose nor permit the use of diffusion as a means to achieve selective doping as required by most electronic devices. While epitaxial layers may be doped during growth, ion implantation is needed to define such regions as drain and source wells, junction isolation regions, and so on. Ion activation without an annealing cap results in serious crystal damage as these activation processes must be carried out at temperatures on the order of 1600$^{\circ}C$. Ion implanted silicon carbide that is annealed in either a vacuum or argon environment usually results in a surface morphology that is highly irregular due to the out diffusion of Si atoms. We have developed and report a successful process of using silicon overpressure, provided by silane in a CAD reactor during the anneal, to prevent the destruction of the silicon carbide surface, This process has proved to be robust and has resulted in ion activation at a annealing temperature of 1600$^{\circ}C$ without degradation of the crystal surface as determined by AFM and RBS. In addition XPS was used to look at the surface and near surface chemical states for annealing temperatures of up to 1700$^{\circ}C$. The surface and near surface regions to approximately 6 nm in depth was observed to contain no free silicon or other impurities thus indicating that the process developed results in an atomically clean SiC surface and near surface region within the detection limits of the instrument(${\pm}$1 at %).
$Eu^{2+}$-doped ${SrAl_2}{O_4}$ and $Eu^{2+}$, $Dy^{3+}$ co-doped ${SrAl_2}{O_4}$ phosphors have been synthesized by conventional solid state method. Photocurrent properties of $Eu^{2+}$ doped ${SrAl_2}{O_4}$ and $Eu^{2+}$, $Dy^{3+}$ co-doped ${SrAl_2}{O_4}$ phosphors, in order to elucidate $Dy^{3+}$ co-doping effect, during and after ceasing ultraviolet-ray (UV) irradiation have been investigated. The photocurrent of $Eu^{2+}$, $Dy^{3+}$ co-doped ${SrAl_2}{O_4}$ phosphors during UV irradiation was 4-times lower than that of $Eu^{2+}$-doped ${SrAl_2}{O_4}$ during UV irradiation, and 7-times higher than that of $Eu^{2+}$-doped ${SrAl_2}{O_4}$ after ceasing UV irradiation. The photocurrent results indicated that holes of charge carriers captured in hole trapping center during the UV irradiation and liberated after-glow process, and made clear that $Dy^{3+}$ of co-dopant acted as a hole trap. The photocurrent of ${SrAl_2}{O_4}$ showed a good proportional relationship to UV intensity in the range of $1{\sim}5mW/cm^2$, and $Eu^{2+}$-doped ${SrAl_2}{O_4}$ was confirmed to be a possible UV sensor.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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