Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.2
no.2
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pp.31-40
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1995
Donor dopant로 WO3, Ta2O5 및 Nb2O5를 첨가한 Zr0.8Sn0.2TiO4 세라믹스의 유전상수 $\varepsilon$r 품 질계수 Q 및 공진주파수의 온도계수 rf에 대하여 연구하였다. 139$0^{\circ}C$에서 32시간 소결시 donor dopant 첨가량에 따른 ZST의 유전상수는 소결밀도의 변화 거동과 잘 일치하였다. 5.5 GHz에서 측정 한 ZST의 품질계수 Q는 ~0.5 mol% WO3 Ta2O5 및 Nb2O5 첨가에 의해 6800에서 8500 정도로 증가 하였다. ZST의 $\tau$f는 0.3 mol%까지의 WO3 첨가량 증가에 따라 0 ppm/$^{\circ}C$에서 -4.6 ppm/$^{\circ}C$까지 음 의 값으로 직선적으로 감소하였으며 0.4 mol% 범위의 Ta2O5 및 Nb2O5 첨가에 의해 -7 ppm/$^{\circ}C$ 까지 직선적으로 감소하였다.
From Zr(O-nC3H7)4-H2O-C2H5OH-HNO3 starting solutions, MgO-doped stabilized zirconia fibers with varying content of MgO (10~18 mol%) from different MgO sources were fabricated by sol-gel method. The MgO sources used are magnesium nitrate hexahydrate, magnesium acetate tetrahydrate, and magnesium ethylate. The phase transformation studies of a drawn MgO-ZrO2 fiber were carried out using X-ray diffraction, IR spectroscopy, and Raman spectroscopy. The microstructure, tensile strength, and microporosity of fibers were investigated using SEM, tensile strength test, and microporosimeter. Although various MgO sources such as magnesium nitrate, acetate, and ethylate were used, the crystallization behavior of MgO-ZrO2 fibers at different temperatures could be summarized as follows: CubiclongrightarrowMetastable TetragonallongrightarrowMonocliniclongrightarrowCoexistence of Monoclinic and CubiclongrightarrowCubic(trace of monoclinic). At 150$0^{\circ}C$, the phase transformation of MgO-ZrO2 fibers shows the following change depending on the amount of MgO[Mg(NO3)2.6H2O]: At 10 mol%, both monoclinic and cubic phase coexist, at 12 mol%, monoclinic phase decreases rapidly, and then at 14 mol%, only cubic phase remains. When the MgO-ZrO2 fibers containing 12 mol% magnesium nitrate were heated at 80$0^{\circ}C$ for 1hr, average tensile strength of fibers is 4.0 GPa at diameters of 20 to 30 ${\mu}{\textrm}{m}$. As the heat-treatment temperatures increase to 100$0^{\circ}C$ for 1 hr, tensile strength of MgO-ZrO2 fibers decreases rapidly to 0.7 GPa.
The effect of different Ni-containing additives on the sintering behavior and electric conductivity of the proton conducting electrolyte $BaCe_{0.35}Zr_{0.5}Y_{0.15}O_{3-{\delta}}$ (BCZY5) was investigated. Ni-doped, NiO-added, and $BaY_2NiO_5$(BYN)-added (all 4 mol%) BCZY5 samples were prepared by the solid state synthesis method and sintered at $1400^{\circ}C$ for 6 h. Among the three samples, the onset of densification was observed at the lowest temperature for NiO-added BCZY5, which is attributed to the formation of an intermediate phase at a low melting temperature. The BYN-added sample, where no consumption of the constitutional elements of the electrolyte was expected during sintering, exhibited the highest electrical conductivity whereas the doped sample had the lowest conductivity. The electrical conductivities at $500^{\circ}C$ under humid argon atmosphere were measured to be 2.0, 4.8, and $6.2mS{\cdot}cm^{-1}$ for Ni-doped and NiO- and BYN-added samples, respectively.
The effects of Ta2O3 doping on the microstructure, electrical properties and thermal expansion in Pb(Zr0.525Ti0.475)O3 ceramics were studied. Density, average grain size, electromechanical coupling factor kp and thermal expansion coefficient of unpoled and poled samples were measured as a function of Ta2O5 content. Average grain size was decreased and density increased above 0.6 mol% Ta2O5 addition. In case of 0.2 mol% addition, density showed minimum according to grain growth. Dielectric constant and electromechanical coupling factor kp were the lowest in 0.2 mol% addition increased with Ta2O5 addition.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.18
no.2
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pp.120-124
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2005
In this work, MOS capacitors were used to study the electrical properties of Mo gate electrode deposited on ZrO$_2$. The workfunctions of Mo gate extracted from C-V curves were appropriate for PMOS. Thermal stability of Mo metal was investigated by analyzing the variations of workfunction and EOT(effective oxide thickness) after 600, 700, and 800 $^{\circ}C$ RTA(rapid thermal annealing). It was found that Mo gate was stable up to 800 $^{\circ}C$ with underlying ZrO$_2$. The resistivities of Mo were 35$\mu$Ω$.$cm∼ 75$\mu$Ω$.$cm. These values are lower than those of heavily doped polysilicon. Based on these measurements, it can be concluded that Mo metal gate with ZrO$_2$ gate insulator is an excellent gate material for PMOS.
Hydrothermal deposition of hydroxyapatite coatings on two types of $ZrO_2$ substrates (3 mol% $Y_2O_3$-doped and 13 mol% $CeO_2$-doped tetragonal $ZrO_2s$) was studied using aqueous solutions of $Ca(NO_3)_2\;4H_2O$ and $(NH_4)_2HPO_4$ containing EDTA (ethylene diamine tetra acetic acid) disodium salt as a chelating agent for $Ca^{2+}$ ions. For the precipitation of the coatings, the $EDTA-Ca^{2+}$ chelates were decomposed by oxidation with $H_2O_2$ at $90^{\circ}C$. The deposition behavior, morphology, and orientation of the coatings were investigated while varying the solution pH using scanning electron microscopy and X-ray diffractometry. For the two sub-strates, sparse deposition of the coating was obtained at pH 5.5, whereas a uniform deposition was obtained at pH 7.1, 9.8, and 11.4 with a denser microstructure for the higher pH. The coating consisted of thin needle-like or plate-like crystals ($1-2{\mu}m$ length or diameter) at pH 7.1, but fine rod-like crystals ($1-2{\mu}m$ length, $0.1{\mu}m$ diameter) at pH 9.8 and 11.4. The coatings were $1-3{\mu}m$ thick and showed a preferred orientation of the hydroxyapatite crystals with their c axis (i.e., the elongated direction) perpendicular to the substrate surface especially for pH 9.8 and 11.4.
The possibility of the existence of a field-induced micro-macrodomain switching was proposed and examined using 9 mol % PbZrO3-doped 0.6Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 (PNN-PT) systems having rhombohedral symmetry at room temperature. the thermally depoled (freshly prepard) specimens prepared from the rhombohedral side of the system exhibited a relaxor behavior for the whole range of temperature examined (for T
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.17
no.2
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pp.245-251
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2017
Niobium doped zirconium oxide (Nb-Zr-O:NZO) thin films were fabricated on Si substrates by a sol-gel technique with an annealing temperatures of $500{\sim}1000^{\circ}C$ in air ($N_2:O_2=3:1$) for 20 minutes. It was found that the NZO film is based on tetragonal $ZrO_2$ polycrystalline structure with the Nb 5+ ion state and there is almost no diffusion of Nb or Zr to Si substrate. The relative dielectric constant for the NZO film with the Nb composition of 30 mol% and annealed at $800^{\circ}C$ was around 40. The root mean roughness was 1.02 nm. In addition, the leakage current of NZO films was as low as $10^{-6}A/cm^2$ at 4.4 V.
Effects of calcination process and ZrO2 addition on the electrical properties of [(Ba0.82Sr0.08Ca0.1)O]m(Ti1-$\chi$Zr$\chi$)O2 ceramics have been investigated. With the variation of A/B-site ratio m of the dielectric formulations, sintering behavior and the resistivity after sintering in a reducing atmosphere have been affected by the calcination process. When the dielectric formulations of m=1.01 were sintered in a reducing atmosphere, the room-temperature resitivity of 109 {{{{ OMEGA }}.cm was obtained for samples processed with two-step calcination, which was much lower than 1012 {{{{ OMEGA }}.cm of samples calcined once. It was confirmed that high resistivity of Ca-doped BaTiO3 ceramics, after sintering in a reducing atmosphere, is maintained by acceptor-like behavior of CaTi" which is formed by Ca substitution to Ti-site. It was also found out that the critical amount of B-site Ca substitution for reduction inhibition of BaTiO3 is around 0.005 mol. With the increasing amount of ZrO2 addition to dielectric formulations, Curie peak was depressed and Curie temperature was lowered due to the enhanced diffuse phase transition.tion.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.18
no.1
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pp.27-32
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2008
Novel long persistent phosphors of $CaZrO_3:Er^{3+}$ have been synthesized by traditional solid state reaction method. The long persistent phosphor crystalline particles were characterized by the X-ray diffraction (XRD), photoluminescence spectrophotometer, thermoluminescence (TL) and luminance meter. The results reveal that the samples are composed of single $CaZrO_3$ phase. The broadband emission spectra of 446 nm peak and 550 nm peak was revealed by synthesized at high temperature in $N_2$ gas. Green long persistent phosphors have been observed in the sys_em for over 6 h after UV irradiation (254 nm). The main emission peak was ascribed to $Er^{3+}$ ions transition from $^5D_{5/2}{\rightarrow}^4F_{9/2},\;^2H_{12/2},\;^4S_{3/2}{\rightarrow}^4I_{13/2}\;and\;^2G_{9/2}{\rightarrow}^4I_{13/2}$, and the afterglow may be ascribed to the suitable trap centers in the $CaZrO_3$ host lattice.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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