Self Q-switching에 의한 분포궤환 색소레이저(DFDL: Distributed Feedback Dye Laser)로부터 80uJ의 단일 극초단 펄스를 얻고, 이를 2단의 증폭기와 betune cell에 의한 3단 증폭으로 높은 출력을 얻은 후 BBO를 사용, 자외선 영역의 제 2고조파를 얻었다.
The distributed feedback dye laser is a source of single picosecond pulses tunable in a very wide wavelength range. Operational principles, experimental arrangements, and recent applications are reviewed.
본 논문에서는 새로운 구조의 파장가변 레이저 다이오드를 제안하였다. 제안된 레이저 다이오드는 추출격자 분포궤환 레이저 다이오드와 추출격자 분포 브래그 반사기가 집적된 구조로 되어 있다. 제안된 레이저 다이오드는 특정한 구조에서 27 nm정도의 광대역 파장가변이 가능함을 수치해석을 통해 확인하였다. 또한 이득영역에서 생성된 광파를 다른 수동영역을 거치지 않고 직접 광섬유에 결합시킬 수 있는 구조로 광효율이 기존의 레이저 다이오드에 비해 우수함을 확인하였다.
분포궤환 색소레이저(DFDL: Distributed feedback Dye Laser)로부터 80 uJ의 단일 극초단 펄스를 얻고, 이를 2단의 증폭기와 betune cell에 의한 다단 증폭으로 높은 출력을 얻은 후 BBO를 사용, 자외선 영역의 제 2고조파를 얻었다.
엑시머 레이저로 여기되는 분포제환 색소레이저(DFDL: Distributed Feedback Dye Laser)로부터 616nm의 레이저 펄스를 얻고, 이를 제2고조파 발생에 의한 파장변환을 통해 308nm의 극초단 자외 광펄스를 얻었다. 또한 3단의 XeCl 엑시머 레이저 증폭기를 구성하여 자외 광펄스의 증폭을 행하였다.
전계 흡수 변조기가 집적된 이중 전극 분포 궤환형 레이저를 사용하여 광신호의 변조 응답 향상을 실현하였다. 이 중 전극 구조의 분포 궤환형 반도체 레이저는 자려 펄스 발진 현상으로 인해 수 기가 헤르쯔의 모드 간격을 가진 다중 광모드 발진 현상을 보인다. 이 현상을 이용하여 RF 신호에 대한 광원의 변조 특성을 6 GHz 변조 신호에 대하여 약 20 dB 향상 시켰으며, 이러한 변조 성능 향상에 대하여 7 GHz의 주파수 가변 영역을 얻었다.
본 논문에서는 추출격자 분포 브래그 반사기 (SGDBR: Sampled Grating Distributed Bragg Reflector) 가 집적된 추출격자 분포 궤환 (SGDFB : Sampled Grating Distributed Feedback) 레이저 다이오드의 파장가변 특성을 시뮬레이션을 통하여 분석하였다. SGDFB 영역에 있는 위상제어 영역의 길이는 출력 광 파워와 파장가변 범위에 많은 영향을 미치고 있음을 확인할 수 있었다. 또한 소자의 길이와 단면에서의 반사계수 및 단면의 위치에 의해 전체적인 파장가변 범위가 많은 영향을 받음을 확인하였다.
As the demand of internet networks using backbone communication systems recently increased, the researches on the high-speed wideband optical communication systems are required. For high-speed optical communication systems, asymmetric sampled grating distributed feedback laser diodes (DFB-LDs) are developed and the reliability of DFB-LDs is examined. The reliability of DFB-LDs is performed by monitoring I-V and L-I characteristics and two degradation phenomena related to the electrical characteristics of LDs are observed during the life tests. The first degradation phenomenon by increasing the reverse current is considered as a formation of leakage current path enough to prevent lasing operation in lateral blocking layer near active region of lasers. The second degradation phenomenon by decreasing the forward current is considered as activation of non-radiative Auger recombination process by thermal energy and the second degradation phenomenon is recovered after the off-test period at room temperature Eventually, evaluating the reliability of DFB LDs can allow us to improved the manufacturability in high-volume manufacturing.
A rate equation model describing the ultrashort pulse formation is presented. The temporal and energy behavior of the distributed feedback dye laser predicted by the model has been compared the earlier papers on DFDL's. The observed good agreement allows application of the theoretical model for picosecond laser.
We fabricated distributed feedback InGaAsP/InP laser diodes for optical fiber communication module and characterized the lasing properties in continuous wave operation. The active layer of 7-period InGaAsP(1.127 eV)/InGaAsP(0.954 eV) multi-quantum well structure was grown by the metal-organic chemical vapor deposition. The grating for waveguide was also fabricated by the implementation of the Mach-Zehender holographic method of two laser beams interference of He- Cd laser and the fabricated laser diode has the dimension of the laser length of $400{\mu}m$ and the ridge width of $1.2{\mu}m$. The laser diode shows the threshold current of 3.59 mA, the threshold voltage of 1.059 V. For the room-temperature operation with the current of 13.54 mA and the voltage of 1.12 V, the peak wavelength is about 1309.70 nm and optical power is 13.254 mW.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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