Yong, Sang Heon;Kim, Hoonbea;Chung, Ho Kyoon;Chae, Heeyeop
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.431-431
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2013
Flexible Organic Light Emitting Diode (OLED) displays are required for future devices. It is possible that plastic substrates are instead of glass substrates. But the plastic substrates are permeable to moisture and oxygen. This weak point can cause the degradation of fabricated flexible devices; therefore, encapsulation process for flexible substrate is needed to protect organic devices from moisture and oxygen. Y.G. Lee et al.(2009) [1] reported organic and inorganic multilayer structure as an encapsulation barrier for enhanced reliability and life-time.Flowable Oxide process is a low-temperature process which shows the excellent gap-fill characteristics and high deposition rate. Besides, planarization is expected by covering dust smoothly on the substrate surface. So, in this research, Bi-layer structured is used for encapsulation: Flowable Oxide Thin film by PECVD process and Al2O3 thin film by ALD process. The samples were analyzed by water vapor transmission rate (WVTR) using the Calcium test and film cross section images were obtained by FE-SEM.
본 논문에서는 교량의 건전도 감시용 자립형 계측유닛을 위한 교량의 상시진동을 이용한 진동발전시스템을 제시하였다. 본 연구에서는 전기자 반작용의 영향을 최소화한 새로운 구조의 진동발전기를 제안하고, 기계적 및 전기적인 설계식을 유도한 다음, 시험용 진동발전기를 제작하였다. 또한, 매우 작은 발전 전류의 축전시스템에 대하여 고찰하고 개선점을 도출하였다. 축전시스템에 대한 고찰 결과, 정류기에 사용된 다이오드 특성이 충전과정에서 지배적임을 밝혔다. 마지막으로, 진동발전시스템 모델에 실측 남해대교 가속도 데이터를 적용한 시뮬레이션과 실내 실험을 수행하였고, 제작된 시험용 진동발전기의 적용성과 효용성을 확인할 수 있었다.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제10권4호
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pp.316-321
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2010
This paper presents a novel fourth harmonic mixer with new structure. The traditional 3-ports fourth harmonic mixer and the novel fourth harmonic mixer are designed by ADS, HFSS and CST simulator. The mixers have been fabricated and tested. The size of the traditional 3-ports fourth harmonic mixer is $12{\times}15$ mm, and the best conversion loss is 18.7 dB according to the measurement. Since the traditional 3-port mixer size is too large to be ranked, we design a novel fourth harmonic mixer for imaging system. The width of the mixing module in the novel fourth harmonic mixer is only 3.65 mm, and this size is fully capable to meet the mixer unit space which is not greater than 5 mm. The simulation result shows that the mixer has good performance, and the experiment result shows that the best conversion loss of the novel fourth harmonic mixer is 16.3 dB at RF signal of 91.3 GHz.
광원으로써 다양한 장점을 가지고 있는 LED 소자는 응용 분야의 확대가 빠르게 진행되고 있다. 특히 조명 분야의 LED 응용은 더욱 활발하다. 본 논문에서는 비교적 낮은 광량이 요구되는 옥내 외 문자표시용 광원, 양면 발광형 광원, 저휘도 LED BLU 분야에 적합하도록 투명 Plate와 LED 칩을 조합하여 광원을 구현하였다. 투명광원 구현을 위해 폴리카보네이트 계열의 plate 사용하였으며 LED 칩의 구동을 위한 구리회로를 plate 표면에 형성하였다. 또한 기존 패키지를 사용하던 LED 광원 대신 투명 plate 표면에 LED 칩을 직접 장착하는 기술을 적용하였다. 최종 제품은 다수개의 광원 모듈을 결합하여 BLU또는 면광원에 적합한 샘플을 제작하였다.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1511-1514
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2009
Organic light emitting layer in OLED device was formed by gravure printing process in this work. Organic surface coated by gravure printing typically showed relatively bad uniformity. Thickness and roughness control was characterized by applying various mixed solvents in this work. Poly (N-vinyl carbazole) (PVK) and fact-tris(2-phenylpyridine)iridium($Ir(ppy)_3$) are host dopant system materials. PVK was used as a host and Ir(ppy)3 as green-emitting dopant. To luminance efficiency of the plasma treatment on etched ITO glass and then PEDOT:PSS spin coated. The device layer structure of OLED devices is as follow Glass/ITO/PEDOT:PSS/PVK+Ir(ppy)3-Active layer /LiF/Al. It was printed by gravure printing technology for polymer light emitting diode (PLED). To control the thickness multi-printing technique was applied. As the number of the printing was increased the thickness enhancement was increased. To control the roughness of organic layer film, thermal annealing process was applied. The annealing temperature was varied from room temperature, $40^{\circ}C$, $80^{\circ}C$, to $120^{\circ}C$.
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.145-148
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2007
The authors report on the fabrication of thin film transistors (TFTs) that use amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) channel and have the channel length (L) and width (W) patterned by dry etching. To prevent the plasma damage of active channel, a 100-nm-thckness $SiO_{x}$ by PECVD was adopted as an etch-stopper structure. IGZO TFT (W/L=10/50${\mu}m$) fabricated on glass exhibited the high performance mobility of $35.8\;cm^2/Vs$, a subthreshold gate voltage swing of $0.59V/dec$, and $I_{on/off}$ of $4.9{\times}10^6$. In addition, 4.1” transparent QCIF active-matrix organic light-emitting diode display were successfully fabricated, which was driven by a-IGZO TFTs.
발광다이오드는 에너지 변환 효율이 높고 친환경적인 장점으로 인하여 차세대 조명용 광원으로 각광받고 있다. 하지만 현재 발광다이오드는 낮은 광추출효율로 인하여 미래의 수요를 충족시킬 수 있을 만큼 충분한 성능의 효율을 나타내지 못하고 있다. 발광다이오드의 낮은 광추출효율은 반도체소재와 외부 공기와의 큰 굴절률 차이로 인하여 발생하는 전반사 현상에 기인한 것으로 이 문제를 해결하기 위하여 발광다이오드 소자의 발광면 및 기판을 텍스처링하는 방법이 중요하게 인식되고 있다. 하지만 현재까지 패턴의 구조에 따른 광추출 특성을 분석한 연구는 미진한 상황이다. 본 연구에서는 임프린팅 및 건식식각 공정을 이용하여 다양한 구조의 나노 및 micron 급 패턴을 발광다이오드의 p-GaN층에 형성하였다. 발광다이오드 기판 위에 하드마스크로 사용하기 위한 SiO2를 50nm 증착한 후 그 위에 UV 임프린팅 공정을 진행하여 폴리머 패턴을 형성시켰다. 임프린팅 공정으로 형성된 폴리머 패턴을 CF4CHF3 플라즈마를 이용하여 SiO2를 건식식각하였고, 이후에 SiCl4와 Ar 플라즈마를 이용한 ICP 식각 공정을 진행하여 p-GaN층을 100nm 식각하였다. 마지막으로 BOE를 이용한 습식식각 공정으로 p-GaN층에 남아있는 SiO2층을 제거하여 p-GaN층에 sub-micron에서 micron급의 홀 패턴을 형성하였다. Photoluminescence(PL) 측정을 통해서 발광다이오드 소자에 형성된 패턴의 구조에 따른 광추출 특성을 분석하였다.
촉매 화학기상증착법을 이용하여 합성된 이중층 탄소나노튜브를 가지고 전계전자 방출원을 제작하여 이들의 신뢰성 있는 전계전자 방출특성을 조사하였다. 합성된 탄소 필라멘트들은 TEM, TGA, 그리고 Raman 분석을 통하여 결함이 없고 순도가 높은 이중층 탄소나노튜브가 합성이 되었음을 확인하였다. 이들 이중층 탄소나노튜브 전계전자 방출원은 이전극 구조에서 낮은 턴-온 전계와 높은 전류밀도의 전계전자 방출 특성을 보여주었고, 균질한 전계방출 패턴과 좋은 전계방출 안정성을 나타내었다.
Dynamic characteristics of TbFeCo magneto-optical recording media at 680nm wavelength region were studied by means of computer simulation of disc structure and optimization of process variables during sputter deposition. With the slightly reduced Kerr rotation angle due to the reduced wavelength of optical laser source, the improved recording density in TbFeCo magneto optical media showing the CNR greater than 50dB could be achieved by only adjusting the thickness of dielectric and the recording layers when the wavelength of light source is changed from 780nm to 680nm. In addition, the recording power margin of 5mW and the 2mW minimum recording power was realized, It was shown from the present study that the increase in laser power density demonstrated feasibility of low cost and low power laser diode with the reduced optimum recording power.
Heat emission from the laser diode used in the optical disc drive and the defects from the increased temperature at the system have attracted attentions from the field of the information storage device. Thermoelectric refrigerator is one of the fine solutions to solve these thermal problems. The refrigeration performance of thermoelectric device is dependent on the thermoelectric material's figure-of-merit. Meanwhile, high electrical contact resistivity between metal electrode and p- and n-type thermoelectric materials in the device would lead increased total electrical resistance resulting in the degeneracy in performance. This paper represents the manufacturing process of the PbTe-based material which has one of the highest figure-of-merit at medium-high-temperature, ~ 600K to 900 K, and the nickel contact layer for reduced electrical contact resistance at once, and the results showing the decent contact structure and figure-of-merit even after the long-term operation environment.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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