• Applied Science and Convergence Technology
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• 제26권4호
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• pp.79-85
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• 2017

The crack-free AlGaN template has been successfully grown by using selective area growth with triangular GaN facet. The triangular GaN stripe structure was obtained by vertical growth rate enhanced mode with low growth temperature of $950^{\circ}C$ and high growth pressure of 500 torr. The lateral growth rate enhanced mode of AlGaN for crack-free and flat surface was also investigated. Low pressure of 30 torr and high V/III ratio of 4400 were favorable for lateral growth of AlGaN. It was confirmed that the $4{\mu}m$ -thick $Al_{0.2}Ga_{0.8}N$ was crack-free over entire 2-inch wafer. The dislocation density of $Al_{0.2}Ga_{0.8}N$ was as low as ${\sim}7.6{\times}10^8/cm^2$ measured by cathodoluminescence. Based on the high quality AlGaN with low dislocation density, the ultraviolet laser diode epitaxy with cladding, waveguide and GaN/AlGaN multiple quantum well (MQW) was grown by metalorganic chemical vapor deposition. The stimulated emission at 349 nm with full width at half maximum of 1.8 nm from the MQW was observed through optical pumping experiment with 193 nm KrF laser. We also have fabricated the deep ridge type ultraviolet laser diode (UV-LD) with $5{\mu}m-wide$ and $700{\mu}m-long$ cavity for electrical properties. The turn on voltage was below 5 V and the resistance was ${\sim}55{\Omega}$ at applied voltage of 10 V. The amplified spontaneous emission spectrum of UV-LD was also observed from pulsed current injection.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2014년도 추계학술대회
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• pp.278-281
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• 2014

본 논문에서는 진동에너지 하베스팅을 위한 세 가지 종류의 전파 정류기를 비교 분석 하였다. 첫번째 정류기는 두 개의 능동 다이오드(active diode)와 두 개의 MOSFET로 구성된 전파 정류기로 능동 다이오드의 비교기는 정류기의 출력으로부터 전력을 공급받는다. 두 번째는 네 개의 MOSFET로 구성된 정류기와 하나의 능동 다이오드로 구성된 2단 정류기이며, 마찬가지로 비교기는 정류기의 출력으로부터 전력을 공급받는다. 세 번째는 두 번째 정류기와 동일한 구조이나 비교기의 전력을 정류기의 입력으로부터 공급받는 input-powered 정류기이다. 이 정류기들을 0.35um CMOS 공정으로 설계하고 모의실험을 통해 성능을 비교, 분석하였다. 부하가 큰 경우에는 첫 번째 정류기를 이용하는 것이, 부하가 작은 경우에는 두 번째 정류기를 이용하는 것이 효율적인 측면에서 유리하다. 또한 효율보다는 진동에너지의 유무에 따른 전력 소모가 중요하다면 세 번째 정류기가 유리하다.

• 융합신호처리학회논문지
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• 제22권3호
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• pp.104-109
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• 2021

본 논문에서는 self-seeding FP-LD (Fabry Perot Laser Diode)를 이용하여 WDM-PON (Wavelength Division Multiplexing - Passive Optical Network)에서 사용될 수 있는 새로운 파장 가변 광원의 가능성을 검증한다. 파장 가변 광원을 이용한 WDM-PON의 기존 구현은 AWG (Arrayed Waveguide Grating) 소자의 중심 파장과 광원의 중심 파장을 세밀히 정렬해 주어야 하는 단점이 발생한다. 그러나, 본 논문에서 제안하는 파장 가변 광원은 매우 간단한 구조로 구성되며, 가변 파장이 AWG의 중심 파장에 자동 정렬되는 장점을 갖는다. 구현된 파장 가변 광원은 약 14 nm 정도 이상의 파장 가변 대역을 보였고, 상대적 세기 잡음, RIN (Relative Intensity Noise)은 최대 약 -124dB/Hz로 나타났으며, 외부 변조기를 통해 변조한 결과 10Gb/s 신호에 대한 변조 가능성을 확인 할 수 있었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제29권8C호
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• pp.1104-1112
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• 2004

본 논문에서는 레이저와 고속 CCD 카메라를 이용하여 대형 구조물의 3차원 거동 계측을 위해 진동 주파수 계측 방식을 확립하였다. 구조물에 부착한 대상판에 변동(fluctuation)이 작은 다이오드 레이저를 투사하고, 고속 CCD 카메라로 촬영한 영상에 고정도 상대측정 알고리즘을 적용하여 구조물의 변위를 측정하였다. 초당 120 프레임의 고속 카메라를 이용하고 변위에 FFT를 취해 진동주파수를 구한 경우, 0에서 40Hz까지 $\pm$0.5% 이내의 진동주파수의 정확도를 얻을 수 있다. 이를 이용하면 대형 구조물에 대해 보다 저렴하고 간단하게 고유진동수의 측정이 가능하다. 또한 GPS를 이용한 상대측위 기법과의 비교를 통해 레이저를 이용한 변위측정의 정확도를 입증함으로써, 제안한 진동주파수 측정 방법의 신뢰도와 경제성을 검증하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.83-89
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• 2010

본 논문에서는 개선된 바랙터 결합 선로를 제안하고, 이 구조를 사용한 주파수 합성기를 설계 제작하였다. 제안된 결합 선로는 기존 구조에 추가적인 $\lambda$/4 전송 선로를 이용하여 바랙터에서 반사되는 잡음신호를 제거하는 구조이다. 제작한 주파수 합성기는 Ku-band 대역에서 헤어핀 공진기를 사용하였으며, PLL을 사용하여 주파수를 고정하였다. 제안된 구조로 제작한 헤어핀 발진기의 경우, 38 MHz의 주파수 조정 범위와 100 kHz offset에서 -97 dBc/Hz의 위상 잡음을 나타내었다. 이러한 측정 결과는 제작한 기존 구조의 바랙터 결합 선로를 가지는 헤어핀 발진기보다 30 MHz 개선된 주파수 조정 범위와 8 dB 개선된 위상 잡음 특성을 가지는 것으로 확인되었다.

• 전기학회논문지
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• 제65권1호
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• pp.158-164
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• 2016

That's the reason why LED lighting has to employ AC power inlet. However, LED is a kind of diode, semiconductor, it's driven by DC power. With whis reason all of LED lighting should have AC/DC converter in its systems. This converter causes energy loss, it's the target for lesson the energy loss. To reduce this energy loss, DC power distribution structure can be used. LED lighting system using LVDC is a kind of DC power distribution structure, but LVDC has severe voltage drop which makes non-uniform brightness in lighting system. In this paper, we suggest a novel structure for the uniform brightness in LVDC LED lighting system using IoT based network system. The constructed test-bed system of suggested structure shows this structure can con control the brightness with uniformity.

• ETRI Journal
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• 제27권5호
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• pp.545-550
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• 2005

We have carried out the fabrications of a barrier layer on a polyethersulfon (PES) film and organic light emitting diode (OLED) based on a plastic substrate by means of atomic layer deposition (ALD). Simultaneous deposition of 30 nm $AlO_x$ film on both sides of the PES film gave a water vapor transition rate (WVTR) of $0.062 g/m^2/day (@38^{\circ}C,\;100%\;R.H.)$. Further, the double layer of 200 nm $SiN_x$ film deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and 20 nm $AlO_x$ film by ALD resulted in a WVTR value lower than the detection limit of MOCON. We have investigated the OLED encapsulation performance of the double layer using the OLED structure of ITO / MTDATA (20 nm) / NPD (40 nm) / AlQ (60 nm) / LiF (1 nm) / Al (75 nm) on a plastic substrate. The preliminary life time to reach 91% of the initial luminance $(1300 cd/m^2)$ was 260 hours for the OLED encapsulated with 100 nm of PECVD-deposited $SiN_x$ and 30 nm of ALD-deposited $AlO_x$.

• 한국항행학회논문지
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• 제9권1호
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• pp.1-8
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• 2005

본 논문에서는 차세대 근거리 실내 무선 환경 기술로 채택 가능성이 높은 UWB(Ultra Wideband)기술용 Impulse Generator를 SRD(Step Recovery Diode)를 이용하여 설계하였다. 설계 목표는 단순한 설계 구조와 함께 저가, 소형, 고성능의 Impulse Generator 개발에 있다. 미국의 FCC(Federal Communications Commission)의 기준인 주파수 범위 3.1~10.6 GHz, 출력 제한 레벨 -41.25 dBm을 만족하는 Impulse Generator를 회로 시뮬레이터인 Agilent Technologies사의 ADS를 이용하여 설계, 제작, 측정하였다. 설계된 회로의 출력 신호는 단일밴드용과 멀티밴드용으로 구분하였다.

• 한국광학회지
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• 제23권1호
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• pp.42-51
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• 2012

본 논문에서는 패브리 페롯 레이저 다이오드(FP-LD : Fabry-Perot LD)에서 활성층 구조에 따른 주입 잠금 특성을 비교하였다. 편광 및 무편광 다중양자우물 구조와 무편광 벌크 구조의 이득 스펙트럼 및 주입 캐리어 밀도에 따른 최대 이득 특성을 TE, TM 편광에 대하여 계산하였다. 계산된 이득 파라미터를 시영역 대신호 모델에 적용하여 FP-LD의 주입 잠금 특성을 확인한 결과, 무편광 FP-LD가 편광 FP-LD 에 비하여 RIN(Relative Intensity Noise) 특성 면에서 약 3 dB 정도 우수하고, 2.5 Gbps 변조시에 아이 특성이 훨씬 우수함을 알 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.147-147
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• 2015

The multilayer structure of the organic light emitting diode has merits of improving interfacial characteristics and helping carriers inject into emission layer and transport easier. There are many reports to control hole injection from anode electrode by using transition metal oxide as an anode buffer layer, such as V2O5, MoO3, NiO, and Fe3O4. In this study, we apply thin films of LiF which is usually inserted as a thin buffer layer between electron transport layer(ETL) and cathode, as an anode buffer layer to reduce the hole injection barrier height from ITO. The thickness of LiF as an anode buffer layer is tested from 0 nm to 1.0 nm. As shown in the figure 1 and 2, the luminous efficiency versus current density is improved by LiF anode buffer layer, and the threshold voltage is reduced when LiF buffer layer is increased up to 0.6 nm then the device does not work when LiF thickness is close to 1.0 nm As a result, we can confirm that the thin layer of LiF, about 0.6 nm, as an anode buffer reduces the hole injection barrier height from ITO, and this results the improved luminous efficiency. This study shows that LiF can be used as an anode buffer layer for improved hole injection as well as cathode buffer layer.