Nitrogen-doped titanium dioxide (N-doped $TiO_2$) is attracting continuously increasing attention as a material for environmental photocatalysis. The N-atoms can occupy both interstitial and substitutional positions in the solid, with some evidence of a preference for interstitial sites. In this study, N-doped $TiO_2$ is prepared by the sol-gel method using $NH_4OH$ and $NH_4Cl$ as N ion doping agents, and the physical and photocatalytic properties with changes in the synthesis temperature and amount of agent are analyzed. The photocatalytic activities of the N-doped $TiO_2$ samples are evaluated based on the decomposition of methylene blue (MB) under visible-light irradiation. The addition of 5 wt% $NH_4Cl$ produces the best physical properties. As per the UV-vis analysis results, the N-doped $TiO_2$ exhibits a higher visible-light activity than the undoped $TiO_2$. The wavelength of the N-doped $TiO_2$ shifts to the visible-light region up to 412 nm. In addition, this sample shows MB removal of approximately 81%, with the whiteness increasing to +97 when the synthesis temperature is $600^{\circ}C$. The coloration and phase structure of the N-doped $TiO_2$ are characterized in detail using UV-vis, CIE Lab color parameter measurements, and powder X-ray diffraction (XRD).
Alanine racemase, a bacterial enzyme belonging to the fold-type III group of pyridoxal 5'-phosphate (PLP)-dependent enzymes, has been shown to catalyze the interconversion between L- and D-alanine. The alanine racemase from the pathogenic bacterium Enterococcus faecalis v583 has been overexpressed in E. coli and was shown to crystallize an enzyme at 295 K, using polyethylene glycol (PEG) 8000 as a precipitant. X-ray diffraction data to $2.5{\AA}$ has been collected using synchrotron radiation. The crystal is a member of the orthorhombic space group, $C222_1$ with unit cell parameter of a=94.634, b=156.516, $c=147.878{\AA},\;and\;{\alpha}={\beta}={\gamma}=90{\AA}$. Two or three monomers are likely to be present in the asymmetric unit, with a corresponding $V_m\; of\;3.38{\AA}^3\;Da^{-1}\;and\;2.26{\AA}^3\;Da^{-1}$ and a solvent content of 63.7% and 45.5%, respectively.
The magnesium oxide (MgO) protective layer plays an important role in plasma display panels (PDPs). In this paper, we describe the structural and discharge properties of MgO thin films, which were prepared by the ion-beam-assisted deposition (IBAD) of oxygen as the protective layer of PDPs. The energy of the oxygen ion beam was used as the parameter to control the deposition. We found that the oxygen ion beam energy was effective in determining in structural and discharge characteristics. The lowest firing inception voltage, the highest brightness and the highest luminous efficiency were obtained when the MgO thin film was deposited with an oxygen ion beam energy of 300 eV. The crystallization of the MgO thin film was also measured by X-ray diffraction analysis, and the surface quality was measured by atomic force microscopy.
Park, Dong-U;Kim, Jun-O;Lee, Sang-Jun;Kim, Chang-Su;Lee, Dae-Su;No, Sam-Gyu;Gang, Cheol;Gi, Cheol-Sik;Kim, Jin-Su
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.243-243
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2010
Low-temperature grown (LTG) InGaAs epilayers were grown by MBE technique for studying a correlation between terahertz (THz) emission and the intrinsic defects. The 1.2-um-thick Be-compensated LTG-InGaAs epilayers were prepared on SI-InP:Fe substrate at $200-250^{\circ}C$, and subsequently in-situ annealed under As environment at $550^{\circ}C$ for 5-30 minutes. The carrier concentration/mobility and the crystalline structure were analyzed by the Hall effect and the x-ray diffraction (XRD), respectively, and the carrier lifetime were determined by the fs time-resolved pump-probe spectroscopy. THz generation from LTG-InGaAs was carried out by a Ti-sapphire laser (800 nm) of a pulse width of 190 fs at a repetition of 76 MHz. Figure shows the spectral amplitude of generated waves in the THz region. As the growth temperature of epilayer increases, the amplitude is enhanced. However, two samples grown at $200^{\circ}C$, as-grown and annealed, show almost no difference in the spectral amplitude. This suggests that the growth temperature is critical in the formation of defect states involved in THz emission. We are now investigating the correlations between the XRD band attributed to defects, the Hall parameter, and the spectral amplitude of generated THz wave.
We fabricated YBCO coated conductors (CCs) by TFA-MOD process and evaluated microstructure, texture formation, and critical temperature ($T_c$) and current ($I_c$). YBCO precursor solution was synthesized using metal-trifluoroacetates and dip coated on $LaAlO_3$(LAO) substrate. The phase formation and microstructure was characterized by X-ray diffraction and scanning electron microscopy (SEM) and the degree of texture was evaluated by pole-figure analysis. The CC was heat-treated in various calcining temperatures ($370^{\circ}C-460^{\circ}C$) and firing temperatures ($750^{\circ}C-800^{\circ}C$). As fired at $775^{\circ}C$ for 4h, the CC had the highest $T_c$ of 89.5 K and $I_c$ of 40 A/cm-width ($J_c=2.0\;MA/cm^2$). Microstructural observation indicated that the YBCO film was dense and homogeneous and had a strong cube texture without formation of second phase and its in-plane full-width at half-maxima; $5.2^{\circ}$ under optimum condition.
Annealing effects on the properties of Bi-doped ZnO thin films were investigated. Bi- doped ZnO thin films were deposited on quartzs substrates at 300℃ by using radio-frequency magnetron sputtering system. Post heat treatments at 600, 700, and 800℃ were performed to evaluate the effect of annealing temperatures on the structural, optical, and electrical properties of Bi-doped ZnO thin films. FE-SEM images showed the dramatic surface morphology changes by rearrangement of elements at high heat treatment temperature of 800℃. X-ray diffraction analysis indicated that the peaks of the Bi-doped ZnO thin films were same as the peaks of the (002) planes of ZnO peak-positioned at 2θ=34.0° and peak intensities and FWHMs were improved as the annealing temperatures increased. The optical transmittance was improved with increasing annealing temperatures and was over 80% in the wavelength region between 435 and 1100 nm at the annealing temperature of 700 and 800℃. With increasing annealing temperature, the electron concentrations and electron mobilities were increased. On the other hand, electric resistivity of the films were decreased with increasing annealing temperatures. These results showed that the heat treatment temperature is an important parameter to improve the structural, optical, and electrical properties of Bi-doped ZnO thin films.
Fe-based powders, Fe-M(M=Cr, Mn, Cu, Zn), were prepared in Ar gas by mechanical alloying and their crystallographic and magnetic properties were investigated. X-ray diffraction indicates that the cubic lattice parameter increases for the M substitution. The distance of closest approach around M can explained the increase of lattice constant in Fe-M powders. $M\"{o}ssbauer$ spectroscopy measurements on Fe-M samples indicates the coexistence of ferromagnetic phases and paramagnetic phase that are created by the distribution of local environment M on Fe atom. On the other hand, The spread of line-width on $M\"{o}ssbauer$ spectra can be explained by the distribution of hyperfine magnetic fields. The results of quadrupole shift and isomer shift revealed that M substitutions in Fe-M powders didn't change both structure and the local charge distribution around Fe atom severely.
Effects of annealing temperature on the crystalline and magnetic properties of YIG films grown by solid phase epitaxy. The eptiaxy films were made by annealing Fe-Y-O amorphous films in the air at 550-1050 $^{\circ}C$ which were sputtered on GGG (111) substrates in a conventional rf sputtering system. Crystallization temperature of Fe-Y-O amorphous films on GGG (111) substrate was between 600 and 650 $^{\circ}C$ which is much lower than that Fe-Y-O powder prepared by sol-gel method. Excellent epitaxial growth of YIG films could be conformed by the facts that the diffraction intensity of YIG (888) plane was comparable with that of GGG (888) plane and full width at half maximum of YIG (888) rocking curve was smaller than 0.14$^{\circ}$ when films were annealed at 1050 $^{\circ}C$. It could be seen that it is necessary to anneal the films at higher temperature for an excellent epitaxy because lattice parameter of YIG films were smaller and the peak of YIG (888) plane is higher and narrower with increasing annealing temperature. Films annealed at higher temperature shows M-H loop with perpendicular anisotropy which was due to 0.15% lattice mismatch between YIG and GGG.
Yoon, Hye-Jin;Ku, Min-Je;Ahn, Hyung Jun;Lee, Byung Il;Mikami, Bunzo;Suh, Se Won
Molecules and Cells
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v.19
no.3
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pp.398-401
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2005
The bacterial enzyme UDP-N-acetylglucosamine enolpyruvyl transferase catalyzes the first committed step of peptidoglycan biosynthesis, i.e., transfer of enolpyruvate from phosphoenolpyruvate to UDP-N-acetyl-glucosamine. We have overexpressed the enzyme from Haemophilus influenzae in Escherichia coli and crystallized it in the apo-form, as well as in a complex with UDP-N-acetylglucosamine and fosfomycin using ammonium sulfate as the precipitant. X-ray diffraction data from a crystal of the apo-form were collected to $2.8{\AA}$ resolution at 293 K. The crystal quality was improved by co-crystallization with UDP-N-acetylglucosamine and fosfomycin. X-ray data to $2.2{\AA}$ have been collected at 100 K from a flash-frozen crystal of the complex. The complex crystals belong to the orthorhombic space group I222 (or $I2_12_12_1$) with unit-cell parameters of a = 63.7, b = 124.5, and $c=126.3{\AA}$. Assuming a monomer of the recombinant enzyme in the crystallographic asymmetric unit, the calculated Matthews parameter ($V_M$) is $2.71{\AA}^3Da^{-1}$ and solvent content is 54.6%.
Effect of NiO and $MnO_2$ addtivies on the dielectric piezoelectrics and polarization-reversal properties of $(Pb_{0.936} La_{0.064})$$(Zr_{0.60}Ti_{0.40})O_3$ ceramics have been investigated. The specimens were prepared by the mixed oxide techni-que and atmosphere sintering method. The room temperature X-ray diffraction studies show that perfect perovskite solution with tetragonal structure was obtained from PLZT and its additives. The dielectric constant and dissipation factor decreased with the addition of both NiO and $MnO_2$ The Curie of Curie temperature was not observed but they displayed broadened maxima. The planar coupling factor was improved by addition of NiO and also increased with increasing sintering time carried out at 105$0^{\circ}C$ Addition of $MnO_2$ yielded a markedly high mechanical quality factor. The space-charge field decreased with the addition of NiO but increased with the addition of $MnO_2$ The planar coupling factor and space-charge field showed same dependence on the additivies. The tetragonality Curie temperature and planar coupling factor of $(Pb_{0.936} La_{0.064})$$(Zr_{0.60}Ti_{0.40})O_3$ were higher than those of $(Pb_{0.936} La_{0.064})$$(Zr_{0.568}NU_{0.032}Ti_{0.40})_{0.984}O_3$ but the grain size lattic parameter dielectric constant dissipation factor mechanical quality factor and space-charge field of the former were lower than those of the latter.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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