We have investigated dielectric polarization in organic light-emitting diodes using 8-hydroxyquinoline aluminum($Alq_3$) as an electron transport and emissive material. We analyzed the dielectric polarization of organic light-emitting diodes using characteristics of impedance and equivalent circuit of $ITO/Alq_3/Al$. Impedance characteristics was measured complex impedance Z and phase ${\theta}$ in the frequency range of $1{\times}40Hz\;to\;1{\times}10^8Hz$. We obtained complex electrical conductivity, dielectric constant, and loss tangent(tan${\delta}$) of the device at room temperature. And, we obtained the equivalent circuit of $ITO/Alq_3/Al$ through analyzing dielectric constant and dielectric loss tangent. From these analyses, we could interpret a conduction mechanism and dielectric polarization.
The ZnO is stabilize dielectric constant over a broad temperature range because its addition makes the relaxation time short. In this study, the composite oxide material (B $a_{0.85}$$Ca_{0.15}$)Ti $O_{3}$ was mixed by ZnO additive material and the dielectric polarization characteristics was studied. The relative density was over 90[%] at all specimen in the structural characteristics. Among of the specimen, the relative density of (B $a_{0.85}$$Ca_{0.15}$)Ti $O_{3}$ with ZnO (0.4mol) has a 95[%]. The grain size of composite oxide material with an increasing ZnO increased and it was 1.0[.mu.m]-1.22[.mu.m]. In the electrical characteristics, the charge and discharge current was increased by ZnO addition. The dielectric relaxation time was increased by space charge polarization at above 110[.deg. C] and the dielectric relaxation time was fixed by space charge polarization of para-dielectric layer at below 110[.deg. C]. The dielectric relaxation time was maximum when the grain size was small. The dielectric relaxation time is decreased with an additive material ZnO and interface polarization, existing void at the grain and grain boundary. The remnant polarization is increased and the coercive electric field is decreased by ZnO.
층간 절연막으로 사용 가능한 SiOC 박막에 대하여 유전상수가 낮아지는 원인을 이온에 의한 분극과 전자에 의한 분극에 대하여 측정하였다. MIS 구조를 이용하여 전형적인 C-V측적법에 의하여 유전상수를 구하였으며, 굴절률을 측정하여 전자에 의한 분극의 효과에 의한 유전상수를 측정하고 서로 비교하였다. SiOC 박막의 화학적인 특성은 FTIR 분석을 이용하였으며, FTIR 분석에서 디컨벌류션한 데이터는 탄소의 함량에 대한 변화를 구하였다. 탄소의 함량변화는 굴절률의 변화와 비슷한 경향성을 나타내었으나, 유전상수와는 반비례하였다. 전자에 의한 분극의 효과는 유전상수가 떨어지는 것에 큰 영향을 주지는 않았으며, 이온에 의한 분극의 효과가 SiOC 박막의 유전상수를 낮게 하는 효과가 더욱 크게 나타났다.
We have investigated dielectric polarization in organic light-emitting diodes using 8-hydroxyquinoline aluminum$(Alq_3)$ as an electron transport and emissive material. We analyzed the dielectric polarization of organic light emitting diodes using impedance. Impedance characteristics was measured complex impedance Z and phase ${\theta}$ in the frequency range of 40Hz to $10^8Hz$. We obtained dielectric constant and loss tangent (tan ${\delta}$) of the device. From these analyses, we are able to interpret a dielectric dispersion and dielectric absorption contributed by an interfacial and orientational polarization.
Dielectric and conductive frequency spectra in 0.01 Hz-13 MHz range have been measured for the composite consisting of PZT inclusions dispersed in $LiCIO_{4}$-doped polyerhylene oxide(Li_PEO) matrix with various volume fractions. The dielectric and conductive spectra of the composites revealed the relaxations related with electrode polarization and interfacial polarization. The observed spectra were reproduced using the empirical dielectric function and we could obtain various parameters related to the above two kinds of polarizations and dicussed about the parameters.
The dielectric propertries of polymers are very important to investigate the molecular structure of polymer. The characteristrics of the dielectric absorption in vulcanized natural rubber were studied in the range of frequency from 10[KHz] to 32[MHz] at the temperature of 25[$^{\circ}C$]. As the results. it has been confirmed that in the case of natural ruber vulcanized between 2 and 4phr the specimens exhibit two kind of dielectric losses due to the dipole polarization by impurites and sulfure, and of above 7phr was only a loss due to the dipole polarization by sulfure and of natural rubber exhibit two kind of losses due to the interfacial and the dipole polarization. Furthermore, dielectric loss maximun tan spectrum, which removed to the low frequency according to increasing sulfure, depends greatly on sulfure. The volume resistivity of $10^{7}$~$10^{11}$[$\Omega\cdot$cm], regardness whether the crosslinking of rubber are tired by sulfure or, was observed.
A new feeding method for the circular polarization (CP) dielectric resonator antenna (DRA) is proposed in this letter. Two orthogonal modes (${TE^x}_{{\delta}11}$, ${TE^y}_{1{\delta}1$) of the rectangular DRA are excited by a $90^{\circ}$ phase difference of the differential and common modes currents of the proposed feeding structure. To demonstrate the good CP performance of the proposed method, a right-hand CP DRA for a global positioning system was designed. The impedance bandwidth of the proposed antenna for $S_{11}$ < -10 dB and 3 dB axial ratio bandwidth are about 5.4% and 1.95% at 1.57 GHz, respectively.
Dielectric property of Ba-modified 0.65Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.35PbTiO3 ceramics having compositions near the morphotropic phase boundary was investigated. For the specimens having Ba contents between 0 and 20 at%, the average transition temperature was decreased linearly with increasing Ba contents and the degree of hysteresis was also decreased with increasing Ba contents. The maximum dielectric constants (K), electric field induced polarization(P) and electrically-induced strain(S) were found to exihibit a maximum value at∼3 at% of Ba. The increase of S and the decrease of hysteresis by minor additions of Ba impurities indicated the development of new higher perfomance actuator materials. The composition of Ba-PMN-PT (10/65/35) may be appropriate for capacitor materials because of low hysteresis and high polarization.
The effect of reduced graphene oxide (RGO) addition on the dielectric and piezoelectric behavior of the polyvinylidene fluoride (PVDF) films was studied. Dielectric constant increased by four times and piezoelectric coefficient also increased twice by the addition of RGO in the PVDF films. Based on capacitance-voltage and ellipsometry measurements and the Kramers-Kronig transformation, it is concluded that the enhanced dielectric and piezoelectric properties of the PVDF/RGO films resulted from the increased orientational polarization due to a phase transition from nonpolar crystalline ${\alpha}$ phase to polar crystalline ${\beta}$ phase in the PVDF structure.
We have investigated dielectric dispersion and absorption in organic light-emitting diodes using 8-hydroxyquinoline aluminum($Alq_3$) as an electron transport and emissive material. We analyzed the dielectric dispersion and absorption of organic light emitting diodes using impedance characteristics measurement by the auto-balancing bridge technique of ITO/$Alq_3$/Al. Impedance characteristics was measured complex impedance Z and phase e in the frequency range of 40Hz to $10^8Hz$. We obtained dielectric constant and loss tangent (tan $\delta$) of the device. From these analyses, we are able to interpret a dielectric dispersion and dielectric absorption contributed by an interfacial and orientational polarization.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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