본 논문에서는 임의의 형상을 가진 유전체 안테나에 대한 새로운 해석 방법을 기술한다. 이 방법에서는 분극 전류 및 뇌하 밀도의 개념을 종래의 Stratton-Chu 형식에 도입하고 산란 원칙에 따라 유전체 내의 전계강도에 대해 적분 방정식을 세웠다. 이 적분 방정식을 수치 계산법으로 풀기 위해 유전체의 체적을 세분하고 작은 구로서 등가적으로 표시한다. 따라서 이 방법에 의해서는 임의의 형상의 유전체 안테나의 해석이 가능하다. 이와같이 해서 유전체 내의 전계강도를 구하고 그 강도에 입각해서 안테나의 복사특성, 입력 임피이단스 및 유전체 손실들을 산출했다.
수치해석법을 이용하여 환상 유전체를 포함하는 원형 도파관에서 유전체폭을 일정하게 변화시켰을 때의 Tmon 및 Teon 모드에 대한 전파상수를 구하였다. 이러한 구조는 유전체 공진기의 Q값을 개선하기 위한 supporter로 사용할 수 있고, 계산결과는 slow wave structure의 설계에 이용할 수 있다. 또한 본 논문에서의 수치해석 방법은 유전체 공진기의 공진주파수 계산에도 이용할 수 있다.
Kim, Dae Kyoung;Jang, Hae-Gyu;Kim, Yong-Tae;Kim, Hoon-Bae;Chae, Hee-Yeop
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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pp.461-461
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2010
For a low dielectric constant inter-metal dielectric application, the low-k SiCOH film with a dielectric constant of 2.8-3.2 has been deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition with decamethylcyclopentasiloxane, cyclohexane, and helium which is carrier gas. In this work, we investigated chemical deposition rate, dielectric constant, characterization of plasma polymer films according to temperature(25C-200C) of substrate and change of component concentration. We measured impedance by using V-I prove during process. From experimental result, deposition rate decrease with increasing temperature. Through real time impedance analysis of chamber, we find corelation between film thickness and impedance by assuming equivalent circuit.
Electrowetting on dielectric (EWOD) is a unique method of shape control of small-volume droplets in microfluidic biochips that relies on modification of surface wetting characteristics using electrical methods. In this study, the droplet shape control on various dielectric surfaces by the EWOD and the effect of droplets on the contact angle as well as the shape were investigated. The droplet used in the experiment was on a sample substrate with $5{\mu}l$ of de-ionized water (DIW) using a micropipette, and wettability was measured with a contact angle meter. This study is expected to be helpful for the development of various micro-total-analysis-systems (${\mu}TAS$) and microfluidic systems with MEMS technology.
In this paper, the relaxation behavior of the regenerated silk fibroin (SF) films was investigated using dielectric thermal analysis (DETA), and compared with the dynamic mechanical behavior obtained from dynamic mechanical thermal analysis (DMTA), in order to gain a better understanding of the characteristics of dielectric behavior of SF film and identify the differences between the two analyses. Compared to DMTA, DETA exhibited a higher sensitivity on the molecular relaxation behaviors at low temperature ranges that showed a high $\gamma$-relaxation peak intensity without noise. However, it was not effective to examine the relaxation behaviors at high temperatures such as $\alpha-$ and ${\alpha}_c$-relaxations that showed a shoulder peak shape. On the contrary, DMTA provided more information regarding the relaxation behaviors at high temperatures, by exhibiting the changes in width, intensity and temperature shift of the $\alpha$-relaxation peak according to various crystallinities. Conclusively, DETA and DMTA can be utilized in a complementary manner to study the relaxation behavior of SF over a wide temperature range, due to the different sensitivity of each technique at different temperatures.
본 논문에서는 직접결합에 의한 저 위상잡음 유전체 공진기 설계를 위하여, 고유전율의 유전체 공진기와 마이크로스트립선로 사이의 결합계수에 대해 분석하였으며, 고유전율로 인한 Q값의 보완을 위한 병렬궤환 회로 적용한 유전체 공진 발진기의 위상잡음을 분석하였다. 유전체 공진기의 위상잡음 분석과 결합계수의 분석을 통하여 고안정 유전체 공진 발진기를 최적화 설계한 결과 20.25GHz 유전체 공진 발진기의 ${\epsilon}_r$=30인 유전체 공진기를 사용한 경우 결합계수가 약 3.6의 값을 나타낼 때 20.25GHz에서 위상잡음은 -84.3dBc/Hz@1KHz를 나타냄을 확인하였다. 본 연구의 결과로 K-Band 에서도 주파수 체배 방식에 의한 위상잡음 손실을 방지하는 직접결합 설계 방안을 제시하였다.
Kim, Ki-Yup;Ryu, Boo-Hyung;Lee, Chung;Lim, Kee-Joe
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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제3C권2호
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pp.48-54
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2003
To evaluate the radiation degradation of ethylene propylene rubber (EPR), radiation effects on EPR were investigated by using dielectric analysis and thermal-gravimetric analysis. Permittivity, loss factor, tan$\delta$, and thermal decomposition temperature were observed for ${\gamma}$-ray irradiated EPR. As the radiation dose was increased, the peak temperature of the loss factor and tans of EPR were increased and loss factor and tan$\delta$ at peak temperature were decreased. Activation energies were calculated using loss factor and thermal decomposition for ${\gamma}$-ray irradiated EPR as well. The trends of both calculated activation energies showed the same tendencies as radiation dose was increased.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제17권3호
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pp.129-133
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2016
Theoretical and graphical analysis of pull-in-voltage and figure of merit for a fixed-fixed capacitive Micro Electromechanical Systems (MEMS) switch is presented in this paper. MEMS switch consists of a thin electrode called bridge suspended over a central line and both ends of the bridge are fixed at the ground planes of a coplanar waveguide (CPW) structure. A thin layer of dielectric material is deposited between the bridge and centre conductor to avoid stiction and provide low impedance path between the electrodes. When an actuation voltage is applied between the electrodes, the metal bridge acquires pull in effect as it crosses one third of distance between them. In this study, we describe behavior of pull-in voltage and figure of merit (or capacitance ratio) of capacitive MEMS switch for five different dielectric materials. The effects of dielectric thicknesses are also considered to calculate the values of pull-in-voltage and capacitance ratio. This work shows that a reduced pull-in-voltage with increase in capacitance ratio can be achieved by using dielectric material of high dielectric constant above the central line of CPW.
The barium strontium calcium titanate powders were prepared by sol-gel method. Ferroelectric $(Ba_{0.54}Sr_{0.36}Ca_{0.1})TiO_3$(BSCT) thick films were fabricated by the screen-printing method on alumina substrate. And we investigated the structural and dielectric properties of BSCT thick films with the variation of sintering temperature. As a result of thermal analysis, BSCT polycrystalline perovskite phase was formed at around $660^{\circ}C$. The results of X-ray diffraction analysis were showed a cubic perovskite structure without presence of the second phase in all BSCT thick films. The average grain size and the thickness of the specimen sintered at $1450^{\circ}C$ were about 1.6 mm and 45 mm, respectively. The relative dielectric constant increased and the dielectric loss decreased with increasing the sintering temperature, the values of the BSCT thick films sintered at $1450^{\circ}C$ were 5641 and 0.4% at 1kHz, respectively.
For measurements and analysis of dielectric characteristics of planar slabs of microwave absorbing materials, I have applied a free-space method in the frequency range of 8~14 GHz. The measurement system for free-space method consists of transmit and receive antennas, mode transitions, precision coaxal cables, the network analyzer, and a computer Special Spot-focused horn lens antenna was used to eliminate diffraction effects. Diffraction effects at the edges of the sample are minimized by satisfying the condition for minimum transverse dimension of the plate and the beamwidth of the antennas at the focus. The time-domain gating feature of the network analyzer and the thru, reflect, and line(TRL) calibration technique were used to eliminate the effects of undesirable multiple reflections. The complex coefficients of reflection and transmission, $S_{11}$ and $S_{21}$, of planar samples were measured for standard materials such as Teflon, Rexolite$\textregistered$ 2200. The results were compared with existing measurement method. And I applied a free-space method for measurement to measure dielectric constants of some electromagnetic absorbing materials. Dielectric properties for the same samples were also measured with a 7mm coxial transmission line method for purposes of comparison with the free-space method.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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