Green-emitting $ZnGa_2O_4$ : Mn phosphors were synthesized by a thermal method and their low-voltage cathodoluminescent characteristics were examined for the field emitter display (FED) application. Low efficiency of $ZnGa_2O_4$ : Mn phosphors could be ascribed to the low penetration depth of into phosphors, which might results in charge accumulation on the phosphors screen. For increasing cathodoluminescent of $ZnGa_2O_4$ : Mn under low voltage excitation, wide band-gap oxide materials were added to the $ZnGa_2O_4$: Mn powder. It is found that the luminance can be increased by 20%. Measurement of leakage current on the phosphor screen shows that the enhancement of low-voltage cathodoluminescent by additive materials is mainly due to the consumption of surface charges on the phosphor.
The voltage controlled ramp(VCR) waveform has recently been introduced in the reset period prior to addressing for plasma display. However, this method shows the oscillation of gap voltage when the ramp rate is increased in order to reduce reset period. In this paper a current controlled ramp(CCR) waveform method is suggested. This method can suppress the oscillation of gap voltge under the condition of shorter ramp time. Moreover, the reset time can be reduced about 30% compared with VCR method under the same background luminance.
In this paper, the electrical and emission properties of electrodeless fluorescent lamp were discussed using the inductively coupled plasma (ICP) with the variation of argon gas pressure and RF power. The RF output was applied to the antenna in the range of 5∼50 W at 13.56 MHz. The internal plasma voltage of the chamber and the probe current were measured while varying the supply voltage to the Langmuir probe in the range of -100V∼+100V. When the pressure of argon gas was increased, electric current was decreased. There was a significant electric current increase from 10 to 30 W. Also, when the RF power was increased, electron density was increased. Also, the emission spectrum, Ar- I lins, luminance were investigated. At this time, the input parameter for ICP RF plasma, Ar gas pressure and RF power were applied in the range of 10∼60 mTorr, 10∼300 W, respectively. This implies that this method can be used to find an optimal RF power for efficient light illumination in an electrodeless fluorescent lamp.
The internal quantum efficiency of EL devices using fluorescent organic materials is limited within 25% because of the triplet excitons which can hardly emit light. So there has been considerable interest in finding ways to obtain light emission from triplet excitons. One approach has been to add phosphorescent compounds to one of the layers in an EL device. Then triplet excitons can transfer to these phosphorescent molecules and emit light. In this study, multilayer organic light-emitting devices with phosphorescent emitter, tris (2-phenylpyridine)iridium ($Ir(ppy)_3$) were prepared. The device exhibited power luminous efficiency of 1.07 1m/W at the luminance of $61.6\;cd/m^2$ diriven at the voltage of 9 V and current density of $1.9mA/cm^2$. At the luminance of $100\;cd/m^2$, the luminous efficiency was obtained 1.05 lm/W with the voltage of 9.5 V and the corrent density of $2.8\;mA/cm^2$.
청녹색 발광을 하는 분산형 전계 발광 소자의 제작, 전기적 및 광학적 특성에 관하여 검토하였다. 전기적 및 광학적 특성에서 전류와 휘도는 전압과 주파수에 따라 증가하였으며, 휘도는 20㎑, 150V의 구동 조건에서 840㏅/㎡를 보였다. 그리고 그 결과를 등가회로화에 의해서 설명하였다.
We have synthesized poly(3-hexylthiophene)(P3HT), which is the most famous conducting polymer and studied the optical properties of P3HT. And then fabricated the device using P3HT as an emitting layer. For the improve of hole injection from ITO electrode to P3HT emitting layer, we use transparent polyaniline(PANI) electrode. In the voltage-current-luminance characteristics of ITO/PANI/P3HT/LiF/Al device which use the PANI film synthesised during 5 cycle, the device turn on at the 2V and the luminance of $218nW/cm^{2}$ obtained at 12V. External quantum efficiency of ITO/PANI/P3HT/LiF/Al increased at 8V than that of ITO/P3HT/LiF/Al device.
We have synthesized poly(3-hexylthiophene)(P3HT), which is the most famous conducting polymer and studied the optical properties of P3HT. And then fabricated the device using P3HT as an emitting layer. For the improve of hole injection from ITO electrode to P3HT emitting layer, we use transparent polyaniline(PANI) electrode. In the voltage-current-luminance characteristics of ITO/PANI/P3HT/LiF/Al device which use the PANI film synthesised during 5 cycle, the device turn on at the 2V and the luminance of 218 nW/$\textrm{cm}^2$ obtained at 12V. External quantum efficiency of ITO/PANI/P3HT/LiF/Al increased at 8V than that of ITO/P3HT/LiF/Al device.
We have investigated the effect of surface roughness of TCO substrate on the characteristics of OLED (organic light emitting diodes) devices. In order to control the surface roughness of AZO thin films, we have processed photo-lithography and reactive ion etching. The micro-size patterned mask was used, and the etching depth was controlled by changing etching time. The surface morphology of the AZO thin film was observed by FESEM and atomic force microscopy (AFM). And then, organic materials and cathode electrode were sequentially deposited on the AZO thin films. Device structure was AZO/${\alpha}$-NPD/DPVB/$Alq_3$/LiF/Al. The DPVB was used as a blue emitting material. The electrical characteristics such as current density vs. voltage and luminescence vs. voltage of OLED devices were measured by using spectrometer. The current vs. voltage and luminance vs. voltage characteristics were systematically degraded with increasing surface roughness. Furthermore, the retention test clearly presented that the reliability of OLED devices was directly influenced with the surface roughness, which could be interpreted in terms of the concentration of the electric field on the weak and thin organic layers caused by the poor step coverage.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제9권1호
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pp.20-23
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2008
Organic light-emitting diodes (OLEDs) are attractive because of possible application in display with low-operating voltage, low-power consumption, self-emission and capability of multicolor emission by the selection of emissive materials. To investigated the optical effects, we studied the electrical and optical characteristics due to thickness variation of electron injection materials LiF on organic light-emitting diodes in the ITO (indium-tin-oxide)/N,N'-diphenyl-N, N'-bis(3-methyphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine(TPD)/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum $(Alq_3)/LiF$ layer/Al device. We maintained the thicknesses of TPD and $Alq_3$ layers at 40 nm and 60 nm, respectively. The deposition rates of TPD and $Alq_3$ were in the $1.5{\AA}/s$ under a base pressure of $5{\times}10^{-6}$ Torr. It was found that luminance and luminous efficiency of the device with 0.7 nm LiF layer improve 25 times and 7 times than the device without the LiF layer, respectively.
In this work, we report on a new monitoring method for an organic light-emitting diode (OLED) panel for lighting by optical sensing of the wave-guided light in the substrate. Using microlens array films, the wave-guided light was extracted into the edge or back side of the panel to be monitored by a photodiode. The luminance of the extracted light was measured as linearly proportional to the front light. Thus, by converting the extracted light into photo voltage, monitoring the luminance change occurring in the OLED is possible. Based on the results and concepts, we have proposed a photodiode-equipped driving circuit which can generate compensated driving current for uniform luminance of OLED panels.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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