In order to improve static stability and healing of reattached labrum, we combined the advantages of suture bridge and transosseous technique. Using the conventional 3 portal for anterior instability, check stability of bony Bankart and preparation of glenoid bed in 3 way including removal, reshaping or mobilization of bony fragment. Two anchors were inserted to the superior and inferior portion and medial edge of bony Bankart lesion. It usually corresponded to the area of IGHL. Medial mattress sutures were applied around IGHL complex to get enough depth of glenoid coverage using suture hook. Make 3.5mm pushlock anchor hole to the articular edge of glenoid cartilage. Proximal suture bridge was applied at first and then distal suture bridge was inserted to mobilize the labrum in proximal direction. These construction can provide more stable labral repair with wide contact and compression in case of deficient bony stability. It not only avoids technical disadvantage of point contact with anchor fixation, but also decreasing gap formation through cross compression of labrum that couldn't gain even with the transosseous fixation which affords linear compression effect. Additional bony stability could be gained if the the bony fragment was mobilized to the glenoid margin with potential healing bed or reshaped for the good contact with reattached labrum.
We investigate the junction between CdZnTe and a variety of metals with the aim of determining whether the choice of metal can improve the performance of X-ray image detectors, in particular minimizing the dark current. The samples consist of $5{\mu}m$ thick CdZnTe with top electrodes formed from In, Al, and Au. For each metal, current transients following application of valtages from -10V to 10V are measured for up to 1 hour. We find that dark currents depending on the metal used. The current is controlled by hole injection at the metal-CdZnTe junction and there is consistent trend with the metal's work function possibly and it seems that metal to CdZnTe layer junction is ohmic contact.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제17권2호
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pp.104-108
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2016
To research the correlation between oxygen vacancy and the electrical characteristics of ZTO, which is made by using a target mixed ZnO:SnO2=1:1, the ZnO, SnO2 and ZTO were analyzed by PL, XPS, XRD patterns and electrical properties. It was compared with the electron orbital spectra of O 1s in accordance with the electrical characteristics of ZnO, SnO2 and ZTO. The electrical characteristics of ZTO were improved by increasing the annealing temperatures, due to the high degree of crystal structures at a high temperature, and the physical properties of ZTO was similar to that of ZnO. The amorphous structure of SnO2 was increased with increasing the temperature. The Schottky contact of oxide semiconductors was formed using the depletion region, which is increased by the electron-hole combination due to the annealing processes. ZnO showed the Ohmic contact in spite of a high annealing temperature, but SnO2 and ZTO had Schottky contact. As such, it was confirmed that the electrical properties of ZTO are affected by the molecules of SnO2.
By using an experimental approach recently developed to determine the torque-tension relationship for bearing frictional characteristics of several typical bolted joints were studied. The experimental approach allows the direct determination of the bearing friction between the nut and its bearing surface. Detailed friction studies were made on the influences of the size and shape of the hole, the use of a slot in a bolted joint, contact area and position, and other factors such as turning speed, coating, and the use of wax on the bearing surface. The contact area and position of the washer have a marginal effect on the bearing friction. The organic coating on the nuts reduces the bearing friction significantly. Nuts with organic coating over a washer with zinc finish provide the smallest and the most consistent bearing friction. The results from the experimental investigation will be helpful for the better design of bolted joints bearing friction. The results from the experimental investigation Will be helpful for the better design of bolted joints.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제18권4호
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pp.225-228
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2017
In this study, zinc tin oxide (ZTO) films were prepared on indium tin oxide (ITO) glasses and annealed at different temperatures under vacuum to investigate the correlation between the Ohmic/Schottky contacts, electrical properties, and bonding structures with respect to the annealing temperatures. The ZTO film annealed at $150^{\circ}C$ exhibited an amorphous structure because of the electron-hole recombination effect, and the current of the ZTO film annealed at $150^{\circ}C$ was less than that of the other films because of the potential barrier effect at the Schottky contact. The drift current as charge carriers was similar to the leakage current in a transparent thin-film device, but the diffusion current related to the Schottky barrier leads to the decrease in the leakage current. The direction of the diffusion current was opposite to that of the drift current resulting in a two-fold enhancement of the cut-off effect of leakage drift current due to the diffusion current, and improved performance of the device with the Schottky barrier. Hence, the thin film with an amorphous structure easily becomes a Schottky contact.
Since electric connectors such as power connectors have a small assembly tolerance and have a complex shape, the assembly process is performed manually by workers. Especially, it is difficult to overcome the assembly error, and the assembly takes a long time due to the error correction process, which makes it difficult to automate the assembly task. To deal with this problem, a reinforcement learning-based assembly strategy using contact states was proposed to quickly perform the assembly process in an unstructured environment. This method learns to generate a search trajectory to quickly find a hole based on the contact state obtained from the force/torque data. It can also learn the stiffness needed to avoid excessive contact forces during assembly. To verify this proposed method, power connector assembly process was performed 200 times, and it was shown to have an assembly success rate of 100% in a translation error within ±4 mm and a rotation error within ±3.5°. Furthermore, it was verified that the assembly time was about 2.3 sec, including the search time of about 1 sec, which is faster than the previous methods.
RF 및 고속 아날로그 특성 및 제조 공정의 용이성에 의하여 고속 유무선통신 및 초고주파 분야에서 많이 이용되고 있는 SiGe 집적회로에서, SiGe 박막 저항기의편차를 줄여 집적회로의 신뢰성을 높이는 것이 중요하다. 본 논문에서는 실리콘계 박막 저항기 제조 후 발생하는 불균일한 저항 값 분포의 원인 규명과 그 해결 방안에 대하여 고찰한다. SiGe 박막 저항기의 실리사이드가 존재하는 컨택 영역에서 Ti-B석출물의 영향으로 인하여 저항 값의 불균일성 발생하는데, 이를 최소화하기 위하여는 가능한 최대의 boron 이온을 주입할 필요가 있다. SiGe 저항기와 금속을 배선하기 위한 컨택 홀의 크기가 작을수록 SiGe 층 내에서 돌출부가 컨택 홀의 전체면적을 차지하게 될 확률이 커지게 되어 접촉저항이 비정상적으로 커질 확률 또한 높아지게 되므로, 돌출부가 생성되는 SiGe 저항기의 경우는 컨택 홀의 면적을 크게하여 SiGe 저항기의 편차를 개선하였다.
콘택 홀 패턴의 미세화가 HF 용액의 침투에 미치는 영향을 파악하고자, 미세 채널 패턴에서의 산화막 습식 식각 특성을 조사하였다. LPCVD로 증착된 산화막을 두께 0.1~1$\mu\textrm{m}$, 선폭 0.1~20$\mu\textrm{m}$, 그리고 초기 깊이 ~1.2$\mu\textrm{m}$ 범위의 질화막으로 둘러 쌓인 미세 채널 패터으로 제작한 후, HF용액에 의한 산화막의 식각속도를 관찰하였다. 실험 결과로써, 크기가 $0.1 \times 0.1 \mu \textrm{m}^{2} 초기 깊이가 1.2$\mu\textrm{m}$인 고종횡비(~12)의 초미세 패턴에서도 식각 속도가 일정함을 볼 수 있어서, 콘택 홀 패턴의 미세화에 관계없이 반응액의 침투가 원활하게 이루어짐을 알 수 있었다.
후면의 석영면에 위상 패턴을 형성하여 투과율 조절을 구현한 포토마스크에 대해 보고한다. 위상 패턴의 크기와 패턴 조밀도에 따른 조명 동공의 형태 변화에 관한 이론적 결과와 투과율 조절 포토마스크를 사용한 웨이퍼 상 CD(critical dimension) 균일도 개선에 관한 실험적 결과에 대해 기술한다. 투과율 조절을 위한 위상 패턴은 패턴이 형성되지 않은 영역에 대해 180$^{\circ}$의 상대적 위상을 갖도록 석영면을 식각한 콘택홀 형태의 패턴을 사용하였다. 콘택홀 패턴의 크기가 작을수록 본래의 조명동공 형태를 유지하게 되며, 동일한 패턴 조밀도에서 더욱 큰 노광 광세기 저하가 일어남을 알 수 있었다. 패턴 조밀도를 위치별로 변화시켜 CD균일도 개선에 적합한 투과율 분포를 포토마스크 후면에 형성하였다. 투과율 조절 포토마스크를 140nm 디자인 롤을 갖고 있는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)의 한 주요 레이어에 적용하여 CD 균일도를 3$\sigma$값으로 24.0nm에서 10.7nm 로 개선할 수 있었다.
이 논문에서는 탄소/탄소 브레이크 제동중 시스템의 거동을 열탄성 해석을 수행하여 살펴보았고. 파손에 안정적인 디스크의 형상을 찾기 위하여 다양한 형상에 대한 3차원 응력해석을 수행하였다. 탄소/탄소 복합재료의 기계적 물성치가 적층면방향과 두께방향으로 측정되었다. 측정긴 기계적 물성치는 열탄성 해석과 3차원 응력해석을 위한 입력으로 사용 되었다. 로터 클립과 클립 리테이너 사이의 간격은 회전판의 하중전달 미케니즘에 있어서 중요만 인자이다. 간격변화는 기계적 변형과 열 변형으로 분리하여 고려하였다. 클립과 리테이터는 서로 접촉이 발생하지 않았으므로 해석 모델에서 리테이너와 리벳은 제외되었다. 로터 디스크는 반복대칭조건을 사용하여 모델링되었고, 로터 디스크와 로터 클립, 로터 클립과 키 드럼사이의 2중 접촉문제가 고려되었다. 3차인 응력해석의 결과로부터 브레이크 디스크의 키 홀 부분에 응력집중현상이 발생하는 것을 확인하였다. 응력분포는 키 홀 부분에서 접촉면의 회전각과 곡률반경의 변화에 따라 연구 되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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