• 대한기계학회논문집A
• /
• 제30권7호
• /
• pp.833-840
• /
• 2006

The paper presents a numerical solution to the problem of a hot rigid indenter sliding over a thermoelastic Winkler foundation with a thermal contact resistance at constant speed. It is shown analytically that no steady-state solution can exist for sufficiently high temperature or sufficiently small normal load or speed, regardless of the thermal contact resistance. However the steady state solution may exist in the same situation if the thermal contact resistance is considered. This means that the effect of the large values of temperature difference and small value of force or velocity which occur at no steady state can be lessened due to the thermal contact resistance. When there is no steady state, the predicted transient behavior involves regions of transient stationary contact interspersed with regions of separation regardless of the thermal contact resistance. Initially, the system typically exhibits a small number of relatively large contact and separation regions, but after the initial transient, the trailing edge of the contact area is only established and the leading edge loses contact, reducing the total extent of contact considerably. As time progresses, larger and larger numbers of small contact areas are established, unlit eventually the accuracy of the algorithm is limited by the discretization used.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제21권10호
• /
• pp.1827-1832
• /
• 2017

본 연구는 산화물반도체의 저항을 이용한 메모리소자를 만들기 위해서 $V_2O_5$ 를 산소가스를 이용하여 증착하고 열처리를 하였다. 산소의 유량이 많을수록 산소공공의 형성을 위하여 높은 열처리온도가 필요하였으며, 산소공공은 쇼키접합을 형성하면서 전기적인 특성이 저항성 메모리소자에 적합한 구조로 만들어지고 있었다. $V_2O_5$ 박막은 열에 의한 이온화 반응에 의하여 산소공공이 형성되었으며, 전압 혹은 전류제어 가능한 저항성 메모리 소자를 위하여 쇼키접합이 +전압과 -전압에서 균형있게 이루어지는 것이 요구되며, 쇼키접합은 150도 혹은 200도에서 열처리가 이루어진 경우 쇼키접합이 잘 형성되는 것을 확인할 수 있었다. $V_2O_5$ 음이온인 산소공공은 역방향전압 혹은 순방향 전압인지에 따라서 저항이 변하면서 쓰기/지우기 상태로 전기적인 동작이 이루어졌으며 저항성메모리로서 구동을 하는 것을 확인하였다.

• 한국진공학회지
• /
• 제10권3호
• /
• pp.368-373
• /
• 2001

N형 InGaAs에 대한 Pd/Si/Ti/Pt 오믹 접촉 특성을 조사하였다. 증착 상태에서는 접촉 비저항을 측정할 수 없을 정도의 비오믹 특성을 보였으며, $375^{\circ}C$에서 10초 동안 열처리한 경우 $5\times10^{-3}\Omega\textrm{cm}^2$의 높은 접촉 비저항을 나타내었다. 그러나 열처리 시간을 60초로 연장할 경우 접촉 비저항이 $1.7\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$로 급격히 감소하였고, 열처리 조건을 $425^{\circ}C$, 10초로 변화시킬 경우 $2\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$의 접촉 비저항을 나타내었다. 또한 $450^{\circ}C$까지도 오믹 재료와 InGaAs의 평활한 계면을 유지하면서 우수한 오믹 특성을 나타내어, 화합물 반도체 소자의 오믹 접촉으로 충분히 응용가능하다.

• 한국초전도저온공학회:학술대회논문집
• /
• 한국초전도저온공학회 2002년도 학술대회 논문집
• /
• pp.163-164
• /
• 2002

We have measured the I-V characteristics and contact resistance of jointed BSSCO tape in the superconducting state. Electrical joint was made by various type of solder. Estimated critical current was about 30 Amp, and the contact resistance of the joint was about 350 nOhm.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1997년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.338-341
• /
• 1997

According to reports, it is impossible to make Ohmic Contact with high resistivity p type CdTe or CdZnTe semiconductor theoretically. But it is in need of making Ohmic Contact to fabricate semiconductor radiation detector By electroless deposition method using gold chloride solution, we made Ohmic Contact of Au and p-Cd$_{80}$Zn$_{20}$Te which grown by High Presure Bridgman Method in Aurora Technologies Corporation. We investigated the interface with Rutherford Backscattering Spectrometry and Auger electron spectroscopy. And we evaluated the degree of Ohmic Contact for the Au/CdZnTe interface by the I/V characteristic curve. As a result, we concluded that it showed excellent Ohmic Contact property by tunneling mechanism through the interface.e.

• 대한기계학회:학술대회논문집
• /
• 대한기계학회 2000년도 추계학술대회논문집B
• /
• pp.291-296
• /
• 2000

Usually the contact between fin collar and tube surface for fin-tube heat exchanger is secured by mechanical expansion of the tubes. The objective of the present study is to develop a method of measuring the thermal contact resistance between fin collar and tube surface for fin-tube heat exchanger. Also an experimental work has been performed to evaluate the thermal contact resistance, and a rigorous numerical analysis has been employed to calculate the contact resistance from the measured data. The experiments have been conducted fur the fin-tube heat exchangers with the tube of outer diameters 7 and 9.52 mm.

• 대한기계학회:학술대회논문집
• /
• 대한기계학회 2008년도 추계학술대회B
• /
• pp.2357-2362
• /
• 2008

LHP is different from a conventional heat pipes in design and heat and fluid flow passages. The situations of the former is much complex than the latter. In LHPs, evaporation occurs at the contact interface between the heating plate and the porous wick, so some micro channels machined at the contact interface serve to let the vapor flow out of the evaporator. This complexity of contact geometry was known to cause a high resistance to heat flow. The present work was to study the problem of heat passage across the contact surface for LHPs and determine those values contact resistance. For two cases of contact structures, the thermal contact resistances were examined experimentally, one being obtained through mechanical contact under pressure and the other through sintered bonding. Nickel powder wick and copper plate were used for specimens. The result showed that a substantial reduction of contact resistance of an order of degree could be obtainable by sintered bonding.

• 설비공학논문집
• /
• 제3권4호
• /
• pp.256-262
• /
• 1991

The corrosion effects on thermal contact resistance were experimentally studied for a given contact interface of a couple of metals. 2 cylindrically shaped test pieces, the one was carbon steel whose surface was machined by lathe and the other was stainless steel, ground, were come into contact under pressure, and then submerged to $HNO_3$ gas environment. While the corrosion process was going on, the thermal contact resistance was measured with time. The experiment was performed for 2 cases; 1) Highly compress the test pieces and then bring them to $HNO_3$ gas environment. 2) Anteriorly corrode the interface under low contact pressure and then increase the contact pressure. The results were as follows; In 1st. case of experiment, the thermal contact resistance seemed to be very stable, and showed low values with a tendancy of small decrease with time. But in 2nd. case the resistance was unstable and jumped to a value of 200-250% more then that expected for uncontaminated interface. More over it demonstrated some increase with time.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
• /
• 제15권6호
• /
• pp.231-238
• /
• 2015

본 연구는 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 ITO glass 위에 N-Type과 P-Type 박막을 증착하여 증착조건에 따른 면저항 특성을 확인하였다. N-Type의 I-V특성은 RF Power가 150 W 일 때 전류의 값이 가장 높은 것으로 나타났고, 15분을 증착하였을 때 기울기가 일정하게 나타나면서 Ohmic contact이 잘 이루어지는 것을 확인 할 수 있었다. 기판온도와 RF Power 및 증착시간이 증가함에 따라 면저항이 증가하는 것으로 나타났고, 면저항이 작은 값일수록 I-V 특성이 잘 나타났다. P-Type 에서도 N-Type과 비슷한 양상을 보이는데, RF Power가 150 W일때 전류가 가장 높은 것으로 나타났고, 20분을 증착하였을 때 Ohmic contact이 잘 이루어지는 것을 확인 할 수 있었다. 면 저항 또한 N-Type과 비슷하게 RF Power와 증착시간이 증가함에 따라 면저항이 증가하는 것을 확인 할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.122.2-122.2
• /
• 2015

n-type 실리콘은 p-type과 비교하여 더 높은 소수캐리어 lifetime 으로 금속 불순물에 대하여 더 좋은 내성을 갖는다. 고효율 실리콘 태양전지를 위하여 p-type 웨이퍼를 n-type으로 교체하여 빛을 조사했을 때, 광전자들이 형성되어 p-type과 비교하여 더 좋은 lifetime 안정성을 갖는다. n-type 태양전지의 전면 전극은 AgAl paste로 형성하였다. AgAl 페이스트는 소성 온도와 밀접하게 관련되어 전극의 접합 깊이에 영향을 미친다. p+ emitter 층에 파고드는 금속 접촉의 최적화된 깊이는 접촉 저항에 영향을 미치는 중요한 요소이다. 본 연구에서는 소성 조건을 변화시킴으로써, 금속 깊이의 효과적인 형성을 위한 소성 조건을 최적화하였다. $670^{\circ}C$ 이하의 온도에서 소성을 진행 하였을 때, 충분한 접촉 깊이를 형성하지 못하여 높은 접촉저항을 갖는다. 소성 온도가 증가함에 따라, 접촉 저항은 감소하였다. 최적 소성 온도 $865^{\circ}C$에서 측정된 접촉저항은 $5.99mWcm^2$이다. $900^{\circ}C$ 이상에서 contact junction은 emitter를 통과하여 실리콘과 결합하였다. 그 결과로 접촉저항 shunt가 발생한다.