JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제16권5호
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pp.664-674
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2016
The electrical properties of Ti/p-type InP Schottky diodes with and without polyaniline (PANI) interlayer was investigated using current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements. The barrier height of Ti/p-type InP Schottky diode with PANI interlayer was higher than that of the conventional Ti/p-type InP Schottky diode, implying that the organic interlayer influenced the space-charge region of the Ti/p-type InP Schottky junction. At higher voltages, the current transport was dominated by the trap free space-charge-limited current and trap-filled space-charge-limited current in Ti/p-type InP Schottky diode without and with PANI interlayer, respectively. The domination of trap filled space-charge-limited current in Ti/p-type InP Schottky diode with PANI interlayer could be associated with the traps originated from structural defects prevailing in organic PANI interlayer.
The indigoid-type dyes based on isatin $\alpha-chloride$ were synthesized and the dyes were discussed with relevance to the "H-chromophore" or "cross-conjugated chromophore". The color-changed properties of the dyes were also investigated by means of visible absorption spectra. The novel dyes from isatin $\alpha-chloride$ are of theoretical interest and such dyes can be used as continuous pH indicators in acid/base titrimetric analyses.
본 연구에서는 양이온, 중심원소, 배위원소가 치환된 Keggin 형 및 Wells-Dawson 형 헤테로폴리산 촉매의 NDR(negative differential resistance) 거동을 STM(scanning tunneling microscopy)을 이용하여 살펴보았다. 헤테로폴리산 촉매의 NDR 전압과 산화환원능력 사이에는 일정한 상관관계가 있었다. 촉매의 구조적 차이에 상관없이 산화환원능력이 높은 헤테로폴리산 촉매는 보다 낮은 음전압에서 NDR 거동을 나타내었다. 이처럼 NDR 전압은 촉매의 산화환원능력을 대변하는 하나의 correlating parameter로 활용될 수 있었다.
Nanoporous-layer-covered TiO2 nanotube arrays (Type II TNTs) were fabricated by two-step electrochemical anodization. For comparison, conventional TiO2 nanotube arrays (Type I TNTs) were also prepared by one-step electrochemical anodization. Types I and II TNTs were detached by selective etching and then transferred successfully to a transparent F-doped SnO2 (FTO) substrate by a sol-gel process. Both FTO/Types I and II TNTs allowed front side illumination to exhibit incident photon-to-current efficiencies (IPCEs) in the long wavelength region of 300 to 750 nm without the absorption of light by the iodine-containing electrolyte. The Type II TNT exhibited longer electron lifetime and faster charge transfer than the Type I TNT because of its relatively fewer defect states. These beneficial effects lead to a high overall energy conversion efficiency (5.32 %) of the resulting dye-sensitized solar cell.
To improve concrete quality one of the most widely used chemical admixtures is polycarboxylate type superplasticizer. Unlike lignosulfonate and naphthalene-sulfonate, it has high dispersion property and excellent sustainable dispersion property for cement and concrete. Thus, polycarboxylate type superplasticizer has been widely used as a high-performance water reducing admixture together with silica fume in high-performance concrete and other applications for the dispersion of high-strength concrete over 100 MPa. However, even though there have been many studied on the dispersion of concrete by the structure of polycarboxylate type superplasticizer, there have a few studied that clarified the relationships between its rheological properties and microstructure properties in the early hydration behavior of ordinary portland cement. To investigate the correlations between the rheological properties and microstructure of cementitious materials with polycarboxylate type superplasticizer, this study experimented on the rheology, pore structure, heat evolution, and consistency in early hydration as well as on the compressive strength by early dispersion characteristics.
Well-resolved vibronic emission spectra were recorded in the visible region from the corona discharge of precursor alkylbenzenes in a technique of corona excited supersonic expansion using a pinhole-type glass nozzle. From the observed spectra, we found the evidence of the presence of benzyl-type radicals generated by dissociation of C-C or C-H bonds of alkyl group. After identification of benzyl-type radicals formed in the corona discharge, we suggest that energy densities in alkyl chain play a crucial role in determining the bond dissociation during corona excitation.
Orthogonalized Slater-type orbitals and Ortho-normalized Slater-type orbitals were derived from the conventional Slater-type orbitals (STO's) by use of the continuous orthonormalizing which is expanded from the Schmidt's orthogonalizing procedure. These orbitals have the merits which STO's have not, such as; they are ortho-normalized each other and have the same numbers of the radial nodes that the real hydrogenlike wave functions do, so that they must be a good basis functions of LCAO MO procedures, i.e., the best approximate representation of SCF method.
IMO에서 규제중인 선박평형수의 처리기술은 현재 대부분 화학적 처리법 및 전기적인 처리방법을 주로 이용하고 있는데 이러한 방법들은 2차오염의 위험을 가지고 있으며 이를 방지하기 위하여 추가적인 장치가 필요하다. 본 연구에서는 전단력을 활용한 물리적인 방법을 이용하여 2차 오염 없이 선박평형수를 처리하는 방법을 연구하였다. 균일장치의 원리를 이용하여 전단응력으로 균을 파쇄시키는 원리인데, 내부 실린더와 외부 실린더의 표면이 매끄러운 경우에는 미끄럼 현상이 나타나 효율적인 살균효과를 얻기가 어려워서 전단응력의 크기를 변화시키는 다양한 요인 가운데 표면의 모양을 다르게 하여 두 가지 type의 장치에 대한 살균 성능을 비교하였다. 기본 장치는 cylinder type이나, 내부 실린더와 외부 실린더에 일정 간격과 깊이로 홈을 파낸 groove type과 멸균성능을 비교하였다. 그 결과 미끄럼을 방지한 groove type에서 cylinder type보다 우수한 결과를 나타내었다.
As the demand for p-type semiconductors increases, much effort is being put into developing new p-type materials. This demand has led to the development of novel new p-type semiconductors that go beyond existing p-type semiconductors. Copper iodide (CuI) has recently received much attention due to its wide band gap, excellent optical and electrical properties, and low temperature synthesis. However, there are limits to its use as a semiconductor material for thin film transistor devices due to the uncontrolled generation of copper vacancies and excessive hole doping. In this work, p-type CuI semiconductors were fabricated using the chemical vapor deposition (CVD) process for thin-film transistor (TFT) applications. The vacuum process has advantages over conventional solution processes, including conformal coating, large area uniformity, easy thickness control and so on. CuI thin films were fabricated at various deposition temperatures from 150 to 250 ℃ The surface roughness root mean square (RMS) value, which is related to carrier transport, decreases with increasing deposition temperature. Hall effect measurements showed that all fabricated CuI films had p-type behavior and that the Hall mobility decreased with increasing deposition temperature. The CuI TFTs showed no clear on/off because of the high concentration of carriers. By adopting a Zn capping layer, carrier concentrations decreased, leading to clear on and off behavior. Finally, stability tests of the PBS and NBS showed a threshold voltage shift within ±1 V.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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