• 한국식품조리과학회지
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• 제19권1호
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• pp.24-33
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• 2003

The purpose of the study was to investigate the HACCP systems of contract foodservice establishments by surveying HACCP plans and prerequisite programs from the twelve HACCP-implemented contract foodservice establishments appointed by KFDA. All the subjects (100%) appeared to develop HACCP plans with their own hazard analysis. Except the two giving no response, it turned out that two establishments had 2 CCPs (20%), four had 4∼5 CCPs (40%) and another four had 9 CCPs (40%). Especially, 'cleaning and sanitizing of raw vegetables and fruits (90%)' and 'cooking (temperature) (100%)' were monitored as CCPs by all the subjects. Only one subject (8.3%) answered that continuous monitoring was not conducted. But the verification, record keeping and internal audits were maintained by all the subjects (100%). Most of the surveyed foodservice establishments maintained various prerequisite programs enough to back up HACCP system.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.399-399
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• 2010

Polyethylene glycol(PEG)은 강력한 단백질 및 세포흡착 억제력을 가지고 있어 다양한 생물학적 연구에 사용되고 있으나, 기판과의 결합력이 무척 약해 기판 위에 박막을 형성하기가 매우 어렵다는 문제점이 있다. 이번 연구에서는 capacitively-coupled plasma chemical vapor deposition(CCP-CVD)를 이용하여 PEG를 유리 기판 위에 플라즈마 중합하여 plasma-polymerized PEG(PP-PEG) 기판을 만들었다. PP-PEG 박막은 FT-IR, XPS, ToF-SIMS 분석을 통하여 PEG와 매우 유사한 화학적 조성을 가지고 있음을 확인할 수 있었다. 또한 PP-PEG 기판은 photolithography 방법을 이용하여 표면에 photoresist를 패턴한 뒤 아민작용기를 가지는 plasma-polymerized ethylenediamine (PPEDA)를 증착하여 표면이 amine/PEG로 패턴화된 박막 기판을 만들었다. 패턴된 기판에 단백질 및 세포를 고정화하였을 때, 아민 작용기가 노출된 부분에만 고정화가 나타나고 PP-PEG 영역에는 단백질 및 세포의 흡착이 효율적으로 억제되는 것을 형광측정 및 ToF-SIMS chemical imaging 방법을 이용하여 확인하였다. 이러한 바이오칩 제작기술은 단백질 및 세포 칩을 포함한 여러 분야에서 폭넓게 응용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.87-88
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• 2007

나노 다결정 실리콘 박막 증착을 하기 위해서 현재 정전결합플라즈마(CCP, Capacitively Coupled Plasma)를 이용한 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정에 관한 여구가 활발히 이루어지고 있다. 유도결합플라즈마는(ICP, Inductively Coupled Plasma) 정전결합플라즈마보다 플라즈마 밀도가 높고 파워전달 효율이 좋은 것으로 알려져 있으나 대면적가 어려워 기판이 큰 TFT-LCD로는 많이 연구되고 있지 않다. 본 연구는 유도결합플라즈마를 위해 내장형 multiple U-type 선형 안테나를 이용하여 나노 다결정 실리콘 박막을 증착하여 그 특성을 분석하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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• pp.220-220
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• 2012

저밀도 알곤 유도결합플라즈마(Ar-ICP) 를 적용한 그래핀 클리닝 연구를 보고한다. 알곤 축전결합플라즈마(Ar-CCP)는 높은 이온포격에너지 (수백 eV) 로 인하여 그래핀의 C-C $sp_2$ bonding을 쉽게 파괴하고 defect을 형성시킨다. 그러나 저밀도 ($n_i$ < $5{\times}10^8cm^{-3}$) Ar-ICP 에 노출된 그래핀은 낮은 이온포격에너지, 이온밀도로 인하여 defect 이 형성되지 않고 residue 제거가 가능하였다. Graphene 이 집적된 back-gated field effect transistor (G-FET) 가 저밀도 Ar-ICP 에 노출될 경우 resist residue 제거로 인하여 $V_{dirac}$ 이 0 V 방향으로 이동하고 mobility 가 증가하는 것을 확인하였다.

• Journal of Nutrition and Health
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• 제41권8호
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• pp.870-886
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• 2008

본 연구는 학교급식 조리종사자들의 HACCP 관련 지식과 수행도에 대한 분석을 통하여 현재 학교급식에서 HACCP의 적용 실태를 파악하고, 조리종사자에게 필요한 교육 내용 및 방법을 규명하여 향후 학교급식에서 보다 체계적인 HACCP 시스템이 실행될 수 있는 방안을 모색하기 위한 기초 자료를 제공하고자 시도되었다. 영양사의 연령은 30대가 60.8%로 절반 이상을 차지하였고, 경력은 10${\sim}$15년 미만이 31.9%, 학력에 있어서는 4년제 대학 졸업자가 60.4%로 나타났는데, 이는 영양교사화로 인하여 전문학사 자격소지 영양사들이 방송통신대학 및 4년제 대학교의 편입을 통하여 학사자격을 취득하였기 때문인 것으로 분석된다. 고용상태는 정규직영양사가 62.6%로 나타났고 근무학교는 초등학교가 50.5%로 절반을 차지하였으며, 급식유형은 도시형이 59.3%이고, 급식관리 방식은 단독관리가 80.2%로 나타났다. 조리종사자의 연령은 만 41${\sim}$50세가 60.7%, 근무기간은 5${\sim}$10년 미만 (34.2%), 학력은 고졸 (77.2%), 고용상태는 비정규직 조리사 (42.2%)가 가장 많았고, 조리종사자의 53.3%가 자격증을 소지하고 있었다. 위생교육 실시횟수는 주 1회 이상 (48.4%)이, 교육방법은 구두교육 (40.7%)의 비율이 가장 높았고, 위생교육에서 HACCP이 차지하는 비중은‘많이 포함된다’가 53.8%로 나타났다. 조리종사자의 대부분 (98.1%)이‘위생교육 경험이 있다’고 응답하였고 HACCP 이해정도에 있어서는‘잘 이해한다’가 47.0%로 나타났으며 HACCP 관련 교육현황에서 모든 항목에 대하여 92% 이상의 높은 교육 실시율을 보였다. 조리종사자의 HACCP 지식수준은 평균 84.2점 (100점 만점)으로 나타나 보통 이상의 수준인 것으로 나타났으며 급식유형 (p < .001), 근무기간 (p < .05), 학력 (p < .01), 고용상태 (p < .001), 자격증 유무 (p < .001), 학교별 (p < .01)에 따라 유의한 차이를 보였다. 또한 영양사의 교육 실시 횟수가 많을수록 (p < .01), 조리종사자가 교육 경험이 있고 (p < .01), 교육 경험횟수가 많을 경우 (p < .05), HACCP에 대하여‘매우 잘 이해한다’고 응답한 경우 (p < .05)에 지식 수준이 유의적으로 높았다. 조리종사자의 HACCP 수행도는 평균 4.40점 (5점 만점)으로 잘하고 있는 것으로 나타났고, 영양사의 조리종사자의 HACCP 수행도에 대한 인지도 평균은 4.13점으로‘잘한다(4점)’에 근접한 것으로 조사되어, 영양사의 인지도가 유의적으로 낮았다 (p < .001). 조사대상자의 수행도는 급식유형 (p < .05), 고용상태 (p < .05), 자격증유무 (p < .01), 학교별 (p < .01)에 따라 유의한 차이를 보였다. 위생교육 실시횟수가 증가할수록 (p < .01), 교육방법에서 실연교육인 경우 (p < .05)에 수행도가 유의적으로 높았고, 조리종사자가 교육 경험이 있고 (p < .01), HACCP에 대하여‘매우 잘 이해한다’고 응답한 경우(p < .001) 유의적으로 높은 수행도를 보여주었다. 이러한 결과를 토대로 살펴볼 때, 학교급식에서 위생교육을 실시하는 영양사의 인지도와 교육받은 내용을 실천에 옮겨야 하는 조리종사자의 실제 수행도간의 차이를 올바르게 인식하여 효과적인 HACCP 교육매체 개발 및 교육방법의 활용, 조리종사자의 수준 등을 고려한 체계적인 교육실시를 통한 위생관리가 이루어져야 할 것으로 사료된다.

• 한국잡초학회지
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• 제15권2호
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• pp.166-174
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• 1995

한지형(寒地型) 잔디의 하고원인(夏枯原因)을 탐색(探索)하기 위하여 난지형(暖地型)잔디 7종(種) 9품종(品種)과 한지형(寒地型)잔디 5종(種) 28품종(品種)에 관해 광합성(光合成), 광호흡(光呼吸) 및 암호흡(暗呼吸)의 온도변화(溫度變化)에 따른 반응(反應)을 조사(調査)한 결과(結果)를 요약(要約)하면 다음과 같다. 1. 생체중당(生體重當) 외견상(外見上) 광합성(光合成) 속도(速度)의 평균치(平均値)는 난지형(暖地型) 잔디가 13.09 mg $CO_2$/g/h, 한지형(寒地型) 잔디가 7.75 mg $CO_2$/g/h로 난지형(暖地型)이 2배(倍) 정도(程度) 높았으나, 한지형(寒地型) 잔디중에서도 Creeping bentgrass는 난지형(暖地型)의 kikuyugras나 Bahiagrass보다 높았다. 2. 외견상(外見上) 광합성(光合成) 속도(速度)와 온도(溫度)와의 관계(關係)를 보면 난지형(暖地型) 잔디는 $30^{\circ}C$, 한지형(寒地型)잔디는 $25^{\circ}C$에서 가장 높은 값을 나타내었다. 3. 광호흡속도(光呼吸速度)의 지표(指標)가 되는 $CO_2$ 보상점(補償点)의 평균치(平均値)는 난지형(暖地型)잔디에서 29.5 ppm, 한지형(寒地型)은 75.6 ppm이었는데, 난지형(暖地型) 잔디의 경우 온도(溫度)가 $25^{\circ}C$에서 $40^{\circ}C$까지 상승(上昇)하여도 크게 증가(增加)하지 않았으나, 한지형(寒地型)잔디는 온도(溫度)의 상승(上昇)에 따라 $CO_2$ 보상점(補償点)의 증가(增加)가 현저(顯著)하였으며, $25^{\circ}C$에서 $40^{\circ}C$ 범위(範圍)까지 온도(溫度)가 상승(上昇)하면 평균(平均) 50% 이상(以上) 높아졌다. 4. 암호흡속도(暗呼吸速度)는 온도(溫度)가 상승(上昇)함에 따라 높아졌으며, 어떤 온도조건하(溫度條件下)에서도 한지형(寒地型) 잔디가 난지형(暖地型) 잔디에 비하여 높았으나 온도상승(溫度上昇)에 따른 암호흡속도(暗呼吸速度)의 증가율(增加率)은 양자간(兩者間)에 차(差)가 없었다. 5. 다른 온도조건하(溫度條件下)에서 $CO_2$의 수지(收支)를 외견상(外見上) 광합성속도(光合成速度)와 암호흡속도(暗呼吸速度)를 기초(基礎)로 해서 구해 보면 난지형(暖地型)과 한지형(寒地型)모두 온도(溫度)의 상승(上昇)에 따라 $CO_2$의 수지(收支)는 낮아지는 경향(傾向)이었지만, 그 정도(程度)는 한지형(寒地型) 잔디가 난지형(暖地型) 잔디에 비하여 훨씬 컸다.

• 멤브레인
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• 제28권6호
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• pp.432-443
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• 2018

본 연구에서는 Na형 Faujasite 제올라이트 분리막의 프로필렌/프로페인 분리 거동을 예측하기 위하여 제올라이트 13X 입자의 프로필렌 및 프로페인 단일기체에 대한 중량식흡착 거동을 관찰하고자 하였다. 제올라이트 13X 입자의 프로필렌 및 프로페인에 대한 중량식흡착 거동은 자성부유평형저울(MSB)을 이용하여 323, 343, 363 K의 온도와 0.02-1 bar의 압력 범위에서 0.1 bar씩 증가시키면서 측정되었다. 그 결과, 온도가 증가할수록 프로필렌 및 프로페인의 흡착량은 감소하였으며, 프로필렌/프로페인의 흡착 선택도는 증가하였다. 또한 흡착 온도가 증가함에 따라 프로필렌과 프로페인의 확산계수는 증가하여 아레니우스 식을 따랐고, 프로필렌/프로페인 확산 선택도는 323 K에서 0.9753으로 최대값을 가졌다. 흡착 특성을 통해 분리막의 투과선택도를 계산하였고, Na형 Faujasite 제올라이트 분리막의 단일 기체 투과 특성과 비교하였다. 그 결과 계산된 투과선택도와 측정된 투과선택도가 모두 323 K에서 최대값을 갖는 것을 확인하였다. 따라서 본 연구에서는 중량식 흡착법으로 예측된 분리막의 프로필렌/프로페인 분리거동 예측이 합리적이며 또한 표면확산에 기반한 프로필렌/프로페인 분리용 제올라이트 분리막의 분리성능예측에 적용될 수 있음을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.276-277
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• 2012

플라즈마 아킹은 PECVD, 플라즈마 식각 그리고 토카막과 같은 플라즈마를 이용하는 여러 공정과 연구 분야에서 문제가 되어왔다. 하지만, 문제의 중요성과 다르게 아킹에 대한 본질적인 연구는 아직 미비한 상태이다. 플라즈마 아킹은 집단전자방출(collective electron emission)에 의한 스파크 방전(spark discharge) 현상이다. 집단전자방출은 전계방출(field emission)이나 플라즈마와 쉬스를 두고 인접한 표면위에서의 유전분극(dielec emission)에 의해 발생한다. 우리는 CCP 플라즈마를 이용해 micro-arcing(MA)을 일으키고 랑뮈르 프로브를 이용해 MA 동안의 플로팅 포텐셜의 변화를 측정한다. MA시 PM-tube를 이용해 광량의 변화를 측정하고 플로팅 포텐셜을 fast-imaging과 동기화 시켜 MA 발생 메커니즘을 유추한다. 우리는 $30{\times}20$ cm 크기의 사각 전극을 위 아래로 가진 챔버에서 Ar 가스를 RF (13.56 MHz) 파워를 이용해 방전시켰다. 방전 전압과 전류는 파워 전극 앞단에서 High voltage probe (Tektronix P6015A)와 Current probe (TCPA300 + TCP312)를 이용해 측정했다. 플라즈마 아킹시 변하는 플라즈마 플로팅 포텐셜은 챔버 중앙에 위치한 랑뮈프 프로브에 의해 측정되고 챔버 옆의 뷰포트 앞에 위치한 PM-tube를 이용해 아킹시 변하는 광량을 측정하고 Intensified CCD를 이용해 fast-imaging을 한다. 또한 CCD 앞에 band pass filter를 부착하여 MA의 발생 메커니즘을 유추한다. RF 방전에서의 플라즈마 아킹은 아킹시 플로팅 포텐셜의 변화에 의해 크게 세부분으로 나눌 수 있다. 아킹 발생과 동시에 급격히 감소하는 감소부분(약 2 us) 그리고 감소한 포텐셜이 유지되는 유지부분(약 0~10 ms) 그리고 감소했던 포텐셜이 서서히 원래 상태로 회복되는 회복부분(약 100 us)이다. 아킹 초기시 방출된 집단 전자들은 쉬스를 단락시키게 되고 이로 인해 플로팅 포텐셜은 급격히 감소하게 된다. 이렇게 감소한 플로팅 포텐셜은 아킹 스트리머가 유지되는 한 계속 감소한 상태를 유지하게 된다. 그리고 플라즈마를 섭동했던 집단전자방출이 중단되면 플라즈마는 섭동전의 원래 상태로 회복된다. 플라즈마 아킹 발생시 생성되는 순간적으로 많은 전자들을 국소적으로 생성하게 되고 이 전자들에 의해 광량이 순간적으로 증가하게 된다. PM-tube (750.4 nm)에 의해 측정된 아킹시 광량은 정상방전 상태의 두배 가량이 된다. 그리고 이 순간적으로 증가된 광량은 시간이 지남에 따라 감소하게 되고 정상방전 일때의 광량이 된다. 광량이 증가한 후 정상방전상태의 광량에 이르는 부분은 플로팅 포텐셜이 감소한 상태에서 유지되는 부분과 일치하고 이는 플로팅 포텐셜의 유지부분동안 집단전자방출이 있다는 간접적인 증거가 된다. 그리고 정상 방전 상태 일때의 광량이 되면 집단전자방출이 중단되었다는 것이므로 그 시점부터 플로팅 포텐셜은 정산 방전상태 일때의 포텐셜로 복구되기 시작한다. 이처럼 PM-tube를 이용한 아킹 광량 측정은 아킹 스트리머를 간접적으로 측정하게 하고 집단전자방출을 이용해 아킹 시의 플로팅 포텐셜의 변화를 설명하게 해 준다.

• 한국음향학회지
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• 제30권4호
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• pp.215-222
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• 2011

높은 분해능의 영상을 얻는데 사용하기 위하여 초고주파 대역에서 동작하는 집속 초음파 트랜스듀서를 제작하고 그 특성을 평가하였다. 그 트랜스듀서는 한쪽 면에만 접지용 전극이 있는 두께 9 ${\mu}m$의 PVDF 압전막의 다른 쪽 면에 CCP (Copper Clad Polyimide)막을 에폭시로 접착한 후, 금속구로 압착함에 의해 구각형을 형성시키고, 그 뒷면에 에폭시를 채워 몰딩 시키는 방법에 의해 만들어졌다. 제작된 곡률반경 7.5 mm, f-number 1.7의 트랜스듀서는 초점에 있는 표적에 대한 펄스에 코 측정결과 35.0 MHz의 대역폭을 가지며, 약 40 MHz인 피크주파수 부근에서의 삽입손실은 약 60 dB 을 나타내었는데, 그 측정결과는 에폭시 접착층의 두께를 고려한 KLM 등가회로 해석에 의한 시뮬레이션 결과와 유사한 것이었다. 나아가, 그 트랜스듀서에 의해 얻어진 가는 구리선 표적에 대한 영상을 35 MHz 트랜스듀서를 장착한 UBM (Ultrasonic Backscattering Microscope) 장치에 의한 영상과 비교한 결과, 측방향 분해능은 떨어지나 축방향 분해능은 다소 향상됨을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.146-147
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• 2011

Processing a large area substrate for liquid crystal display (LCD) or solar panel applications in a capacitively coupled plasma (CCP) reactor is becoming increasingly challenging because of the size of the substrate size is no longer negligible compared to the wavelength of the applied radio frequency (RF) power. The situation is even worse when the driving frequency is increased to the Very High Frequency (VHF) range. When the substrate size is still smaller than 1/8 of the wavelength, one can obtain reasonably uniform process results by utilizing with methods such as tailoring the precursor gas distribution by adjustingthrough shower head hole distribution or hole size modification, locally adjusting the distance between the substrate and the electrode, and shaping shower head holes to modulate the hollow cathode effect modifying theand plasma density distribution by shaping shower head holes to adjust the follow cathode effect. At higher frequencies, such as 40 MHz for Gen 8.5 (2.2 m${\times}$2.6 m substrate), these methods are not effective, because the substrate is large enough that first node of the standing wave appears within the substrate. In such a case, the plasma discharge cannot be sustained at the node and results in an extremely non-uniform process. At Applied Materials, we have studied several methods of modifying the standing wave pattern to adjusting improve process non-uniformity for a Gen 8.5 size CCP reactor operating in the VHF range. First, we used magnetic materials (ferrite) to modify wave propagation. We placed ferrite blocks along two opposing edges of the powered electrode. This changes the boundary condition for electro-magnetic waves, and as a result, the standing wave pattern is significantly stretched towards the ferrite lined edges. In conjunction with a phase modulation technique, we have seen improvement in process uniformity. Another method involves feeding 40 MHz from four feed points near the four corners of the electrode. The phase between each feed points are dynamically adjusted to modify the resulting interference pattern, which in turn modulate the plasma distribution in time and affect the process uniformity. We achieved process uniformity of <20% with this method. A third method involves using two frequencies. In this case 40 MHz is used in a supplementary manner to improve the performance of 13 MHz process. Even at 13 MHz, the RF electric field falls off around the corners and edges on a Gen 8.5 substrate. Although, the conventional methods mentioned above improve the uniformity, they have limitations, and they cannot compensate especially as the applied power is increased, which causes the wavelength becomes shorter. 40 MHz is used to overcome such limitations. 13 MHz is applied at the center, and 40 MHz at the four corners. By modulating the interference between the signals from the four feed points, we found that 40 MHz power is preferentially channeled towards the edges and corners. We will discuss an innovative method of controlling 40 MHz to achieve this effect.