• 대한화학회지
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• 제64권5호
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• pp.259-266
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• 2020

The main purpose of this study is to examine the different physicochemical properties of spray-dried products. The carrier agents and powders after the spray-drying process were analyzed for encapsulation yield, moisture content, color parameters, total polyphenol content (TPC), antioxidant capacity (AC), bulk density, flowability, wettability, hygroscopicity, water solubility index (WSI), particle size and microstructure. The spray-drying process was carried out with different carrier agents including maltodextrin (MD) and the combination of maltodextrin and gum arabic (MD-GA) with MA/GA ratio of 70/30, dried at the inlet/outlet air temperature of 160 ℃/70 ℃, 4 bar, airflow rate of 70 ㎥·h^-1 and feed flow rate of 750 mL·h^-1. The results showed that the different carrier agents have significant influences on the physicochemical properties of the powder produced by the spray-drying method. In there, while the values of recovery efficiency and flowability of spray-dried products from MD are higher than those of spray-dried products from MD-GA combination, the opposite is true for the values of TPC, AC, bulk density and wettability, whereas hygroscopicity and WSI values are equally represented in both products.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제38권4호
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• pp.11-17
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• 2001

본 논문에서는 High-Order QAM(Quandrature Amplitude Modulation)을 적용하는 모뎀에서 강인하고 넓은 범위의 주파수 포착 범위를 가지는 극성판단(Polarity Decision) 반송파 동기용 PD(Phase Detector) 알고리즘을 제안하고 이에 대한 평균 출력특성(S-curve)과 분산특성을 수학적으로 유도하여 기존의 DD(Decision Directed)방식과 비교 분석한다. 기존의 DD 방식의 선형영역은 256 QAM의 경우 $3.5^{\circ}{\sim}3.5^{\circ}$ 이었으나 제안한 알고리즘의 선형영역은 ${\gamma}-17.9$에서 $36^{\circ}{\sim}36^{\circ}$ 의 넓은 구간을 가진다. 또한 기존의 DD 방식에서는 256 QAM의 주파수 오프셋 포착 성능이 ${\pm}10\;KHz$ 이하였다. 이는 아날로그 front-end 회로에서 주파수 오프셋이 일반적으로 ${\pm}100\;KHz$ 정도까지 줄어들 수 잇는 것을 감안하면 AFC(Automatic Frequency Control) 또는 반송파 복구를 위한 보조적인 위상검출회로가 필요하게 됨을 의미한다. 그러나 제안된 극성판단 반송파 동기 알고리즘을 사용하면 보조적인 회로의 도움없이 SNR = 30 dB에서 최대 ${\pm}300\;KHz$의 주파수 오프셋까지도 포착 가능하다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권1호
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• pp.7-12
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• 2006

Local minority carrier lifetime control by means of particle irradiation is an useful technology for Production of modern silicon Power devices. Crystal damage due to ion irradiation can be easily localized by choosing appropriate irradiation energy and minority tarrier lifetime can be reduced locally only in the damaged layer. In this work, proton irradiation technology was used for improving the switching characteristics of a un diode. The irradiation was carried out with various energy and dose condition. The device was characterized by current-voltage, capacitance-voltage, and reverse recovery time measurements. Forward voltage drop was increased to 1.1 V at forward current of 5 A, which was $120\%$ of its original device. Reverse leakage current was 64 nA at reverse voltage of 100 V, and reverse breakdown voltage was 670 V which was the same voltage as original device without irradiation. The reverse recovery time of device was reduced to about $20\%$ compared to that of original device without irradiation.

• ETRI Journal
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• 제38권2호
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• pp.244-251
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• 2016

In this paper, we investigate the electrical characteristics of two trench-gate-type super-barrier rectifiers (TSBRs) under different p-body implantation conditions (low and high). Also, design considerations for the TSBRs are discussed in this paper. The TSBRs' electrical properties depend strongly on their respective p-body implantation conditions. In the case of the TSBR with a low p-body implantation condition, it exhibits MOSFET-like properties, such as a low forward voltage ($V_F$) drop, high reverse leakage current, and a low peak reverse recovery current owing to a majority carrier operation. However, in the case of the TSBR with a high p-body implantation condition, it exhibits pn junction diode.like properties, such as a high $V_F$, low reverse leakage current, and high peak reverse recovery current owing to a minority carrier operation. As a result, the TSBR with a low p-body implantation condition is capable of operating as a MOSFET, and the TSBR with a high p-body implantation condition is capable of operating as either a pn junction diode or a MOSFET, but not both at the same time.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제45권2호
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• pp.6-12
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• 2008

본 논문에서는 상향 링크 케이블 모뎀 시스템에 대한 동기화 방법에 대하여 제안하였다. 상향 링크의 케이블 모뎀 시스템은 DOCSIS(data over cable service interface specification) 규격에 의해 정해져 있으며, 이에 맞는 동기화 방법에 관하여 연구하였다. 케이블 모뎀은 버스트 모드로 동작하며 시 분할 다중 접속(time division multiple access, TDMA) 버스트 포맷을 사용한다. 버스트 포맷은 프리앰블과 데이터 구간으로 나뉜다. 본 논문에서는 프리앰블을 이용한 프레임 동기, coarse 타이밍 동기, 반송파 주파수 동기, 반송파 각 동기 방법을 연구하였으며, 프리앰블로 이용할 시퀀스로 correlation 특성이 우수한 CAZAC(constant envelope zero-autocorrelation) 시퀀스를 이용하였다. 또한 타이밍 드리프트가 존재하는 경우와 나머지 주파수 오프셋이 주는 영향을 고려하여 데이터 구간에서 심벌 타이밍 동기방식과 주파수 각 오프셋 추정박식을 채택하여 시스템을 구성하였고, 이를 컴퓨터 실험 결과를 이용하여 성능을 검증하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권8B호
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• pp.1436-1444
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• 2000

본 논문에서는 버스트 모뎀에서 반복적인 프리엠블(preamble)과 차등 검출 방식을 이용하여 반송파와 타이밍을 동시에 복원하는 동기 검출 알고리즘을 제안한다 제안된 방식은 짧은 길이의 프리엠블과 낮은 SNR(signal-to-noise ratio)에서도 주파수 편차의 정도에 관계없이 주파수 편차와 심볼 타이밍 오차를 높은 정확도로 추정할 수 있으며 CPFSK(continuous phase frequency shift keying) 방식 및 PSK(phase shift keying) 유형의 방식에 적용이 된다 모의 실험을 통하여 제안된 동기 방식과 기존의 동기 방식들과의 방식들의 프리엠블의 길이에 따른 동기 검출 성능을 비교하고 비트 오류율에 미치는 영향을 분석한다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제55권1호
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• pp.209-214
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• 2023

The effect of thermal annealing on defect recovery of in-core neutron-irradiated 4H-SiC was investigated. Au/SiC Schottky diodes were manufactured using a 4H-SiC epitaxial wafer that was neutron-irradiated at the HANARO research reactor. The electrical characteristics of their epitaxial layers were analyzed under various conditions, including different neutron fluences (1.3 × 10¹⁷ and 2.7 × 10¹⁷ neutrons/cm²) and annealing times (up to 2 h at 1700 ℃). Capacity-voltage measurements showed high carrier compensation in the neutron-irradiated samples and a recovery tendency that increased with annealing time. The carrier density could be recovered up to 77% of the bare sample. Deep-level-transient spectroscopy revealed intrinsic defects of 4H-SiC with energy levels 0.47 and 0.68 eV below the conduction-band edge, which were significantly increased by in-core neutron irradiation. A previously unknown defect with a high electron-capture cross-section was discovered at 0.36 eV below the conduction-band edge. All defect concentrations decreased with 1700 ℃ annealing; the decrease was faster when the defect level was shallow.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제5권7호
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• pp.1219-1225
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• 2001

본 논문에서는 BWLL 상향링크에 적용할 수 있는 버스트 QPSK 수신기의 동기알고리즘을 설계하였다. 본 논문에서 설계한 버스트 수신기는 디지털 다운컨버터와 정합필터 그리고 동기회로로 구성되어 있다. 동기회로의 경우 심벌 타이밍 복구를 위하여 가드너 알고리즘을 사용하였고 반송파 주파수 복구를 위하여 4승법을 사용하였으며 반송파 위상 복구는 DD알고리즘을 사용하였다. 성능 분석을 위하여 제안된 알고리즘에 대한 시뮬레이션 결과와 VHDL로 코딩되어 FPGA에 구현된 실제회로의 결과를 비교, 분석하였다. 성능분석 결과 주파수 옵셋이 심벌율의 4.7% 까지 동기기가 잘 동작하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.857-860
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• 1999

It is made possible a removal of the preamble for carrier recovery and symbol-timing recovery by storing a burst in memory with low overhead QPSK demodulation and this demodulation method also effects frame efficiency improved by processed synchronization performance. In this paper, we have proposed that new algorithm for arc-tangent look-up table which transform the input I, Q data by phase. This I, Q data plays an important role in demodulation and makes demodulator with low-overhead by storing a burst in memory. To evaluate proposed new algorithm and symbol-timing recovery method, function simulation and timing verification have been done by using synopsys VHDL tool.

• 한국전자파학회논문지
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• 제10권1호
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• pp.99-108
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• 1999

본 논문에서는 LMDS(Local Multipoint Distributed Services) 시스템의 역방향 채널에서 TDMA(Time D Division Multiple Access) 방식으로 ATM(Asynchronous Transfer Mode) 셀을 효율적으로 전송하기 위해 전치부호를 줄일 수 있는 블록복조 알고리즘을 적용한 $\pi$/4 QPSK 변복조 방식 시스댐을 제안하고. 블록복 조의 동기성능을 향상시키기 위해 새로운 반송파 동기회로를 설계하였다. 제안한 블록동기복조 알고리즘을 적용한 $\pi$/4 QPSK 변복조 방식 시스템은 LMDS 환경에서 ATM 셀 단위의 버스트 데이터로 반송파 위상동 기. 심별 타이밍 동기, 슬롯 타이밍 동기 등을 수행할 때 전치부호를 아주 적게 사용하므로 효율적인 프레임 전송을 얻어질 수 있도록 하고 있다. 본 논문에서 제안한 블록동기복조 알고리즘을 적용한 $\pi$/4 QPSK 변복 조 방식 시스템을 모의설험을 통하여 분석한 결과. 페이딩 환경에서 심벌 타이멍 옹기, 주파수 오프셋, 반송 파 위상동기할 때 전치부호를 아주 적게까지 줄이더라도 좋은 성능을 발휘함을 확인할 수 있었다.