• 태양에너지
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• 제5권2호
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• pp.54-59
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• 1985

Due to the grainboundary recombination and the poor diffusion length, the polycrystalline cell efficiency is lower than the singlecrystalline cell. In order to define the effect of grains and grain-boundaries, 2 - dimensional differential diffusion equations of minority carrier are modelled. To solve them, two theoretical formulas are derived, which can be evaluated the grainboundary recombination velocity and the grain diffusion length. Also computer-aided numerical analysis is given.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.553-556
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• 1999

This paper presents a proper condition to achieve above 19 % conversion efficiency using PC1D simulator. Cast poly-Si wafers with resistivity of 1 $\Omega$-cm and thickness of 250 ${\mu}{\textrm}{m}$ were used as a starting material. Various efficiency influencing parameters such as rear surface recombination velocity and minority carrier diffusion length in the base region, front surface recombination velocity, junction depth and doping concentration in the Emitter layer, BSF thickness and doping concentration were investigated. Optimized cell parameters were given as rear surface recombination of 1000 cm/s, minority carrier diffusion length in the base region 200 ${\mu}{\textrm}{m}$, front surface recombination velocity 100 cnt/s, sheet resistivity of emitter layer 100 $\Omega$/$\square$, BSF thickness 5 ${\mu}{\textrm}{m}$, doping concentration 5$\times$10$^{19}$ cm$^3$ . Among the investigated variables, we learn that a diffusion length of base layer acts as a key factor to achieve conversion efficiency higher than 19 %. Further details of simulation parameters and their effects to cell characteristics are discussed in this paper.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.602-602
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• 2012

TCAD simulation을 이용하여 국부적 후면 접촉 구조를 가지는 단결정 실리콘 태양전지구조를 형성하고 실리콘 기판과 후면 passivation막 사이의 계면 특성 변화에 따른 태양전지의 전기적, 광학적 특성 변화에 대해서 연구하였다. 상기 연구를 진행하기 위하여 process simulator를 이용하여 후면에 국부적인 doped BSF region을 형성하고 device simulator를 이용하여 실리콘 기판과 후면 passivation막 사이의 carrier recombination 특성을 변화시켜 태양전지의 광학적, 전기적 특성을 분석하였다. Carrier recombination velocity의 감소에 따라 국부적 후면 접촉구조를 갖는 태양전지의 특성이 증가하는 것으로 관찰되었다. 이는 후면에서 실리콘과 박막 사잉의 결함이나, dangling bond에 의해서 carrier들이 재결합하는 확률이 줄어듦과 동시에, 후면 전극에서 carrier를 수집할 수 있는 확률이 커지기 때문이며, 800 nm 이상의 장파장영역 광원이 후면 passivation 박막에 의한 reflection으로 이차적인 carrier generation으로 인한 영향으로 판단되며 quantum efficiency 분석으로 규명하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.1418-1420
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• 2008

In this paper, the light emitting efficiency, spectrum, and the lifetime of the phosphorescent devices, whose emission characteristics are strongly dominated not only by the energy transfer but also by the charge carrier trapping induced by the emissive dopant, are explained by differences in the energy levels of the host, dopant, and nearby transport layers. On the basis of our finding on device performance and photocurrent measurement data by time-of-flight (TOF), we investigated the effect of the difference of carrier trapping dopant and properties of the host materials on the efficiency roll-off of phosphorescent organic light emitting diode (OLED), along with a physical interpretation and practical design scheme, such as a multiple host system, for improving the efficiency and lifetime of devices.

• Current Applied Physics
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• 제18권11호
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• pp.1230-1234
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• 2018

We report a new method of measuring the non-radiative recombination rate in bulk Silicon. Synchrotron timeresolved x-ray scattering (TRXS) combines femtometer spatial sensitivity with nanosecond time resolution to record the temporal evolution of a crystal lattice following intense ultrafast laser excitation. Modeling this data requires an Auger recombination time that is considerably slower than previous measurements, which were made at lower laser intensities while probing only a relatively shallow surface depth. We attribute this difference to an enhanced Coulomb interaction that has been predicted to occur in bulk materials with high densities of photoexcited charge carriers.

• ETRI Journal
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• 제15권3_4호
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• pp.61-69
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• 1994

A new analytical model for the base current of Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistors(HBTs) has been developed. This model includes the hole injection current from the base to the emitter, and the recombination components in the space charge region(SCR) and the neutral base. Distinctly different from other models, this model includes the following effects on each base current component by using the boundary condition of the excess minority carrier concentration at SCR boundaries: the first is the effect of the parasitic potential barrier which is formed at the Si/SiGe collector-base heterojunction due to the dopant outdiffusion from the SiGe base to the adjacent Si collector, and the second is the Ge composition grading effect. The effectiveness of this model is confirmed by comparing the calculated result with the measured plot of the base current vs. the collector-base bias voltage for the ungraded HBT. The decreasing base current with the increasing the collector-base reverse bias voltage is successfully explained by this model without assuming the short-lifetime region close to the SiGe/Si collector-base junction, where a complete absence of dislocations is confirmed by transmission electron microscopy (TEM)[1].The recombination component in the neutral base region is shown to dominate other components even for HBTs with a thin base, due to the increased carrier storage in the vicinity of the parasitic potential barrier at collector-base heterojunction.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1997년도 제13회 학술발표회 논문개요집
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• pp.63-63
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• 1997

• 한국결정성장학회지
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• 제9권2호
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• pp.157-161
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• 1999

초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 미치는 효과에 대하여 고찰하였다. 기계적 손상의 정도는 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명, 습식산화/선택적 식각 방법, 표면 부위 미소 결함 및 X-선 단면 측정 분석으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수 록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 표면 부위 미소 결함 밀도는 비례적으로 증가하였으며, 산화 유기 적충 결함 밀 도와도 상호 일치하였다. 그래서, 표면 부위 미소 결함 기술은 산화 유기 적층 결함을 측정하는데 있어서 통상적인 부식 방법과는 별도로 사용될 수 있다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권1호
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• pp.117-123
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• 1998

초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 미치는 효과에 대하여 고찰하였다. 기계적 손상의 정도는 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명, 광열범위, X-선 단면 측정 및 습식산화/선택적 식각 방법으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 광열 변위의 평균값은 비례적으로 증가하였으며, 손상된 웨이퍼에서 Grade 1의 과잉 광열 변위값을 1로 봤을 때 과잉 광열 변위의 정규화한 상대 정량 비는 Grade 1: Grade 2:Grade 3 = 1:19.6:41이다.

• 한국통신학회논문지
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• 제36권7C호
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• pp.459-466
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• 2011

본 논문에서는 위성항법 시스템에서 (global navigation satellite system: GNSS) 사용되는 이진 옵셋 반송파(binary offset carrier: BOC) 신호 상관함수의 주변 첨두 때문에 발생하는 신호 획득 문제에 대해 소개한다. 우선 BOC 신호의 상관함수를 분석하여 상관함수의 주변 첨두가 불규칙한 형태를 갖는 부 상관함수들의 결합을 통해 형성된다는 점을 관찰하며, 관찰 결과를 바탕으로 cyclostationarity를 지니는 부 상관함수들의 재조합에 기반을 둔 신호 획득 기법을 제안한다. 제안한 기법은 모든 BOC 신호에 적용되어 주변 첨두를 완벽히 제거할 수 있으며, 모의실험을 통해 제안한 기법이 기존의 기법들에 비해 더 나은 평균 신호 획득 시간 (mean acquisition time: MAT) 성능을 제공함을 보인다.