• 제목/요약/키워드: capacitive leakage current

검색결과 27건 처리시간 0.02초

Analysis of Key Parameters for Inductively Coupled Power Transfer Systems Realized by Detuning Factor in Synchronous Generators

  • Liu, Jinfeng;Li, Kun;Jin, Ningzhi;Iu, Herbert Ho-Ching
    • Journal of Power Electronics
    • /
    • 제19권5호
    • /
    • pp.1087-1098
    • /
    • 2019
  • In this paper, a detuning factor (DeFac) method is proposed to design the key parameters for optimizing the transfer power and efficiency of an Inductively Coupled Power Transfer (ICPT) system with primary-secondary side compensation. Depending on the robustness of the system, the DeFac method can guarantee the stability of the transfer power and efficiency of an ICPT system within a certain range of resistive-capacitive or resistive-inductive loads. A MATLAB-Simulink model of a ICPT system was built to assess the system's main evaluation criteria, namely its maximum power ratio (PR) and efficiency, in terms of different approaches. In addition, a magnetic field simulation model was built using Ansoft to specify the leakage flux and current density. Simulation results show that both the maximum PR and efficiency of the ICPT system can reach almost 70% despite the severe detuning imposed by the DeFac method. The system also exhibited low levels of leakage flux and a high current density. Experimental results confirmed the validity and feasibility of an ICPT system using DeFac-designed parameters.

용량형 압력센서용 디지탈 보상 인터페이스 회로설계 (Design of Compensated Digital Interface Circuits for Capacitive Pressure Sensor)

  • 이윤희;택전신사;서희돈;최세곤
    • 센서학회지
    • /
    • 제5권5호
    • /
    • pp.63-68
    • /
    • 1996
  • 출력신호를 검출하기 위한 집적화한 용량형 압력센서를 구현하기 위해서는 센서의 특성에 나쁜 영향을 미치는 기생용량, 온도/열 드리프트 및 누설전류 등의 요소가 개선 되어야 한다. 본 논문에서는 2개의 용량-주파수 변환기와 4비트 디지탈 보상회로로 구성된 새로운 이상적인 인터페이스 회로를 설계 하였다. 이 회로는 센싱 센서 주파수를 기준 센서 주파수로 나누어줌으로써 드리프트 및 누설전류의 영향이 제거될 수 있도록 설계 되었고, 신호 전송시 잡음의 영향이 적은 디지탈 신호를 처리하도록 되어있다. 그르므로 이 회로는 디지탈 비트수를 늘려 줌으로 출력신호의 분해능을 향상 시킬 수 있다. 또 이 회로 중 디지털 부분은 FPGA 칩으로 제작되어 그 작동이 확인 되었다.

  • PDF

영상전류 측정을 이용한 부재수용가의 전기설비에 대한 안전확보 방안 (A Plan to Ensure Safety of Electrical Installation in Empty Houses by Measuring Zero Phase Current)

  • 임용배;배석명;김영석;박치현;김기현;조성원
    • 전기학회논문지P
    • /
    • 제55권4호
    • /
    • pp.196-201
    • /
    • 2006
  • A electrical fault that may generate an electrical disaster is defined as any abnormal condition caused by reduction in the insulation strength. To find out the abnormal condition, periodical inspections have being performed every 3 years. Recently, the number of empty houses during normal working hours is rising by dramatic increase in the number of nuclear families and double income families. To define the potential risk of the electric installation, measurement of zero phase current has been being considered. But the measured value could not be adapted to an absolute reference to the installation because the measured zero phase current value also contained capacitive leakage current. Therefore, in this paper, the correlation between the condition of the electrical installation and the zero phase current was analyzed. The result focuses on to detect them in a cost efficient way.

용량성 압력센서의 집적화에 관한 연구 (Study on Integrated for Capacitive Pressure Sensor)

  • 이윤희
    • 전자공학회논문지T
    • /
    • 제35T권1호
    • /
    • pp.48-58
    • /
    • 1998
  • 본 논문은 센서에서 수반되는 기생용량과 온도 드리프트 및 누설전류의 영향을 경감하기 위한 C-V변환회로 및 C-V변환회로에 관한 실험결과를 제시하고, 또한 논문에서 제안한 센싱 주파수를 기준주파수로 나누어줌으로써 상기 영향들을 줄일 수 있는 새로운 인터페이스 회로를 제시한다 이 회로는 용량비의 출력신호를 디지털 방식으로 16진수로 계수 함으로써 신호의 전송이나 컴퓨터 처리가 쉬울 뿐 아니라 비트수의 증가에 따라 분해 능을 향상시킬 수 있는 이점도 있다. 시작한 인터페이스 회로의 C-V 및 C-F 변환회로에서 전원전압 4.0V, 피이드백 커패시턴스10pF, 압력 0∼10 KPa범위에서 감도는 각각 28 ㎷/㎪·V, -6.6 ㎐/㎩로서 양호하였고, 온도 드리프트 특성은 0.051 %F.S./℃ 및 0.078 %F.S./℃로서 크게 개선되었다.

  • PDF

초미세 CMOS 공정에서의 스위칭 및 누설전력 억제 SRAM 설계 (Switching and Leakage-Power Suppressed SRAM for Leakage-Dominant Deep-Submicron CMOS Technologies)

  • 최훈대;민경식
    • 대한전자공학회논문지SD
    • /
    • 제43권3호
    • /
    • pp.21-32
    • /
    • 2006
  • 본 논문에서는 누설전력 소비뿐만 아니라 스위칭 전력 소비를 동시에 줄일 수 있는 새로운 저전력 SRAM 회로를 제안한다. 제안된 저전력 SRAM은 대기모드와 쓰기동작에서는 셀의 소스라인 전압을 $V_{SSH}$로 증가시키고 읽기동작에서만 소스라인 전압을 다시 $V_{SS}$가 되도록 동적으로 조절한다. SRAM 셀의 소스라인 전압을 동적으로 조절하면 reverse body-bias 효과, DIBL 효과, 음의 $V_{GS}$ 효과를 이용하여 셀 어레이의 누설전류를 1/100 까지 감소시킬 수 있다. 또한 누설전류를 억제하기 위해 사용된 소스라인 드라이버를 이용하여 SRAM의 쓰기동작에서 비트라인 전압의 스윙 폭을 $V_{DD}-to-V_{SSH}$로 감소시킴으로써 SRAM의 write power를 대폭 감소시킬 수 있고 쓰기동작 중에 있는 셀들의 누설 전류 소비도 동시에 줄일 수 있다. 이를 위해 새로운 write driver를 사용하여 low-swing 쓰기동작 시 성능 감소를 최소화하였다. 누설전력 소비 감소 기법과 스위칭 전력 소비 감소 기법을 동시에 사용함으로써 제안된 SRAM은 특히 미래의 큰 누설전류가 예상되는 70-nm 이하 급 초미세 공정에서 유용할 것으로 예측된다. 70-nm 공정 파라미터를 이용해서 시뮬레이션한 결과 누설전력 소비의 93%와 스위칭 전력 소비의 43%를 줄일 수 있을 것으로 보인다. 본 논문에서 제안된 저전력 SRAM의 유용성과 신뢰성을 검증하기 위해서 $0.35-{\mu}m$ CMOS 공정에서 32x128 bit SRAM이 제작 및 측정되었다. 측정 결과 기존의 SRAM에 비해 스위칭 전력이 30% 적게 소비됨을 확인하였고 사용된 메탈 차폐 레이어로 인해서 $V_{DD}-to-V_{SSH}$ 전압이 약 1.1V 일 때까지 오류 없이 동작함을 관측하였다. 본 논문의 SRAM 스위칭 전력감소는 I/O의 bit width가 증가하면 더욱 더 중요해질 것으로 예상할 수 있다.

Parasitic Capacitive Housing Effects in a Multi-Lamps Backlight

  • Kim, Sang-Beom;Cho, Mee-Ryoung;Hong, Seong-Moon;Lee, Yong-Kon;Lee, Sang-Heok;Lee, Ji-Hoon;Lee, Joo-Young;Hong, Jin-Woo;Yang, Dong-Wook;Lee, Dea-Heung;Kim, Bong-Soo;Kang, June-Gill;Cho, Guang-Sup
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
    • /
    • pp.639-641
    • /
    • 2003
  • The parasitic capacitance between the high voltage electrodes and the backlight housing causes lowering lamp current, electric power leakage, and leading to lower brightness and efficiency in a multi-lamps backlight. In this study a new center balance swing operation method is introduced to be minimizing those housing effects.

  • PDF

Dual Utility AC Line Voltage Operated Voltage Source and Soft Switching PWM DC-DC Converter with High Frequency Transformer Link for Arc Welding Equipment

  • Morimoto Keiki;Ahmed NabilA.;Lee Hyun-Woo;Nakaoka Mutsuo
    • KIEE International Transaction on Electrical Machinery and Energy Conversion Systems
    • /
    • 제5B권4호
    • /
    • pp.366-373
    • /
    • 2005
  • This paper presents two new circuit topologies of the dc busline side active resonant snubber assisted voltage source high frequency link soft switching PWM full-bridge dc-dc power converters acceptable for either utility ac 200V-rms or ac 400V-rms input grid. These high frequency switching dc-dc converters proposed in this paper are composed of a typical voltage source-fed full-bridge PWM inverter, high frequency transformer with center tap, high frequency diode rectifier with inductor input filter and dc busline side series switches with the aid of a dc busline parallel capacitive lossless snubber. All the active switches in the full-bridge arms as well as dc busline snubber can achieve ZCS turn-on and ZVS turn-off transition commutation with the aid of a transformer leakage inductive component and consequently the total switching power losses can be effectively reduced. So that, a high switching frequency operation of IGBTs in the voltage source full bridge inverter can be actually designed more than about 20 kHz. It is confirmed that the more the switching frequency of full-bridge soft switching inverter increases, the more soft switching PWM dc-dc converter with a high frequency transformer link has remarkable advantages for its power conversion efficiency and power density implementations as compared with the conventional hard switching PWM inverter type dc-dc power converter. The effectiveness of these new dc-dc power converter topologies can be proved to be more suitable for low voltage and large current dc-dc power supply as arc welding equipment from a practical point of view.