This paper presents the new power dissipation model of individual switching device in a high-level modular multilevel converter (MMC), which can be mostly used in voltage sourced converter (VSC) based high-voltage direct current (HVDC) system and flexible AC transmission system (FACTS). Also, the voltage balancing method based on sorting algorithm is newly proposed to advance the MMC functionalities by effectively adjusting switching variations of the sub-module (SM). The proposed power dissipation model does not fully calculate the average power dissipation for numerous switching devices in an arm module. Instead, it estimates the power dissipation of every switching element based on the inherent operational principle of SM in MMC. In other words, the power dissipation is computed in every single switching event by using the polynomial curve fitting model with minimum computational efforts and high accuracy, which are required to manage the large number of SMs. After estimating the value of power dissipation, the thermal condition of every switching element is considered in the case of external disturbance. Then, the arm modeling for high-level MMC and its control scheme is implemented with the electromagnetic transient simulation program. Finally, the case study for applying to the MMC based HVDC system is carried out to select the appropriate insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module in a steady-state, as well as to estimate the proper thermal condition of every switching element in a transient state.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제12권6호
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pp.262-266
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2011
A simulation study of a current-mode direct current (DC)-DC boost converter is presented in this paper. This converter, with a fully-integrated power module, is implemented by using bipolar complementary metal-oxide semiconductor (BiCMOS) technology. The current-sensing circuit has an op-amp to achieve high accuracy. With the sense metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) in the current sensor, the sensed inductor current with the internal ramp signal can be used for feedback control. In addition, BiCMOS technology is applied to the converter, for accurate current sensing and low power consumption. The DC-DC converter is designed with a standard 0.35 ${\mu}m$ BiCMOS process. The off-chip inductor-capacitor (LC) filter is operated with an inductance of 1 mH and a capacitance of 12.5 nF. Simulation results show the high performance of the current-sensing circuit and the validity of the BiCMOS converter. The output voltage is found to be 4.1 V with a ripple ratio of 1.5% at the duty ratio of 0.3. The sensing current is measured to be within 1 mA and follows to fit the order of the aspect ratio, between sensing and power FET.
Objectives : To identify whether pattern identification using nasal endoscopy for rhinitis can be applied as a tool for evaluating rhinitis in routine care setting, we performed a inter-rater reliability study on this pattern identification. Methods : Two Korean medicine doctors assessed 290 left/right nasal endoscopy photograph cases of rhinitis patients with pattern identification using nasal endoscopy. This pattern identification consist of four assessment items, nasal membrane color(pale/hyperemia), nasal membrane humidity(dryness/dampness), rhinorrhea(watery/yellow), and turbinate membrane edema(atrophic/edematous). Cohen's kappa statistic and Percentage agreement were used to evaluate the inter-rater reliability. Results : Inter-rater percentage agreement and Kappa coefficient for left nasal endoscopy photograph cases was from 'slight' to 'moderate'(% agreement: 40.00-67.59%/Kappa: 0.06-0.407). Only the agreement of 'rhinorrhea (watery/yellow)' item was moderate(% agreement: 67.59%/Kappa: 0.407). Inter-rater percentage agreement and Kappa coefficient for right nasal endoscopy photograph cases was also from 'slight' to 'moderate'(% agreement: 42.41-68.97%/Kappa: 0.109-0.465). Only the agreement of 'rhinorrhea(watery/yellow)' item was moderate(% agreement: 68.97%/Kappa: 0.465). Conclusions : It is necessary to resolve problems such as cut-off value setting, bipolar evaluation values(pale/hyperemia, dryness/dampness, watery/yellow, atrophic/edematous) and weighting items. Further rigorous studies that overcome the limitations of the current research are warranted.
Wheat samples showing typical spot blotch symptoms on stems and sheaths were collected from the field after physiological maturity, and were sealed in paper bags and stored in the laboratory at room temperature to study the survival of Bipolaris sorokiniana conidia on wheat straw. The materials were observed at monthly intervals to assess the conidia viability during storage. After 4 months, the frequency of individual conidia already present on wheat straw at the time of sampling was reduced and appeared to be progressively replaced by the formation of round structures consist-ing of conidia aggregates. After 5 months, distinct, individual conidia were no longer detected, and only 'clumps of conidia' were observed. These dark black aggregates or 'clumps of conidia’measured 157-170$\mu\textrm{m}$ in diameter and were grouped into boat-shaped olivacious conidia showing thick wall and measuring 50-82$\times$20-30$\mu\textrm{m}$. The germination was unipolar and below 0.5%, suggesting the occurrence of dormancy, In contrast, individual conidium produced on wheat during the growing season were 96-130$\times$16-20$\mu\textrm{m}$, slightly curved, hyaline to light pale, and euseptate with a bipolar germination reaching 98-100%. Bipolaris sorokiniana conidia produced on PDA were 55-82$\times$20-27$\mu\textrm{m}$, tapered at both ends, dark brown to olivacious, distoseptate, showed up to 1% germination, and were predominantly unipolar. Results of the present study suggest that B. sorokiniana conidia belonged to two different physiological categories corresponding to the pathogen's infection phase and its survival, respectively. The infection phase is characterized by a high germination percentage as opposed to the survival phase harboring apparent dormancy.
InAs 는 광전자 및 광통신 소자에 널리 이용되는 $In_xGa_{1-x}As_yP_{1-y}$ 화합물의 endpoint 로서, Heterojunction Field-Effect Transistors (HEMTs), Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 등에 중요하게 이용되고, 다양한 소자의 기판으로도 폭넓게 사용되는 물질이다. InAs 의 반도체 소자로의 응용을 위해서는 정확한 광 특성과 밴드갭 값들이 필수적이며, 분광타원편광분석법(ellipsometry) 을 이용한 상온 InAs 유전율 함수는 이미 정확히 알려져 있다. 그러나 상온에서는 $E_2$ 전이점 영역에서 여러 개의 밴드갭들이 중첩되어 있어, 밴드구조계산 등에 필수적인 InAs의 전이점을 정확히 정의하기 어렵다. 또한, 현재의 산업계에서 중요하게 여겨지는 실시간 모니터링을 위해서는 증착온도에서의 유전율 함수 데이터베이스가 필수적이다. 이와 같은 필요성에 의해, 22 K - 700 K 의 온도범위에서 InAs 의 유전율 함수와 밴드갭 에너지에 대한 연구를 수행하였다. InAs bulk 기판을 methanol, acetone, DI water 등으로 세척 한 뒤, 저온 cryostat 에 부착하였다. 분광타원분석법은 표면의 오염에 매우 민감하기 때문에, 저온에서의 응결 방지를 위해 고 진공도를 유지하며, 액체 헬륨으로 냉각하였다. 0.7 - 6.5 eV 에너지 영역에서 측정이 가능한 분광타원편광분석기로 측정한 결과, 온도가 증가함에 따라 열팽창과 phonon-electron 상호작용효과의 증가에 의해, 밴드갭 에너지 값의 적색 천이와 밴드갭들의 중첩을 관찰 할 수 있었다. 정확한 밴드갭 에너지 값의 분석을 위하여 2계 미분을 통한 표준 밴드갭 해석법을 적용하였으며, 22 K 의 저온에서는 $E_2$ 전이점 영역에서 중첩된 여러 개의 밴드갭들을 분리 할 수 있었다. 또한 고온에서의 연구를 통해, 실시간 분석을 위한 InAs 유전함수의 데이터베이스를 확립하였다. 본 연구의 결과는 InAs 를 기반으로 한 광전자 소자의 개발 및 적용분야와 밴드갭 엔지니어링 분야에 많은 도움이 될 것으로 예상한다.
ReRAM cell, also known as conductive bridging RAM (CBRAM), is a resistive switching memory based on non-volatile formation and dissolution of conductive filament in a solid electrolyte [1,2]. Especially, Chalcogenide-based ReRAM have become a promising candidate due to the simple structure, high density and low power operation than other types of ReRAM but the uniformity of switching parameter is undesirable. It is because diffusion of ions from anode to cathode in solid electrolyte layer is random [3]. That is to say, the formation of conductive filament is not go through the same paths in each switching cycle which is one of the major obstacles for performance improvement of ReRAM devices. Therefore, to control of nonuniform conductive filament formation is a key point to achieve a high performance ReRAM. In this paper, we demonstrated the enhanced repeatable bipolar resistive switching memory characteristics by spreading the Ag nanocrystals (Ag NCs) on amorphous GeSe layer compared to the conventional Ag/GeSe/Pt structure without Ag NCs. The Ag NCs and Ag top electrode act as a metal supply source of our devices. Excellent resistive switching memory characteristics were obtained and improvement of voltage distribution was achieved from the Al/Ag NCs/GeSe/Pt structure. At the same time, a stable DC endurance (>100 cycles) and an excellent data retention (>104 sec) properties was found from the Al/Ag NCs/GeSe/ Pt structured ReRAMs.
환경오염과 화석연료의 문제로 인한 2차 에너지 변환 및 저장 장치의 개발이 활발하게 진행되고 있다. 이러한 에너지 변환장치들은 전기화학적 시스템을 기본으로 운영되고 있으며 이온교환막은 각 공정의 성능을 결정짓는 중요한 요소이다. 따라서 에너지 시스템의 효율 증대 및 성능 향상을 위해서는 적합한 물성을 갖는 이온교환막 개발이 필요하다. 이러한 이온교환막은 크게 양이온교환막, 음이온교환막, 바이폴라막으로 분류되고 있으며, 이들 막들은 화학적, 물리적, 형태학적 특성에 따라 다양한 용도을 갖고 있다. 본 총설에서는 이온교환막의 주요한 특징과 함께 이들의 제조 방법에 대해 기술했다. 이어서 이온교환막을 이용하여 최근 개발되고 있는 전기화학 시스템에 기반을 둔 역전기 투석, 레독스 흐름 전지, 수전해 공정에 대해서 소개하고, 각 에너지 공정에서 이온교환막이 갖는 역할과 조건에 대해서 설명하였다.
FRAM(Ferroelectric Random Access memory)에의 응용을 위해 rf magnetron sputtering법을 이용하여 SrB $i_{2}$T $a_{2}$$O_{9}$(SBT)박막을 증착하였다. 사용된 기판은 Pt/Ti/Si $o_{2}$Si이었으며 50$0^{\circ}C$에서 증착한 후 80$0^{\circ}C$의 산소 분위기 하에서 1시간 동안 열처리하였다. 증착시 증착 압력을 변화시켜 가면서 이에 따른 특성의 변화를 고찰하였다. 박막내의 Bi와 Sr의 부족을 보상하기 위해 20mole%의 Bi $O_{2}$와 30mole%의 SrC $O_{3}$를 과잉으로 넣어 타겟을 제조후 사용하였고 박막들의 두께는 300nm의 두께를 가지며 증착압력에 따라 다른 미세 구조르 보였다. 10mtorr에서 증착한 박막의 조성은 S $r_{0.6}$B $i_{3.8}$Ta/ sub 2.0/ $O_{9.0}$이었다. 이 SBT 박막의 잔류 분극(2 $P_{r}$)과 보전계(2 $E_{c}$)값은 각각 인가 전압 5V에서 18.5 $\mu%C/$\textrm{cm}^2$과 150kV/cm이었고, signal/noise비는 3V에서 4.6을 나타내었다. 5V의 bipolar pulse하에서 $10^{10}$cycle까지 피로 현상이 나타나지 않았으며, 누설 전류 밀도는 133kV/cm에서 약 1x$10^{-7A}$$\textrm{cm}^2$의 값을 보였다.을 보였다.
Voltage source inverters (VSIs) are widely used to drive induction motors in industry applications. The quality of output waveforms depends on the switching sequences used in pulse width modulation (PWM). In this work, all existing optimal space vector pulse width modulation (SVPWM) switching strategies are studied. The performance of existing SVPWM switching strategies is optimized to realize a tradeoff between quality of output waveforms and switching losses. This study generalizes the existing optimal switching sequences for total harmonic distortions (THDs) and switching losses for different modulation indexes and reference angles with a parameter called quality factor. This factor provides a common platform in which the THDs and switching losses of different SVPWM techniques can be compared. The optimal spatial distribution of each sequence is derived on the basis of the quality factor to minimize harmonic current distortions and switching losses in a sector; the result is the minimum ripple loss SVPWM (MRSLPWM). By employing the sequences from optimized switching maps, the proposed method can simultaneously reduce THDs and switching losses. Two hybrid SVPWM techniques are proposed to reduce line current distortions and switching losses in motor drives. The proposed hybrid SVPWM strategies are MRSLPWM 30 and MRSLPWM 90. With a low-cost PIC microcontroller (PIC18F452), the proposed hybrid SVPWM techniques and the quality of output waveforms are experimentally validated on a 2 kVA VSI based on a three-phase two-level insulated gate bipolar transistor.
Objectives : We examined the reliability and validity of the Korean version of the Depression and Somatic Symptom Scale (DSSS) in Korean patients with depressive symptoms. Methods : Participants were 55 outpatients diagnosed with major depressive disorder, a depressive episode of bipolar I disorder, somatoform disorder, panic disorder, generalized anxiety disorder, or post-traumatic stress disorder according to the DSM-IV criteria. We assessed them using the Korean versions of the DSSS, Hamilton Depression Rating Scale (HDRS), and Quick Inventory of Depressive Symptomatology Self Report (QIDS-SR). Results : The Korean version DSSS had a Cronbach's alpha of 0.90. Moreover, each item's correlation with the total score was statistically significant (r=0.24-0.71, p<0.01). The test-retest correlation coefficient (r=0.83, p<0.01) was relatively high, and the DSSS correlations with the HDRS and QIDS-SR were 0.77 and 0.74, respectively. Conclusion : These results demonstrate that the Korean version of the DSSS could be a reliable and valid tool for screening and assessing depressive patients. The Korean version of the DSSS will be a useful tool for screening both depressive and somatic symptoms in Korea.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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